KR950009228A - 초전형 적외선센서 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 초전체에 의해 광범위하게 적외선을 검출하는 초전형 적외선센서에 관한 것으로서, 외부렌즈를 사용하지 않고, 소형으로 하는 동시에, 적외선의 검지감도를 향상하는 것을 목적으로 한것이며, 그 구성에 있어서, 개구부를 가진 밀봉캔(밀봉체)(2)의 내부에 적외선을 검지하는 초전체(1)를 형성하고, 상기 밀봉캔(2)의 개구부에 적외선입사필터(3)를 설치한다. 상기 초전체(1)에 적외선을 집광 또는 결상시키는 회절광학렌즈(회절광학소자)(4)를 상기 적외선입사필터(3)의 표면 또는 이면에 설치한 것을 특징으로한 것이다.

Description

초전형 적외선센서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 초전형 적외센서의 단면도,
제2도는 동 초전형 적외선센서의 회절광학소자의 확대단면도,
제3도는 동 초전형적외선센서의 회절광학소자의 광학조정시의 동작을 설명하는 사시도,
제4도는 본 발명의 제2실시예의 초전형적외선센서의 회절광학소자의 평면도.

Claims (24)

  1. 개구부를 가진 밀봉체와, 상기 밀봉체의 내부에 형성한 적외선을 검지하는 초전체와, 상기 밀봉체의 개구부에 형성한 적외선입사필터와, 상기 적외선입사필터의 표면 또는 이면에 형성한 상기 초전체에 상기 적외선을 집광 또는 결상시키는 회절 광학소자를 가진 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  2. 제1항에 있어서, 회절광학소자는, 렌즈의 위상변조량에 따른 오목볼록을 가지고, 상기 오목볼록의 홈의 깊이는 상기 회절광학소자 전체영역에서 일정하고, 상기오목볼록의 형상은 입사적외선의 파장에 의존하도록 구성한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  3. 제1항에 있어서, 회절광학소자는, 렌즈의 위상변조량에 따른 오목볼록을 가지고, 상기 오목볼록의 형상은 계단형상인 동시에, 상기 오목볼록의 홈의 깊이는, 계단의 단수를 m, 주입사적외선의 파장을 λ, 적외선입사필터의 굴절률을 n이라고 할 때, (m-1)/m×λ/(n-1)로 한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  4. 제1항에 있어서, 회절광학소자는 렌즈의 위상변조량에 따른 오목볼록을 가지고, 상기 오목볼록은 에치에 의해서 직사각형 형상으로 형상한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  5. 제1항에 있어서, 회절광학소자의 표면 또는 이면에, 무반사간섭막을 가진 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  6. 제1항에 있어서, 적외선입사필터는, 회절광학소자를 형성한 면과 반대의 면에, 특정파장영역에 있어서 투과하는 간섭막필터를 가진 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  7. 제1항에 있어서, 적외선입사필터와 회절광학소자를 동일 물질에 의해 구성하고, 상기 물질은 굴절률이 3이상이고, 적어도 실리콘 또는 게르마늄을 함유하거나, 혹은 갈륨 또는 인듐의 적어도 한쪽과, 비소 또는 인의 적어도 한쪽을 함유하는 것으로 한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  8. 제7항에 있어서, 적외선입사필터와 회절광학소자를 구성하는 물질은, 실리콘, 게르마늄, 갈륨비소, 인듐인, 갈륨인의 어느 하나로 한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  9. 제1항에 있어서, 초전체는, 란탄을 함유한 티탄산납박막으로 형성한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  10. 적외선을 검지하는 초전체와, 상기 초전체를 내장하고 개구부를 가진 밀봉체와, 상기 밀봉체의 개구부에 장착한 적외선입사필터와, 상기 적외선입사필터의 표면 또는 이면에 형성한 회절광학소자어레이를 구비하고, 상기 회절광학소자어레이는 적어도 2개이상의 회절광학소자를 가지고, 이들 회절광학소자는 입사하는 적외선을 각각 상기 초전체에 집광 또는 결상하도록 구성한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  11. 제10항에 있어서, 회절광학소자는, 렌즈의 위상변조량에 따른 오목볼록을 가지고, 상기 오목볼록의 홈의 깊이는 상기 회절광학소자 전체영역에서 일정하고, 상기 오목볼록의 형상은 입사적외선의 파장에 의존하도록 구성한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  12. 제10항에 있어서, 회절광학소자는, 렌즈의 위상변조량에 따른 오목볼록을 가지고, 상기 오목볼록의 패턴형상은 타원형이고, 상기 타원형의 중심위치는 외부로 감에 따라서 타원형의 한쪽의 장축방향으로 서서히 어긋나도록 한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선 센서.
  13. 제10항에 있어서, 회절광학소자는 렌즈의 위상변조량에 따른 오목볼록을 가지고, 상기 오목볼록은 드라이에칭에 의해서 형성한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  14. 제10항에 있어서, 회절광학소자는 렌즈의 위상변조량에 따른 오목볼록을 가지고, 상기 오목볼록의 형상은, 단면이 m단의 계단형상이고, 상기 오목볼록의 홈의 최대 깊이는, 주입사적외선의 파장을λ, 적외선입사필터의 굴절률을 n이라고 할 때, (m-1)/m×λ/(n-1)로 한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  15. 제10항에 있어서, 회절광학소자는, 렌즈의 위사변조량에 따른 오목볼록을 가지고, 상기 오목볼록의 형상은, 직사각형으로 한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  16. 제10항에 있어서, 회절광학소자는 회절광학소자어레이의 외주가 됨에 따라서 면적을 크게 한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  17. 제10항에 있어서, 회절광학소자어레이는, 복수의 회절광학소자를 틈새없이 배열해서 구성한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  18. 제10항에 있어서, 복수의 회절광학소자중, 중앙부의 회절광학소자의 입사각을0°로 하고, 외주부의 회절광학소자가 됨에 따라서 입사각을 서서히 크게 한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  19. 제10항에 있어서, 적외선입사필터와 회절광학소자를 동일 물질에 의해 구성하고, 상기 물질은 굴절률이 3이상이고, 적어도 실리콘 또는 게르마늄을 함유하거나, 혹은 갈륨 또는 인듐의 적어도 한쪽과, 비소 또는 인의 적어도 한쪽을 함유하는 것으로 한 것을 특징으로하는 초전형 적외선센서.
  20. 제19항에 있어서, 적외선입사필터와 회절광학소자를 구성하는 물질은, 실리콘, 게르마늄, 갈륨비소, 인듐인, 갈륨인의 어느 하나로 한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  21. 제10항에 있어서, 회절광학소자의 표면 또는 이면에 무반사간섭막을 가진 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  22. 제10항에 있어서, 적외선입사필터는, 회절광학소자를 형성한 면과 반대의 면에, 특정파장영역만 투과하는 간섭막필터를 가진 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  23. 제10항에 있어서, 회절광학소자는, 초전체와 서로 향하는 적외선입사필터의 면에 형성한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
  24. 제10항에 있어서, 초전체는, 란탄을 함유한 티탄산납박막으로 형성한 것을 특징으로 하는 초전형 적외선센서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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