KR950021811A - 자기정합(Self-aligend) 구조를 이용한 전반사형 광스위치의 제조방법 - Google Patents

자기정합(Self-aligend) 구조를 이용한 전반사형 광스위치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 내부 전반사형 광스위치에 관한 것으로, 특히 SiNx를 자기정합 마스크를 이용하여 선택식각하여 트랜치틀 형성한후 재성장방법에 의해 제조되는 내부 전반사형 광스위치에 관한 것이다.
또한 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피의 성장, SiNx 마스크를 이용하여 식각을 통한 Trenchfmf 형성한후 SiNx마스크를 이용하여 신택적 재성장 방법을 이용하여 전반사면을 위한 전류주입층을 형성한뒤, 도파로층을 식각하고 오믹층의 형성, 전극중착등에 의해 제작되어진다.
그리고 자기정렬 방법에 의해 반사면을 이루는 부분을 식각에 이온 재성장업을 사용함으로써 종래의 Zn확산법에 의해 형성되는 전반사 영역보다 도핑분포를 조절함이 용이하여 전류 주입층과 도파로층간의 도핑이 계단형분포를 이룸으로 전류 주입에 의한 스위칭 효율을 증가시킬 수 있으며, 전류주입층 이외의 영역은 이미 SiNx로 덮여있으므로 오믹금속층을 증착하는 공정을 용이하게 하며 또한 상층 클래딩 영역에 반절연 InP를 삽입하여 광도파로의 전파손실을 주지않으면서 전류 주입시 전류의 확산을 막는 구조이다.

Description

자기정합(Self-aligend) 구조를 이용한 전반사형 광스위치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 전반사형 광스우치의 평면도.
제4도는 제3도의 A-A'선에 따른 단면도.
제5도는 본 발명에 따른 제조공정을 나타낸 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 광스위치의 제조방법에 있어서, n+-InP기판(1)상에 n+-InP버퍼영역(3), n-InGaAsP도파로층(4), 도핑되지않은 InP층(10), 반절연 InP층(11)을 순차적으로 성장시키는 공정과; 전면에 SiNx(12)를 증착시키는 공정과; 상기 SiNx상에 포토레지스트로 광학리소그라피에 의한 전류주입을 할 부분의 패턴을 형성한 후 상기 포토레지스트를 제거하고, 상기 SiNx를 마스크로 하여 상기 도핑되지않은 InP층(10)과 상기 n-InGaAsP도파로층(4)의 경계면까지 식각하여 트랜치를 형성하는 공정과; 상기 트랜치를 마스크로하여 기판 전면에 P+-InP층(13)과 P+-InGaAs오믹접촉층(14)을 순차적으로 재성장시키고 n-오믹층(1)을 형성시키는 공정과; 기판전면에 포토레지스트 마스크로 SiNx를 식각한후, SiNx를 마스크로 하여 상기 n-InGaAsP층(4)과 상기 반절연 InP층(11)의 경계면까지 선택식각하는 공정과; 전자빔 증착기를 이용하여 n-오믹금속층(1)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정합구조를 이용한 전반사형 광스위치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930027342A 1993-12-11 1993-12-11 자기정합(Self-aligend) 구조를 이용한 전반사형 광스위치의 제조방법 KR970006608B1 (ko)

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