KR950024336A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR950024336A
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KR1019940036924A
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료오타 하마모토
마사유키 나카무라
Original Assignee
가나이 쓰토무
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
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Abstract

정보기억용 캐패시터와 어드레스 선택용 MOSFET로 되는 메모리셀이 매트릭스 배치되는 메모리 어레이와, 그것에 랜덤하게 데이터의 입출력을 행하는 어드레스 선택회로 및 데이터 입출력 회로로 되는 랜덤 입출력 회로와, 시리얼 출력용의 기억회로로 해서, 정보기억용 캐패시터와 이러한 캐패시터의 기억정보가 게이트로 공급되는 증폭 MOSFET 및 그 출력노드를 시리얼 출력선에 공통으로 접속되는 어드레스 선택용 MOSFET를 이용한다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 반도체 기억장치에서 SAM부와 RAM부의 일실시예를 나타내는 개략회로도,
제2도는 본 발명에 관한 반도체 기억장치의 일실시예를 나타내는 블럭도,
제3도는 본 발명에 관한 반도제 기억장치의 다른 일실시예를 나타내는 블럭도.

Claims (5)

  1. 복수의 워드선과 복수의 비트선과의 각 교점에 정보기억용 캐패시터와 어드레스 선택용 MOSFET로 되는 복수의 메모리셀이 매트릭스 배치되는 메모리어레이와, 상기 메모리셀의 정보를 시리얼로 출력하기 위한 시리얼 출력선과, 상기 메모리어레이에 대해서 랜덤으로 데이터의 입출력을 행하는 어드레스 선택회로 및 데이터 입출력회로로 되는 랜덤 입출력회로와, 정보기억용 캐패시터와 상기 캐패시터의 기억정보가 게이트로 공급되는 제1MOSFET와 상기 제1MOSFET의 출력노드를 상기 시리얼 출력선으로 접속하는 제2MOSFET를 각각 포함하는 복수의 기억부와, 어드레스 신호에 의해 상기 제MOSFET를 순차로 스위치 제어하는 시리얼 어드레스 선택회로와, 상기 메모리어레이의 상기 비트선에 의해 전달된 신호를 파라렐로 상기 복수의 기억부의 정보기억 캐패시터로 전송시키는 복수의 전송 게이트회로를 구비하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 어드레스 신호는 컬럼 어드레스바퍼를 통해 초기치가 설정되며, 외부단자에서 입력된 시리얼 클럭펄스를 계수하기 위한 어드레스 카운터회로에 의해 형성되는 반도체 기억장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기억부는 2개로 분할되며, 분할된 한쪽의 기억부에서 데이타가 시리얼 출력되는 동안 상기 메모리어레이로부터 분할된 다른 쪽의 기억부로 대응하는 전송 게이트를 통해서 신호가 파라렐로 전송되는 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 비트선은 센스증폭기에 대하여 각각 폴디드해서 상기 메모리 어레이를 통해 평행하게 연장되는 한쌍의 파라렐 상보비트선을 형성하고, 신호가 상기 전송게이트회로의 전송게이트로 상기 한쌍의 상보 비트선 중 다만 하나를 통해 전송되도록 한 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 랜덤 입출력 회로에는 복수 데이터 단위를 단일 동종의 정보로서 기록하기 위한 블럭라이트 기능 또는 복수의 워드선 단위를 단일 동종 데이터로서 기록하기 위한 후레쉬라이트 기능이 설치되는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940036924A 1994-01-12 1994-12-26 반도체 기억장치 KR950024336A (ko)

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JP2003233986A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Sony Corp 半導体記憶装置
JP4744074B2 (ja) * 2003-12-01 2011-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 表示メモリ回路および表示コントローラ

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