KR970011141B1 - 고온 초전도 박막 제조 공정중 은 접착제를 제거하는 방법 - Google Patents

Abstract

내용없음.

Description

고온 초전도 박막 제조 공정중 은 접착제를 제거하는 방법

제1도 내지 제4도는 본 발명에 따른 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 유전체 단결정기판 2 : 고온 초전도 박막

3 : 은 접착제 4 : 보호막

5 : 금속 박막 6 : 도포한 산 용액(KCN)

본 발명은 고온 초전도 박막 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는, 고온 초전도 박막 제조 방법 중에서 기판 홀더에 산화물 기판을 평탄하게 부착하기 위하여 은 접착제를 사용한 다음 상기 산화물 기판 뒷면을 평탄하게 한 후, 우수한 접지 평면이 증착되도록 상기 은 접착제를 완전히 식각하는 공정에 관한 것이다.

본 발명은 10GHz이상의 고주파 대역을 활용하게 될 이동 통신 및 위성통신용 시스템에 사용될 수 있고, 특히 표면 저항이 매우 적기 때문에 우수한 고온 초전도 고주파 부품을 개발할 수 있다.

고주파 응용을 위한 고온 초전도 박막으로는, YBa₂Cu₃O₇-δ/MgO, YBa₂Cu₃O₇-δ/LaAlO₃등이 필수적이며 이러한 양질의 고온 초전도 박막은 엑시머 레이저(exicimer laser)를 이용한 펄스 레이저 증착법(PLD : Pulse Laser Deposition)으로 성장시켜 제조된다.

이때 사용하는 박막 제조용 양질의 기판은 산화물 단결정 기판으로 예를 들면, MgO, LaALO₃, NdGaO₃등이 있으며 본 발명에서는 MgO를 사용하였다.

단결정 기판의 제조 온도는 700℃∼800℃이며, 기판은 증착 챔버내에 장착된 저항성의 기판 히터의 평탄면에 수평으로 부착된다.

부착용 매개 물질인 접착제는 고온용 은 접착제를 많이 사용하고 있다. 따라서 은 접착제를 사용하여 고온 초전도 박막 제조 공정을 끝내고, 설계한 고주파 회로 패턴을 고온 초전도 박막 위에 형상화하고, 특히 고주파 부품으로 완성시키기 위해서는 은 접착제를 제거하고 산화물 기판과 은 입자에 의한 결함을 제거해야 한다.

따라서 본 발명에서는 산화물 기판 뒷면에 접지 평면용 금속 박막, 예로써 크롬(Cr), 금(Au), 구리(Cu) 등을 증착하기 전 단계인 은 접착제를 완전하게 산화물 기판으로부터 없애는 식각 방법을 다루었다.

다음은 첨부한 도면에 의거하여 본 발명에 관하여 상세하게 설명한다.

고온 초전도 박막을 제조하기 위하여, 먼저, 전자 사이클로 트론공명(ECR : Electron Cyclotron Resonance) 식각장치를 이용하여 표면 평탄화를 마친 고주파용 산화물 단결정 기판(1)을 형성한다.

산화물 단결정 기판(1)은 MgO(산화마그네슘)을 사용하였으며, 증착한 고온 초전도체와는 화학적, 물리적, 재료 공학적 측면에서 우수한 정합을 보여주는 소재들이다.

따라서 소재의 표면 상태에 따라 고주파 수동 소자의 특성은 상당한 영향을 받게 된다. 특히, 접지 평면(5)의 균일도 및 평활도는 삽입 손실(insertion loss) 또는 잡음 등과도 연관이 있으므로 표면의 비결함과 평탄정도가 소자의 특성을 좌우하는 중요한 요인이 된다.

상기 산화물 단결정 기판(1)상에 고온 증착 온도(약 750℃)에 의해 박막(2)을 성장시켜야 하므로 단결정기판(1)이 거칠어진다.

또한, 산화물 단결정 기판(1)과 기판 홀더(1)(히터가 장착된 : 도시되지 않음) 사이의 열전도를 좋게하고, 산화물 단결정 기판(1)을 고정시키기 위하여, 제1도에 도시된 바와 같이, 은 접착제(3)를 사용한다.

다시 말하면, 상기 은 접착제(3)는 고온 초전도 박막(2)이 고온에서 성장되므로 실온에서는 끈적끈적한 액체 상태를 유지하지만 고온(약 800℃)이 되면 산화물 단결정 기판(1)의 이면과 기판 홀더 사이에 반응하여 매우 딱딱한 형태의 고체가 되는 고형화를 거쳐 산화물 단결정 기판(1)을 기판 홀더에 잘 부착시킨다.

제2도는 습식식각 공정이나 소자 제조 공정 중에 고온 초전도 박막(2)상에 마이크로파 소자를 형상화(patterning)할 때, 변형, 열화, 훼손되는 것을 보호하고, 포토리소그래픽 공정을 행하기 위하여 유기물인 포토레지스트나 또는 포지티브 전자레지스트의 일종인 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA : polymethyl methacry late)를 사용하여 보호막(4)을 상기 고온 초전도 박막(2)상에 도포하고(spin coating), 노광하여 소자패턴을 형성하는 공정을 나타낸 단면도이다.

이때 증착시켜 형성된 상기 보호막(4)의 두께는 고온 초전도 박막(2)보다 두껍게 형성한다.

상기 보호막(4)을 형성한 후, 고주파 소자의 마이크로 스트립선로(microstrip line)에서의 필드 분포를 좋게하고, 전류의 누설을 최대한으로 방지하기 위하여 기판의 뒷면에 접지 평면(ground plane)인 금속 박막(5)을 증착시킨다.

