KR950006079Y1 - 주파수 위상조절 및 주파수 이상 감지장치 - Google Patents

주파수 위상조절 및 주파수 이상 감지장치 Download PDF

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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/19—Monitoring patterns of pulse trains

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  • Nonlinear Science (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

주파수 위상조절 및 주파수 이상 감지장치
제 1 도는 이 고안의 실시예에 따른 주파수 위상조절 및 주파수 이상 감지장치의 상세회로도.
제 2 도는 이 고안의 실시예에 따른 및 주파수 이상 감지장치의 동작타이밍도이다.
이 고안은 이용하고자 하는 주파수의 상태를 체크하여 이상이 발생할 경우에 사용자에게 알려주기 위한 것으로, 특히 시간이 지날수록 지연되는 주파수의 위상을 조정할 수 있도록 하며 시간 지연없이 정확히 입력되는 주파수의 상태를 체크하여 이용 가능한 설정범위안에 해당하는 주파수가 입력되었는지를 판단하는 주파수 위상 조절 및 주파수 이상 감지장치에 관한 것이다.
종래의 주파수 이상 검출회로는 대한민국 특허출원 공고번호 제 90-1803호(출원일자 : 서기 1986년 11월 14일)의 "주파수 이상 검출 회로"에 개시되어 있다.
상기한 "주파수 이상 검출 회로"는 교류 주파수신호를 정형하여, 정형된 파형의 출력을 분주하여 분주된 출력에 의하여 기준 발진기로부터의 출력펄스를 계수하고, 검출파형의 주기 기간에 있어서의 카운트 수와 메모리에 이미 저장된 데이터를 이용하여 입력되는 주파수에 이상이 발생했는지를 판단하는 회로이다.
그러나 상기와 같이 동작하는 "주파수 이상 검출 회로"는 제작원가가 비싼 메모리 소자를 이용하여 메모리내에 이미 저장되어 있는 데이터를 이용하여 주파수의 이상을 검출하게 되므로 제작원가가 비싸다는 문제점이 있다.
그러므로 이 고안의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 입력되는 주파수의 상태를 체크하여 사용자가 설정한 설정범위안에 존재하는지를 사용자에게 확인시켜 주고 시간에 따라 지연되는 주파수 위상을 조정할 수 있도록 하기 위한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 이 고안의 구성은 시간에 따라 지연되는 입력신호의 위상을 조정할 수 있도록 하기 위한 주파수 위상 조절부와, 상기 주파수 위상 조절부와 연결되어 입력되는 신호의 주파수가 사용 가능한 설정범위안에 해당하는지를 감지하는 주파수 감지부로 이루어져 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 이 고안의 실시예를 상세히 설명한다.
제 1 도는 이 고안의 실시예에 따른 주파수 위상 조절 및 주파수 이상 검출장치의 상세회로도이고, 제 2 도는 이 고안의 실시예에 따른 주파수 위상 조절 및 주파수 이상 검출장치의 동작 타이밍도이다.
제 1 도를 참고로 하면 입력단자(Vi)로 입력되는 주파수의 위상을 감지하여 지연되거나 빨라지는 위상을 조절할 수 있는 주파수 위상 조절부(1)와, 상기 주파수 위상 조절부(1)에서 위상이 조절된 주파수를 감지하여 사용가능한 주파수 설정범위안에 해당되는지를 체크하는 주파수 이상 감지부(2)로 이루어져 있다.
상기 주파수 위상 조절부(1)는 입력단자(Vi)에 일측단자가 연결되어 있는 가변저항(VR11)과, 가변저항(VR11)의 가변단자에 일측단자가 연결되어 있고 타측단장가 접지되어 있는 커패시터(C11)와, 일측단자가 가변저항(VR11)의 타측단자와 커패시터(C11)의 일측단자와 연결되어 있는 커패시터(C12)와, 커패시터(C12)의 타측단자에 일측단자가 연결되어 있는 저항(R11)과, 저항(R11)의 타측단자에 애노드 단자가 연결되어 있고 캐소우드 단자가 접지되어 있는 다이오드(D12)와, 다이오드(D11, D12)의 애노드와 캐소우드 단자에 일측단자가 연결되어 있는 저항(R12)와, 다이오드(D11, D12)의 캐소우드 단자와 애노드 단자에 일측단자가 연결되어 있는 저항(R13)과, 저항(R12)의 타측단자에 비반전단자가 연결되어 있고 저항(R13)의 타측단자에 반전단자가 연결되어 있는 비교기(COM11)와, 비교기(COM11)의 출력단자에 제 2 입력단자가 연결되어 있는 NAND 게이트(NAND11)와, NAND게이트(NAND11)의 제 1 입력단자에 일측단자가 연결되어 있고 타측단자가 접지되어 있는 커패시터(C13)로 이루어져 있다.
