KR950006988A - 반도체 소자의 콘택홀 매립방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 매립방법 Download PDF

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KR950006988A
KR950006988A KR1019930016495A KR930016495A KR950006988A KR 950006988 A KR950006988 A KR 950006988A KR 1019930016495 A KR1019930016495 A KR 1019930016495A KR 930016495 A KR930016495 A KR 930016495A KR 950006988 A KR950006988 A KR 950006988A
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권성수
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 매립방법에 관한 것으로, 특히 콘택홀 알루미늄 스퍼터한 후 마스크를 사용하여 콘택홀 외주면의 알루미늄을 제거하고 RAT(Rapid Thermal Annealing)공정에 의해 액화된 알루미늄으로 콘택홀을 1차적으로 매립한 다음 2차적으로 알루미늄을 스퍼터한 후 메탈라인을 형성하는 반도체 소자의 콘택홀 매립방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 매립방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 2C 도는 본 발명에 따라 반도체 소자의 콘택홀을 매립하는 단계를 나타내는 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 콘택홀 매립방법에 있어서, 기판(1)상에 N+또는 P+영역(2)을 형성한 후 옥사이드 영역(5)을 형성하고 노광 및 마스크 공정에 의해 콘택홀(9)을 형성한 다음 TiN/Ti영역(3)을 형성하고 알루미늄 스퍼터링 공정에 의해 상기 콘택홀(9)에 알루미늄을 스퍼터하고 마스크를 사용하여 상기 TiN/Ti영역(3)상부의 콘택홀(9)외주면에 존재하는 알루미늄을 제거하여 제1알루미늄 영역(6)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 RTA공에의해 상기 콘택홀(9)에 알루미늄을 다시 스퍼터한 후 메탈라인 공정을 실시하여 제3알루미늄 영역(8)이 형성되는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 배립방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100501460B1 (ko) * 1996-07-12 2005-09-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이온화된금속으로부터증착된접착층을사용한반도체구조물내의홀충전방법

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KR100501460B1 (ko) * 1996-07-12 2005-09-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이온화된금속으로부터증착된접착층을사용한반도체구조물내의홀충전방법

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