KR950012665A - 고양된 온도에서의 반도체 장치의 급속 테스팅 장치 및 방법 - Google Patents

고양된 온도에서의 반도체 장치의 급속 테스팅 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

고양된 온도에서 전기적 테스트 및 스트웨스를 수행하고 이어서 주변온도로 급속하게 냉각시키기 위한 반도체 웨이퍼의 온도를 급속하게 변경 시키는 장치 및 방법. 장치는 전기적 측정을 수행하도록 웨이퍼와 접촉 할 수 있는 하나 또는 그 이상의 프로브 침(22)을 포함하며, 웨이퍼를 지지할 수 있으며 급속 열처리(RTP) 조명기(20) (램프들, 바람직하게는 할로겐)들의 위쪽으로 장치되는 웨이퍼 지지체(17)로 구성된다 반도체 웨이퍼 (16)는 반도체 지지체 (17) 위로 두어지며 그 아래에 위 치된 상기 RTP 조명기 (20)는 활성화되어, 웨이퍼의 온도를 요구되는 온도로 급속히 상승시킨다. 전기적 테스트들은 프로세스중에 요구되는 대로 수행 될 수 있다.

Description

고양된 온도에서의 반도체 장치의 급속 테스트 장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도 각각은 양호한 실시예의 정면도,
제3도 내지 제6도는 다른 실시예를 도시한 도면.

Claims (15)

