KR950011729B1 - 반도체메모리의 리던던시시그니처 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

반도체메모리의 리던던시시그니처

제1도는 본 발명에 따른 리던던시시그니처의 1실시예의 회로도.

제2도는 제1도의 리던던시시그니처와 함께 마스크 ROM으로 사용하기에 알맞는 리던던시회로의 일예를 나타낸 회로도.

제3도는 본 발명의 다른 실시예의 회로도.

제4도는 종래의 리던던시시그니처의 회로도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

17 : 어드레스입력패드 19 : 전원단자

21, 23, 27, 31, 33 : 트랜지스터 25 : 휴즈

35 : 게이트전압인가패드

[산업상의 이용분야]

본 발명은 일반적으로 리던던시회로를 사용한 반도체 메모리에 관한 것으로, 특히 리던던시시그니처(redundancy signature)에 관한 것이다.

[종래의 기술 및 문제점]

메모리의 수율을 높이기 위해 리던던시회로에 의한 불량구제기술이 종래부터 사용되어 왔다. 이 경우, 칩이 리던던시회로에 의해 구제된 것인지 아닌지를 칩외부에서는 판별할 수 없다. 이것을 판별할 수 있도록 하기 위해 종래부터 리던던시시그니처가 사용되어 왔다. 제4도에 그 회로도를 나타낸다.

제4도에 있어서, 리던던시회로를 사용하고 있는 칩에서도 레이저로 휴즈(1)를 절단하게 되고, 리던던시를 사용하고 있지 않은 칩에서는 휴즈(1)는 그대로이다. 여기서, 전원전위(Vcc)를 0V로 하고 어드레스입력(Ao)을 H레벨로 하면, 휴즈(1)가 남아 있으면 어드레스입력패드(3)로부터 전원단자(5)로 전류가 흐르고, 휴즈(1)가 절단되어 있으면 전류는 흐르지 않게 된다. 이와 같이 하여 리던던시회로의 사용여부를 칩외부에서 판별할 수가 있다.

마스크 ROM에 설치되는 리던던시회로에서는 스패어(예비)디코더뿐만 아니라 스패어(예비)셀에도 데이터를 기록하지 않으면 안되기 때문에 레이저에 의한 프로그램은 비현실적인 바, 이것을 해결하기 위해 전기적으로 기록이 가능한 메모리가 고안되고 있다. 이 경우, 리던던시시그니처만이 종래의 레이저절단방식에서는, 레이저절단은 웨이퍼테스트와 동시에 행할 수 없기 때문에 웨이퍼테스트의 효율이 나빠진다.

[발명의 목적]

본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 리던던시시그니처의 휴즈를 전기적으로 프로그램할 수 있는 반도체메모리의 리던던시시그니처를 제공함에 그 목적이 있다.

[발명의 구성]

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체메모리의 리던던시시그니처는, 리던던시회로를 탑재한 반도체메모리에서 상기 리던던시회로의 사용여부를 휴즈의 용단(溶斷)·비용단(非溶斷)의 상태에 따라 표시하는 리던던시시그니처에 있어서, 휴즈에 직렬접속된 트랜지스터와, 이 트랜지스터의 게이트에 접속되고, 이 트랜지스터의 제어전압이 인가되는 제1패드 및, 휴즈와 트랜지스터의 직렬접속체에 직렬접속되고, 휴즈를 용단하기 위한 고전압이 인가되는 제2패드를 갖추고서, 제2패드에 고전압을 인가한 상태에서 트랜지스터에 스냅백(snap back)동작을 이용하여 휴즈의 용단을 행하도록 된 것을 특징으로 한다.

[작용]

상기와 같이 구성된 본 발명의 리던던시시그니처에서는 제2패드에 고전압을 걸고, 제1패드로의 제어전압을 선택함으로써 휴즈에 직렬접속된 트랜지스터에 스냅백동작을 시키며, 그에 따라 휴즈에 전류가 흘러 휴즈가 용단되게 된다.

[실시예]

이하, 도면을 참조해서 본 발명을 상세히 설명한다.

제1도에 본 발명에 따른 리던던시시그니처의 1실시예를 나타낸다. 이 리던던시시그니처와 함께 마스크 ROM칩에 탑재되기에 알맞는 리던던시회로(스패어메모리)의 일예를 참고로 제2도에 나타낸다.

