KR950007039A - 전하검출소자 - Google Patents

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KR950007039A
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우야신지
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials

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Abstract

본 발명은 전하검출소자에 관한 것으로, 미소한 신호전하를 높은 감도로 검출하기 위해 매몰형의 전하감지채널과 표면형의 플로팅 표면채널이 입체적으로 교차하고, 상기 전하감지채널내의 전하량에 대응하여 상기 플로팅 표면채널의 표면전위가 변동하는 구조를 갖춘 전하검출소자에 있어서, 상기 매몰형의 전하감지채널(5) 표면에 상기 전하감지채널과 반대 도전형의 영역(6)을 갖추고 있고, 상기 플로팅 표면채널의 소오스(16) 및 드레인(17)과 상기 전하감지채널(5) 사이에 표면이 반전 가능한 매몰채널분리영역(2)을 갖추고 있으며, 상기 플로팅 표면채널과 상기 전하감지채널의 캐리어가 동일 부호의 전하인 것을 특징으로 하는 전하검출소자를 제공한다.
이에 따라 암전류 문제가 해결되고, 암전류에 기인하는 숏노이즈가 저감됨으로써 감도 높은 전하검출소자가 실현된다.

Description

전하검출소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 전하검출소자의 전하가 전송되는 방향의 소자 단면 구조도,
제2도는 제1도의 소자구조에 대응하는 실리콘 기판내의 전위분포도,
제3도는 본 발명의 전하검출소자의 전하가 전송되는 방향과 수직한 방향의 소자 단면구조도.

Claims (1)

  1. 매몰형의 전하감지채널과 표면형의 플로팅 표면채널이 입체적으로 교차하고, 상기 전하감지채널내의 전하량에 대응하여 상기 플로팅 표면채널의 표면전위가 변동하는 구조를 갖춘 전하검출소자에 있어서, 상기 매몰형의 전하감지채널(5) 표면에 상기 전하감지채널과 반대 도전형의 영역(6)을 갖추고 있고, 상기 플로팅 표면채널의 소오스(16) 및 드레인(17)과 상기 전하감지채널(5) 사이에 표면이 반전 가능한 매몰채널분리영역(2)을 갖추고 있으며, 상기 플로팅 표면채널과 상기 전하감지채널의 캐리어가 동일 부호의 전하인 것을 특징으로 하는 전하검출소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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