KR950007921B1 - 피라졸 설포닐이소시아네이트 유도체의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 발명은 피라졸 설포닐 우레아계 제초제의 중간체로 유용한 하기 일반식(I)로 표시되는 피라졸 설포닐이소시아네이트 유도체의 제조방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
상기식에서, Rl은 수소원자, Cl-C8알킬기 또는 페닐기이고 R2는 수소원자, Cl-C8알킬기, 알릴기 또는 프로파길기이며, R3는 수소원자, 메틸기, 에틸기 또는 페닐기이다.
상기 일반식(1)의 화합물을 합성하는 방법이 대한민국 특허 제89-1546호 및 유럽공개특허 제87,870호에 기재되어 있다. 이들 공지의 방법에 따르면, 하기 반응식(1)에 나타낸 바와 같이 일반식(II′)의 설폰아미드화합물을 n-부틸이소시아네이트와 반응시켜 화합물(III′)를 합성하고 이를 포스겐과 반응시켜 일반식(I)의 화합물을 합성하고 있다.
[화학식 2]
[화학식 3]
상기식에서,Rl, R2및 R3는 전술한 바와 동일하다.
그러나, 상기 방법에서는 인체에 매우 유독한 포스겐을 사용하고 있고, 반응시약으로 사용되고 있는 n-부틸이소시아네이트가 상당히 고가일 뿐 아니라, 최종 수율도 저조한 편이므로 공업적인 대량 생산방법으로는 적합하지 못하다.
본 발명은 전술한 공지 방법의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 하기 일반식 (II)의 카바메이트 화합물을 용매 또는 용매 부재하에서 오염화인과 반응시킴을 특징으로 하는 하기 일반식(I)의 피라졸 설포닐이소시아네이트 유도체의 제조방법을 제공한다.
[화학식 2]
[화학식 1]
상기식에서, Rl, R2, 및 R3는 전술한 바와 동일하며, R은 C1-C8의 알킬기, 알킬에테르기, 알릴기 또는 페닐기이며, 바람직하게는 C2-C4알킬기, 특히 바람직하게는 에틸기이다.
본 발명의 방법에 따른 반응은 용매 중에서 출발물질(II) 및 오염화인을 질소대기 하에서 용매의 환류온도로 5시간 내지 24시간동안 반응시키거나, 용매없이 출발물질과 오염화인을 약 140℃로 융화시켜 출발물질(II)이 소멸될 때까지 반응시킴으로서 이루어 진다.
본 발명의 반응에서, 오염화인은 출발물질(II)에 대하여 1.5당량 이상을 사용하여 반응시킬 수 있으나, 약 1.5 내지 5당량을 사용하는 것이 적당하고, 특히 2.0당량이 가장 바람직하다. 용매는 오염화인에 대하여 불활성인 디클로로메탄, 트리클로로에탄, 1,2-디클로로에탄 등과 같은 할로겐알칸류, 벤젠 및 톨루엔, 클로로벤젠 등의 유도체를 사용하는 것이 좋으며, 특히 약 100℃ 이상의 끊는 점을 가진 벤젠유도체를 용매로 사용하는 것이 5 내지 8시간의 반응시간으로 반응을 완료할 수 있어 바람직하다.
이하 본 발명을 실시예에 의거 보다 구체적으로 설명한다.
[제조예]
N-(에톡시 카보닐)-4-에톡시 카보닐 -1-메틸피라졸-5-설폰아미드의 합성
23.32g(0.1몰)의 4-에톡시카보닐-1-메틸피라졸-5-설폰아민과 아세톤 100ml 및 16.59g(0.12몰)의 K2CO3을 플라스크에 넣고 교반시키면서 에틸클로로포르메이트 13.02g(0.12몰)을 적가한 후 질소 대기 하에서 실온으로 24시간 교반한다. 반응이 완결되면 감압하에서 아세톤을 제거하고 10% 황산용액 20ml을 반응플라스트에 투입후 에틸에테르로 반응생성물을 추출하고 마그네슘설페이트로 건조한 다음 용매를 제거하여 표제 화합물의 조생성물 29.59g을 얻었다.
이 조생성물을 다시 에탄올로 재결정하여 순수한 표제 화합물 20.20g 얻었다.
실시예
4-에톡시카보닐-1-메틸피라졸-5-설포닐이소시아네이트의 합성
상기 제조예에서 합성한 화합물 30.5g(0.1몰)과 오염화인 41.6g(0.2몰) 및 톨루엔 200m1을 플라스크에 넣고 약6시간 질소 대기하에서 환류 교반시킨 후 내부 온도를 실온으로 냉각하고 톨루렌 용매를 감압하여 제거하고 플라스크에 남아 있는 생성물질을 감압 증류하여 표제 화합물 23.8g(수율95%)을 얻었다.
Claims (3)
- 하기 일반식(II)의 카바메이트 화합물을 용매 존재 또는 용매 부재하에서 오염화인과 반응시킴을 특징으로 하는 하기 일반식(I)의 피라졸 설포닐이소시아네이트 유도체의 제조방법.상기식에서, 4는 수소원자, C1-C4알킬기 또는 페닐기이고, R2는 수소원자, C1-C4알킬기, 알릴기 또는 프로파길기이며, R3는 수소원자, 매틸기, 에틸기 또는 페닐기이며, R은 C1-C8의 알킬기, 알킬에테르기, 알릴기 또는 페닐기를 나타낸다.
- 제1항에 있어서, 용매가 벤젠, 톨루엔 또는 클로로벤젠임을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 오염화인의 사용량이 일반식(II)의 화합물에 대하여 1.5 내지 5당랑임을 특징으로하는 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019920024918A KR950007921B1 (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 피라졸 설포닐이소시아네이트 유도체의 제조방법 |
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KR1019920024918A KR950007921B1 (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 피라졸 설포닐이소시아네이트 유도체의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR940014342A KR940014342A (ko) | 1994-07-18 |
KR950007921B1 true KR950007921B1 (ko) | 1995-07-21 |
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ID=19346116
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019920024918A KR950007921B1 (ko) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 피라졸 설포닐이소시아네이트 유도체의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR950007921B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7220976B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ion source and ion implanter having the same |
-
1992
- 1992-12-21 KR KR1019920024918A patent/KR950007921B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7220976B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ion source and ion implanter having the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940014342A (ko) | 1994-07-18 |
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