상기 금속 박막(5)으로는, 금, 크롬, 구리 등이 있고, 상기 은 접착제(3)를 식각하여 제거하는 공정은 상기 금속 박막(5)을 증착시키기 전에 행한다.

우선, 면봉에 염산(HCL)을 묻혀 상기 은 접착제(3)상에 약하게 바른다. 상기 은 접착제(3)는 고형화된 은 접착제(3)이므로 일반적인 산(염산, 황산, 인산)에 거의 용해가 되지 않으며, 또한 청산가리(KCN)용액에도 잘 용해되지 않는다.

그래서 염산을 도포하는 경우, 묽은 염산도 상기 염산과 동일한 효과를 나타내므로 약 5%∼10%의 염산 용액을 바르거나 또는 염산에 인산을 묽게 희석시킨 뒤, 상기 혼합산을 제3도에서와 같이, 상기 은 접착제(3)상에 바르고 충분히 상기 혼합산이 상기 은 접착제(3)와 반응하도록 약 1분정도 방치한다. 1분 정도 방치한 후, 상기 청산가리(KCN)용액을 면봉에 묻혀 상기 은 접착제(3)를 닦아내어 식각하면 박리처럼 떨어지게 된다.

이때 주의할 점은 청산가리(KCN)와 염산(HCL)의 반응에 의한 혼합된 독가스(HCN)가 발생하므로 반드시 배기가 잘되는 화학 후드 안에서 작업을 해야한다.

그리고 상기 은 접착제(3)를 식각한 후에는 이온이 제거된 물인 디 아이 워터(DI water : 희석 수)로 여러번 세척하여 잔류하는 산을 제거한다.

상기 고온 초전도 박막형 수동 소자를 제작하기 위한 상기 접지 평면(5)을 증착시키기 위하여 은 접착제(3)를 식각하는 또는 하나의 식각 공정으로 산화물 단결정 기판(1)의 뒷면을 모래 종이(sand paper)로 폴리슁(polishing)을 하거나, 예리한 칼을 사용하여 상기 은 접착제(3)를 벗기는 방법이 있지만, 상기 산화물 단결정 기판(1)의 뒷면을 손상시키고 심지어는 초전도 박막(2)의 표면을 훼손시킬 수도 있다.

이상과 같이 은 접착제(3)의 식각공정이 끝나면 상기 초전도 박막(2)상의 포토레지스트는 약 3분간(약 100℃ 정도에서 가열) 초음파 세척기와 현상액(MT318 Developer)을 이용하여 제거하고 건조시키면 제4도와 같이 특성이 좋은 초전도 고주파 소자를 만들 수 있는 박막과 깨끗한 접지 평면(5)을 얻게 된다.

특히, 금속 공진기와는 달리 고온 초전도를 이용할 경우, 양호도(Q-factor)가 10000 이상 되므로 높은 Q값을 유지될 수 있도록 접지 평면의 표면 거칠기를 수십 nm 이하로 하여야 한다.

상기와 같이 제작된 소자의 고주파 공명 특성이나 손실 특성의 측정은 벡터 통신망 분석기(Vector Network Analyzer : HP 8510B)를 사용하여 얻을 수 있다.

이상과 같이 기술한 바에 따라서, 본 발명에 의해 제작되는 고온 초전도 박막형 고주파 소자는 종래의 금속 공진기보다 양호도가 50∼100배 이상의 좋은 성능(액체 질소 온도에서)을 기대할 수 있으며, 본 발명을 응용한 통신용 송·수신용 시스템을 구현할 경우, 대용량의 정보를 특정 고주파 영역의 협대역에서 보다 깨끗하고 잡음없는 통신이 가능하다.

다시 말하면, 고온 초전도 박막을 이용한 고주파 소자의 개발 영역을 확대하고, 신호대 잡음비와 크기, 무게 및 성능 면에서 기존의 서브시스템보다 훨씬 소형이고 고성능을 발휘하므로, 정보, 통신 산업의 발달속도를 가속시킬 것으로 생각할 수 있다.

또한 차세대를 겨냥한 고성능 하이브리드 단결정으로 된 마이크로 웨이브 집적회로(MMIC : Monolithic Microwave IC), 전파 통신 부품 개발에도 큰 영향을 미칠 것으로 기대된다.

Claims (4)

1. 은 접착제(3)에 의해 기판 홀더에 부착되고, 산화물 단결정 기판(1)과 고온 초전도 박막(2)을 갖는 반도체 소자로부터 상기 은 접착제를 제거하는 방법에 있어서, 상기 고온 초전도 박막(3)상에 고온 초전도 박막보다 더 두껍게 보호막(4)을 증착시키는 공정과, 상기 은 접착제(3)상에 염산을 면봉에 묻혀 도포한 후, 청산가리 용액(6)을 묻힌 면봉으로 상기 은 접착제(3)를 식각하여 상기 산화물 단결정 기판(1)의 뒷면에 금속 박막(6)을 증착시키는 공정과, 상기 고온 초전도 박막(3)상의 보호막(4)을 초음파 세척기를 이용하여 제거하는 공정을 포함하는 고온 초전도 박막 공정중 은 접착제를 제거하는 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 은 접착제(3)상에 염산을 도포하는 공정에서 약 5∼10%의 염산 용액을 바른 후 약 1분 동안 방치하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도 박막 공정중 은 접착제를 제거하는 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 보호막(4)은 유기 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도 박막 공정중 은 접착제를 제거하는 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 유기물질은 포토레지스트 또는 PMMA(폴리메틸 메타크릴레이트)를 사용하는 것을 특징으로 하는 고온 초전도 박막 공정중 은 접착제를 제거하는 방법.