  1. 반도체 웨이퍼를 테스트하는 장치에 있어서, (a) 웨이퍼 지지체, (b) 상기 웨이퍼 지지체, 상기 웨이퍼, 또는 그 모두를 조명하도록 장착된 하나 또는 그 이상의 급속 열처리 조명기, 및 (c) 상기 웨이퍼와 접촉하는 두개 또는 그 이상의 프로브 침을 포함하여, 전기적 측정을 할 수 있도록 상기 웨이퍼는 급속하게 가열 및 냉각될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테스트장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체내에 위치한 써모커플을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제이퍼 테스트 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼와 웨이퍼 지지체에 배치되는 프로브 스테이션 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테스트장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지제는 중간에 개구를 갖는 링으로 구성되며, 상기 링은 웨이퍼의 엣지들을 고정시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테스트 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 투명물질로 구성된 중심부를 갖는 링으로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 테스트장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지체는 방사전이 상기 윈도우를 통해 반사되어 상기 웨이퍼에 도달되게 해주는 투명 윈도우로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 지지제는 열전도 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 테스트 장치.
  8. 반도체 웨이퍼- 데스트 하는 장치에 있어서, (a) 저열 매스(mass), 열전도 서셉터를 이용하는 웨이퍼용 웨이퍼 지지체, (b) 윈도우를 통하여 방사전을 통과시켜 상기 웨이퍼에 도달시키도록 하며, 상기 서셉터 아래에 장착되는 투명 윈도우, (c) 상기 윈도우 아래에 장치되는 하나 또는 그 이상의 급속 열처리 조명기, 및 (d) 상기 웨이퍼와 접촉하는 두개 또는 그 이상의 프로브 침을 조함하여, 전기적 측정을 할 수 있도록 상기 웨이퍼가 급속하게 가열 및 냉각될 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테스트 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼 가까이에 위치한 써모커플을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체웨이퍼 테스트 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼, 서셉터 및 윈도우 위에 배치되는 프로브 스체이션 커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테스트 장치.
  11. 제8항에 있어서, 각 웨이퍼는 실제로 상기 윈도우로부터 열적으로 절연됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 테스트 장치.
  12. 전기적 테스트를 수행하는 반도체 웨이퍼의 온도를 급속하게 변경시키는 방법에 있어서,(a)웨이퍼 지지체상에 상기 웨이퍼를 장착하는 단계, (b) 하나 또는 그 이상의 급속열처리 조명 기에 의한 방사전으로 상기 웨이퍼를 직접 또는 간접적으로 가열하는 단계, 및 (c) 두개 또는 그 이상의 프로브 침들로 상기 웨이퍼에 접쪽시키는 단계를 포함하여, (상기 웨이퍼외· 열접촉하는 큰 열적 매스 물질없이) 전기적 측정을 할 수 있도록 상기 웨이퍼가 급속하게 가열 및 냉각될 수 있는 것을 특징으로 하는 전기적 테스트를 수행하는 반도체 웨이퍼 온도의 급속 변경 방법.
  13. 제12항에 있어서 상기 웨이퍼 가까이에 써모커플을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 테스트를 수행하늘 반도체 웨이퍼 온도의 급속 변경 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 웨이퍼와 웨이퍼 지지체를 프로브 스테이션 커버로 덮는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기적 테스트를 수행하는 반도체 웨이퍼 온도의 급속 변경 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 조명기로부터의 상기 방사전은 직접적으로 열전도 서셉터에 열을 가하고, 이것에 의하여 저열 매스 서셉터는 상기 웨이퍼를 가열하여 방사전은 간접적으로 웨이퍼를 가열하는 것을 특징으로 하는 전기적 테스트를 수행하는 반도체P 웨이퍼 온도의 급속 변경 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476211A (en) * 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5829128A (en) 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5773989A (en) * 1995-07-14 1998-06-30 University Of South Florida Measurement of the mobile ion concentration in the oxide layer of a semiconductor wafer
US5872632A (en) * 1996-02-02 1999-02-16 Moore Epitaxial, Inc. Cluster tool layer thickness measurement apparatus
US6037797A (en) * 1997-07-11 2000-03-14 Semiconductor Diagnostics, Inc. Measurement of the interface trap charge in an oxide semiconductor layer interface
US5977788A (en) * 1997-07-11 1999-11-02 Lagowski; Jacek Elevated temperature measurement of the minority carrier lifetime in the depletion layer of a semiconductor wafer
US6072163A (en) * 1998-03-05 2000-06-06 Fsi International Inc. Combination bake/chill apparatus incorporating low thermal mass, thermally conductive bakeplate
US6188044B1 (en) 1998-04-27 2001-02-13 Cvc Products, Inc. High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications
US6114865A (en) * 1999-04-21 2000-09-05 Semiconductor Diagnostics, Inc. Device for electrically contacting a floating semiconductor wafer having an insulating film
US6546820B1 (en) * 2000-02-11 2003-04-15 Ann F. Koo Method and apparatus for multifunction vacuum/nonvacuum annealing system
US6569249B1 (en) 2000-04-18 2003-05-27 Clemson University Process for forming layers on substrates
US6856849B2 (en) * 2000-12-06 2005-02-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method for adjusting rapid thermal processing (RTP) recipe setpoints based on wafer electrical test (WET) parameters
US6529686B2 (en) 2001-06-06 2003-03-04 Fsi International, Inc. Heating member for combination heating and chilling apparatus, and methods
US6604853B2 (en) * 2001-10-11 2003-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Accelerated thermal stress cycle test
KR100479846B1 (ko) * 2002-03-20 2005-03-30 학교법인 포항공과대학교 탐침형 깊은 준위 과도 전기 용량 분광기
KR100512005B1 (ko) * 2002-11-28 2005-09-02 삼성전자주식회사 이온주입된 웨이퍼의 오염 탐지 방법 및 장치
JP4321213B2 (ja) 2003-10-24 2009-08-26 ウシオ電機株式会社 加熱ユニット
CN100353516C (zh) * 2004-10-20 2007-12-05 力晶半导体股份有限公司 半导体机台
CN100414303C (zh) * 2005-08-10 2008-08-27 采钰科技股份有限公司 用于测试影像感测芯片的探针卡
KR100764038B1 (ko) * 2006-06-09 2007-10-05 한국산업기술대학교산학협력단 잡음을 감소시킨 웨이퍼 프로버 스테이션의 핫척
WO2012108882A1 (en) 2011-02-11 2012-08-16 Alliance For Sustainable Energy, Llc Wafer screening device and methods for wafer screening
WO2009148678A2 (en) * 2008-03-13 2009-12-10 Alliance For Sustainable Energy, Llc Optical cavity furnace for semiconductor wafer processing
WO2008013547A2 (en) * 2006-07-28 2008-01-31 Midwest Research Institute Screening of silicon wafers used in photovoltaics
US8251576B1 (en) 2009-05-30 2012-08-28 Mia Sole Cold lift-off test for strength of film stack subjected to thermal loading
US9412717B2 (en) 2011-11-04 2016-08-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and methods for molded underfills in flip chip packaging
US10295591B2 (en) * 2013-01-02 2019-05-21 Texas Instruments Incorporated Method and device for testing wafers
US11060980B2 (en) 2017-11-29 2021-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Broadband wafer defect detection
CN111495770A (zh) * 2020-04-22 2020-08-07 长沙南道电子科技有限公司 芯片检测装置
KR102532979B1 (ko) * 2021-05-17 2023-05-16 주식회사 엘앤알테크 저비용 운용이 가능한 깊은 준위 천이 분광기
KR102645106B1 (ko) * 2021-08-04 2024-03-08 연세대학교 원주산학협력단 시간에 따른 정전용량에 대한 함수를 생성하는 깊은 준위 천이 분광기 및 이를 이용한 저노이즈 정전용량 측정 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4567432A (en) * 1983-06-09 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for testing integrated circuits
US4832779A (en) * 1987-07-16 1989-05-23 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
US4818327A (en) * 1987-07-16 1989-04-04 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus
US4830700A (en) * 1987-07-16 1989-05-16 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US4879259A (en) * 1987-09-28 1989-11-07 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junion University Rapid thermal annealing of gallium arsenide with trimethyl arsenic overpressure
US4891499A (en) * 1988-09-09 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for real-time wafer temperature uniformity control and slip-free heating in lamp heated single-wafer rapid thermal processing systems
US4868490A (en) * 1988-09-14 1989-09-19 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for sheet resistance measurement of a wafer during a fabrication process
US4962355A (en) * 1988-10-27 1990-10-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Thermal test chamber device
US5049816A (en) * 1990-05-31 1991-09-17 Texas Instruments Incorporated Semiconductor substrate minority carrier lifetime measurements
CA2073886A1 (en) * 1991-07-19 1993-01-20 Tatsuya Hashinaga Burn-in apparatus and method
US5318361A (en) * 1993-06-01 1994-06-07 Bell Communications Research, Inc. Rapid temperature cycling for accelerated stress testing

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Publication number Publication date
KR100315605B1 (ko) 2002-02-19
US5410162A (en) 1995-04-25
JPH07240447A (ja) 1995-09-12
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