KR950016837A - 진공 압력순환 흡착 시스템의 조정방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 진공 압력순환 흡착 시스템의 조정에 관한 것으로, 진공 및 다른 압력순환 흡착 용기는 감시되며, 올바른 조절은 시스템을 조정하기 위한 용기의 온도 프로필의 불균형에 응답하여 압력 평형 및/또는 재가압 단계로 이루어진다. 또한, PSA 공정은 바람직하게 각각의 용기의 과잉정화 또는 부족정화를 피하기 위해 정화 조정된다.

Description

진공 압력순환 흡착 시스템의 조정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (20)

  1. 시스템이 공급가스 스트림의 한 성분을 다른 성분으로부터 선택적으로 흡착할 수 있으는 최소한 2개의 층을 포함하며, 각각의 층이, 주기적으로, (1) 중간 압력으로 부터 상부 흡착 압력으로의 재가압 단계 ; (2) 상부 흡착 압력에서의 층의 생성 단부로부터 선택적으로 흡착성이 덜한 성분을 제거하면서 층의 공급 단부로 공급가스를 도입시키는 단계 ; (3) 중간 압력에서 압력 평형보다 낮은 압력하에 초기에 층의 생성 단부로부터 가스를 방출시키고 이것을 시스템내의 다른 층의 생성 단부로 통과시키면서 병류 감압 또는 압력 평형화 하는 단계 ; (4) 층의 공급단부로부터 가스를 방출시키면서 좀더 낮은 흡착 압력으로의 향류 감압단계 ; 그리고 (5) 층의 생성단부로 가스를 이송시키면서 중간 압력으로의 부분 재가압 또는 압력 평형 단계를 포함하는 공정을 수행하며, 상기 가스는 상기 중간 압력에서 압력 평형에 대해 좀더 높은 압력하에 시스템내의 다른 층으로 부터 초기에 배출되는 공급 가스 스트림의 성분의 분리 및 회수를 압력순환 흡착 시스템의 조정방법에 있었서, (a) 각각의 흡착 층의 동일한 부분에서 각 층의 온도 프로필을 추적하기 위해 층 온도를 감시하는 단계 ; 와 (b) 층들의 온도 프로필에서의 변동에 의해 측정한대로 시스템중의 불균형에 응답하여 각각의 흡착층으로부터 나온 수순한 가스양을 조절하는 단계를 포함하며, 이때, (1) 시스템의 정상 균형 조작 조건하에서 상기 층의 정상 온도 플로필을 초과하는 온도 범위를 가지며, 다른 층을 위한 환류가스로서 생성되는 층의 생성 단부로부터 방출되는 순수한 가스의 양은 시스템의 정상 균형 조건으로 그 안의 온도 프로필을 낮추기 위해 증가되며, (2) 시스템의 정상 균형 조작 조건하에서 상기 층의 점상 온도 프로필보다 적은 온도 범위를 가지며, 다른 층을 위한 환류 가스로서 생성된 층의 생성단부로부터 방출되는 순수한 가스의 양은 시스템의 정상 균형 조건으로 그안의 온도 프로필을 증가시키기 위해 감소되며, 이로인해 공정 방해에 기인하여 불균형을 보이는 시스템은 유리하게도 시스템의 안정한 고성능을 유지하기 위한 균형 조작 조건으로 회복되는 것을 특징으로 하는 압력순환 흡착 시스템의 조정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 단계(4)중에 더 낮은 탈착 압력을 위한 초기 향류 감압에 이어 더낮은 대기 아래의 탈착압력으로 층을 배기시키는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 공급가스는 공기임을 특징으로 하는 방법.
  4. 제2항에 있어서, 공급가스는 공기이고, 상기 선택적으로 흡착성이 덜한 성분은 산소 생성물로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 시스템은 2개의 흡착 층으로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 시스템은 2개의 흡착 층으로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 층 온도는 각각의 층의 하부 위치에서 감시됨을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 층 온도는 각각의 층의 하부, 중간, 및 상부에서 감시됨을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서, 온도 감시 입력 시그날을 공정 컴퓨터/제어기로 보내고, 출력 시그날을 시스템중의 불균형에 응답하여 각각 층으로의 흐름 속도를 조절하기 위해 시스템으로 보내는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1항에 있어서, 점더 낮은 탈착 압력에서 층의 공급 단부로 부터의 제거를 위해 선택적으로 흡착성이 좋은 성분의 탈착을 촉진시키기 위한 층의 정화를 포함함을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 더 낮은 탈착 압력은 대기압 아래의 탈착 압력인 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 공급가스는 공기이며, 상기 선택적으로 흡착성이 덜한 성분은 산소 생성불로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 시스템은 2개의 흡착 층으로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  14. 제10항에 있어서, 일정한 정화 압력 조건을 유지할 정도로 층으로의 정화가스 흐름을 조절하는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 입력 압력 조건을 공정 컴퓨터/제어기로 보내고 그곳으로 부터의 출력 시그날을 층까지의 정화가스 흐름을 조절하기 위한 제어수단으로 보내는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 단계(4) 중의 더 낮은 탈착 압력으로 초기 향류 감압에 이어 대기 아래의 압력보다 낮게 층을 배기시키는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 공급가스는 공기이고, 상기 선택적으로 흡착성이 덜한 성분은 산소 생성물로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 시스템은 공기로부터 선택적으로 질소를 흡착 할 수 있는 흡착 물질을 함유하는 2개의 흡착 층으로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  19. 제1항에 있어서, 단계(1) 및 (2)는 선택적으로 흡착성이 덜한 성분이 층의 생성 단부로부터 제거되는 반면 층의 압력이 중간 압력에서 상부 흡착 압력으로 증가되는 것을 유발하는 속도로 층의 공급단부로 공급가스를 도입시키는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 더 낮은 대기 아래의 탈착 압력으로 층을 배기시킴을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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