제2도의 회로에서는 메모리셀이 기록전용트랜지스터(7)와 독출전용트랜지스터(9) 및 휴즈(11)로 구성된다. 프로그램시에는 고전압인가패드(13)에 고전압을 인가함과 더불어 기록디코더(15)에 의해 기록전용트랜지스터(7)를 선택함으로써, 이 기록전용트랜지스터(7)에 스냅백동작을 시켜 휴즈를 용단한다. 이와 같은 동작원리를 기초로 하여 제1도의 리던던시그니처도 구성된다.

제1도에 있어서, 어드레스입력패드(17)와 전원단자(19)의 사이에 각 게이트와 드레인이 접속된 2개의 트랜지스터(21, 23)와 휴즈(25) 및 게이트가 어드레스입력패드(17)에 접속된 트랜지스터(27)가 차례로 직렬로 접속되어 있다. 더욱이, 휴즈(25)의 트랜지스터(23)와 접속노드(A)에는 고전압인가패드(29) 및 게이트와 드레인이 전원에 접속된 트랜지스터 (31)가 접속되어 있다. 리던던시회로를 사용하고 있는 칩에서는 제1도의 휴즈(25)가 전기적으로 절단된다. 그 동작은 다음과 같다. 우선, 전원전위(Vcc)를 0V로 하여 어드레스 입력(Ao)을 H레벨로 한다. 다음으로 고전압인가패드(29)에 약 10V의 고전압을 걸어서 트랜지스터(27)를 스냅백 동작시켜 휴즈를 용단한다.

통상의 동작시에는 고전압인가패드(29)는 오픈상태로 한다.

이 상태에서 노드(A)가 플로우팅되는 것을 방지하기 위해 트랜지스터(31)를 통하여 노드(A)를 Vcc-V_THN까지 충전시키도록 하고 있다. 한편, 휴즈용단시에는 Vcc가 0V이기 때문에 트랜지스터(31)는 OFF상태로 되어 용단동작에는 영향을 미치지 않게 된다.

리던던시회로의 사용여부는 전원전위(Vcc)를 0V로 하고, 어드레스입력(Ao)을 H레벨로 한 다음 어드레스입력패드(17)로부터 단자(19)로 전류가 흐르는가의 여부에 따라 체크할 수가 있다.

이와 같이 하여 종래부터 실시되고 있는 레이저휴즈에 의한 리던던시시그니처와 똑같은 기능을 전기적으로 프로그램가능한 휴즈를 사용하여 실현할 수 있게 된다.

제3도에 본 발명의 다른 실시예를 나타낸다. 제3도의 것은 고전압인가패드(29)로부터 트랜지스터(33), 휴즈(25)를 경유하여 전류를 흐르게 함으로써 휴즈(25)를 절단하는 것이다. 휴즈(25)를 절단할 것인가 절단하지 않을 것인가의 선택은 게이트전압인가패드(35)로의 인가전압에 의해 이루어진다.

한편, 본원 청구범위의 각 구성요소에 병기한 도면참조부호는 본원 발명의 이해를 용이하게 한 것으로, 본원 발명의 기술적 범위를 도면에 도시한 실시예로 한정할 의도로 병기한 것은 아니다.

[발명의 효과]

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 리던던시회로의 사용여부를 전기적으로 프로그램가능한 휴즈를 사용하여 실현할 수 있게 된다.

Claims (1)

1. 리던던시회로를 탑재한 반도체메모리에서 상기 리던던시회로의 사용여부를 휴즈(25)의 용단·비용단의 상태에 따라 표시하는 리던던시시그니처에 있어서, 상기 휴즈(25)에 직렬로 접속된 트랜지스터(27)와, 이 트랜지스터(27)의 게이트에 접속되고, 이 트랜지스터(27)의 제어전압이 인가되는 제1패드(17) 및, 상기 휴즈(25)와 트랜지스터(27)의 직렬접속체에 직렬로 접속되고, 상기 휴즈(25)를 용단하기 위한 고전압이 인가되는 제2패드(29)를 갖추고서, 상기 제2패드(29)에 고전압을 인가한 상태에서 상기 트랜지스터(27)에 스냅백동작을 이용하여 상기 휴즈(25)의 용단을 행하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체메모리의 리던던시시그니처.