KR950015839A - 고온초전도 박막제조공정중 은접착제를 제거하는 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고온 초전도 박막 제조방법에 관한 것으로, 특히, 은접착제 (3)에 의해 기판홀더에 부착되고, 산화물 단결정기판 (1)과 초전도 박막 (2)을 갖는 반도체 소자로 부터 상기 은접착제를 제거하는 방법에 관한 것이다. 상기 고온 초전도 박막(2)상에 보호막(4)을 증착시키고, 상기 은접착제(3)상에 염산(틴CL)을 면봉에 묻혀 도포한 후, 청산가리(KCN)용액을 묻힌 면봉으로 상기 은접착제(3)를 식각하여 상기 산화물 단결정기판(1) 뒷면에 금속 박막(5)을 증착시키는 공정을 거쳐 상기 보호막(7)을 제거하여 고온 초전도 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 따라서 본 발명을 응용한 고주파소자의 제작에서 균일하고 평활하게 성장시킨 접지평면이 고주파소자의 특성(Q-factor, S-parameter)에 큰 영향을 미친다. 또한 통신용 송. 수신시스템을 구현할 경우, 대용량의 정보들 특정 고주파영역의 협대역에서도 깨끗하고 잡음없는 통신이 가능하게 한다.

Description

고온초전도 박막제조공정중 은접착제를 제거하는 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도 내지 제4도는 본 발명에 따른 단면도.

Claims (4)

1. 은접착제(3)에 의해 기판홀더에 부착되고, 산화물 단결정기판(1)과 고온 초전도 박막(2)을 갖는 반도체 소자로 부터 상기 은접착제를 제거하는 방법에 있어서, 상기 고온 초전도박막 (3)상에 고온 초전도 박막보다 더 두껍게 보호막(4)을 증착시키는 공정과; 상기 은접착제(3)상에 염산을 면봉에 묻혀 도포한 후, 청산가리 용액(6)을 묻힌 면봉으로 상기 은접착제(3)를 식각하여 상기 산화물 단결정기판(1)의 뒷면에 금속박막(6)을 증착시키는 공정과; 상기 고온 초전도 박막(3)상의 보호막(4)을 초음파세척기를 이용하여 제거하는 공정을 포함하는 고온 초전도 박막공정중 은접착제를 제거하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 은접착제(3)상에 염산을 도포하는 공정에서 약5∼10%의 염산용액을 바른 후 약 1분 동안 방치하는 것을 특징으로 고온 초전도 박막공정중 은접착제를 제거하는 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 보호막(4)은 유기물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도 박막공정중 은접착제를 제거하는 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 유기물질은 포토레지스트나 PMMA등을 사용하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도 박막공정중 은접착제를 제거하는 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.