KR950012774A - 전하전송장치의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전하전송장치에 관한 것으로, 고체촬상장치 및 신호지연장치등의 동작속도를 향상시키고 제조공정을 단순화하기 위한 전하전송장치를 실현하기 위한 것이다.

본 발명은 제1도전형 실리콘기판(1)에 제2도전형 영역(2)을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형 영역(2)상에 제1실리콘산화막(3)과 제1다결정실리콘층(4)을 차례로 형성하는 공정, 상기 제1다결정실리콘층을 소정패턴을 패터닝하여 (4)을 형성하는 공정, 노출된 제1실리콘산화막을 제거하는 공정, 결과물 전면에 제2실리콘산화막(5)을 형성하는 공정, 상기 제2실리콘산화막(5)상에 제2다결정실리콘층(6)을 형성하는 공정, 상기 제2다결정실리콘층(6) 전표면에 평탄화층(7)을 형성하는 공정, 상기 평탄화층(7)을 에치백하여 상기 제2다결정실리콘층을 표면에 노출시키는 공정, 상기 노출된 부분의 제2다결정실리콘층을 식각하여 제2전송전극(6)을 형성하는 공정, 상기 평탄화층을 제거하는 공정, 및 상기 제1및 제2전송전극(4,6) 표면에 제3실리콘산화막(8)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전하전송장치의 제조방법을 제공한다.

Description

전하전송장치의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명의 제1실시예에 의한 전하전송장치의 제조방법을 도시한 공정순서도,

제4도는 본 발명의 제2실시예에 의한 전하전송장치의 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (2)

1. 제1도전형 실리콘기판(1)에 제2도전형 영역(2)을 형성하는 공정과, 상기 제2도전형 영역(2)상에 제1실리콘산화막(3)과 제1다결정실리콘층(4)을 차례로 형성하는 공정, 상기 제1다결정실리콘층을 소정패턴으로 패터닝하여 제1전송적(4)을 형성하는 공정, 노출된 제1실리콘산화막을 제거하는 공정, 결과물 전면에 제2실리콘산화막(5)을 형성하는 공정, 상기 제2실리콘산화막(5)상에 제2다결정실리콘층(6)을 형성하는 공정, 상기 제2다결정실리콘층(6) 전표면에 평탄화층(7)을 형성하는 공정, 상기 평탄화층(7)을 에치백하여 상기 제2다결정실리콘층을 표면에 노출시키는 공정, 상기 노출된 부분의 제2다결정실리콘층을 식각하여 제2전송전극(6)을 형성하는 공정, 상기 평탄화층을 제거하는 공정, 및 상기 제1및 제2전송전극(4,6) 표면에 제3실리콘산화막(8)을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전하전송장치의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2실리콘산화막(5)을 형성하는 공정전 또는 공정후에 상기 형성된 제1전송전극(4)을 마스크로 하여 제1도전형의 불순물을 이온주입하여 제1전송전극(4)에 자기정렬되는 제1도전형 이온주입영역(9)을 상기 제2도전형 영역(2)에 형성하는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 전하전송장치의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.