KR950006984A - 반도체소자의 콘택제조 방법 - Google Patents

반도체소자의 콘택제조 방법 Download PDF

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KR950006984A KR1019930015113A KR930015113A KR950006984A KR 950006984 A KR950006984 A KR 950006984A KR 1019930015113 A KR1019930015113 A KR 1019930015113A KR 930015113 A KR930015113 A KR 930015113A KR 950006984 A KR950006984 A KR 950006984A
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김춘환
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현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택제조방법에 관한 것으로, 저온 온도조건에서 반응기체에 의해 P+콘택지역보다 더 많은 침식반응이 일어나는 N+콘택지역에만 금속을 증착하고, 고온 온도조건에서 반응기체에 의해 모든 콘택지역에 금속을 증착하여 균일한 두께의 금속플러그를 콘택홀에 형성시키는 반도체 소자의 콘택제조방법에 관한 기술이다.

Description

반도체소자의 콘택제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 및 제2도는 본 발명의 콘택제조 형성방법을 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. P-웰+과 N-웰이 구비된 반도체기판이 구비되고, P-웰과 N-웰의 소정부분에 N+지역과 P+지역이 형성되고, 상기 N+지역과 P+지역 및 도선 배선이 노출되는 다수의 콘택홀이 구비되고, 상기 콘택홀에 금속을 증착하는 반도체소자의 콘택 제조방법에 있어서, WF6반응기체를 공급하는 저온온도의 반응기에서 N+지역에만 선택적으로 텅스텐을 증착하여 얇은 두께의 금속패드를 형성하는 단계와, WF6와 SiH4반응기체를 공급하는 고온조건의 반응기에서 N+지역, P+지역 및 도전지역이 노출된 모든 콘택홀의 콘택지역에 텅스텐을 증착하여 균일한 두께의 금속플러그를 형성하는 단계와, 금속층을 증착하여 상기 금속플러그에 접속시키는 단계를 포함하는 반도체소자의 콘택제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저온 조건의 반응기는 200∼270℃의 온도인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고온 조건의 반응기는 300∼400℃의 온도인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 저온조건의 반응기에서 고온 온도조건의 반응기로 반도체 기판을 이동시킬 때, 아르곤 분위기에서 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930015113A 1993-08-04 1993-08-04 반도체소자의 콘택제조방법 KR960015491B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100368321B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법

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