상기 주파수 이상 검출부(2)는 가변 가능한 주파수 설정범위의 하한값을 조정하기 위한 주파수 하한값 조정부(10)와, 가변 가능한 주파수 상한값을 조정하기 위한 주파수 상한값 조정부(20)와, 전원(Vcc)에 일측단자가 연결되어 있는 저항(R22)과, 저항(R22)의 타측단자는 접지되어 있는 커패시터(C21)와 ; 하한치 및 상한치 조정부(10,20)의 출력단자에 일측단자가 연결되어 있고 타측단자가 저항(R22)과 커패시터(C21)의 공통단자와 연결되어 있는 저항(R21)으로 이루어져 있다.
상기 주파수 하한값 조정부(10)는 주파수 위상 조절부(1)의 출력단자에 트리거단자(+TR)가 연결되어 있고 커패시터단자(Cx1)와 저항/커패시터(R×C×1) 사이에 커패시터(C101)가 연결되어 접지되어 있는 단안정 멀티바이브레이터(101)와, 저항/커패시터 단자(R×C×1)에 타측단자가 연결되어 있는 저항(R101)과, 저항(R101)가 연결되어 있는 다이오드(D101)와, 주파수 위상 조절부(1)의 출력단자에 클럭단자(C1)가 연결되어 있고 입력단자(D1)가 단안정 멀티바이브레이터(101)의 반전 출력단자(-01)와 연결되어 있고 출력단자(Q1)가 다이오드(D101)의 애노드 단자와 연결되어 있는 D 플립플럽(102)의 반전 출력단자(-Q1)에 타측단자가 연결되어 있는 저항(R203)가, D 플립플럽(102)의 반전 출력단자(-Q1)에 캐소우드 단자가 연결되어 있는 다이오드(D103)로 이루어져 있다.
주파수 상한값 조정부(20)는 주파수 위상 조절부(1)의 출력단자에 트리거단자(+TR)가 연결되어 있고 커패시터 단자(Cx2)와 저항/커패시터 단자(R×C×2) 사이에 커패시터(C201)가 연결되어 접지되어 있는 단안정 멀티바이브레이터(201)와, 단안정 멀티바이브레이터(201)의 저항/커패시터(R×C×2)단자에 타측단자가 연결되어 있는 저항(R201)과, 저항(R201)의 일측단자에 타측단자가 연결되어 있는 가변저항(VR201)과, 가변저항(VR201)의 일측단자에 캐소우드 단자가 연결되어 있는 다이오드(D201)와, 주파수 위상 조절부(1)의 출력단자에 클럭단자(C2)가 연결되어 있고 입력단자(D2)가 단안정 멀티바이브레이터(201)의 출력단자(02)와 연결되어 있고 반전 출력단자(-Q2)가 다이오드(D201)의 애노드 단자와 연결되어 있는 D 플립플럽(202)과, D 플립플럽(202)의 출력단자(Q2)에 애노드 단자가 연결되어 있는 다이오드(D202)와, 다이오드(D202)의 캐소우드 단자에 일측단자가 연결되어 있고 가변저항(VR201)의 일측단자에 타측단자가 연결되어 있는 저항(R202)과, 전원(Vcc)에 애노드 단자가 연결되어 있는 발광다이오드(LED201)와, 발광 다이오드(LED201)의 캐소우드 단자에 일측단자가 연결되어 있고 D 플립플럽(202)의 반전 출력단자(-Q2)에 타측단자가 연결되어 있는 다이오드(D203)로 이루어져 있다.
상기와 같이 이루어져 있는 이 고안의 실시예를 상세히 설명한다.
먼저 주파수 위상 조절부(1)는 입력단자(Vi)로 입력되는 교류 주파수의 위상을 가변저항(VR11)을 이용하여 위상을 조정할 수 있는 원리는 커패시터(C11)의 단자에 걸리는 전압과 단자(Vo)에 걸리는 전압의 값은 사실상 동일한다.
그러므로 단자(Vo)에 걸리는 전압은 Vo=-j(1/wC)/(VR11-J(1/wC)×Vi=Vi/(1+jwCVR11)………(1)이다.
그러므로 가변저항(VR11)의 값이 "0"일 경우에는 상기 (1)식은 Vo=Vi의 식이 성립하고 가변저항(VR11)이 값이 50KΩ일 경우에는 상기 (1)식은 Vo=Vi/(1+j2TT60×0.22×10-6×50×103)=Vi/(1+j4.14)=0.2Vi∠-zrctan(4.14)=0.2Vi(-76°)이다.
그러므로 상기와 같이 가변저항(VR11)의 값이 0Ω에서 50KΩ까지 가변 가능하다고 가정할 경우에 위상의 차는 76°이므로 가변저항(VR11)의 값을 조정하여 0°에서 76°사이의 위상을 임의로 조정할 수 있으며 입력단자(Vi)로 입력되는 정현파의 진폭이 변하게 된다.
그러므로 서로 비교하고자 하는 두 개의 주파수의 상태를 확인하여 서로의 위상차를 가변저항(VR11)을 이용하여 임의로 조정할 수 있으므로 여러 주파수가 입력될 경우에 사용자가 원하는 위상차를 갖고 입력될 수 있도록 조정 가능하므로 위상차에 이상이 발생할 경우에도 가변저항값을 가변하면서 입력되는 신호의 위상을 조절할 수 있다.
입력되는 주파수가 가변저항(VR11)과 커패시터(C11)의 값을 이용하여 위상이 조정되면 저항(R11)을 거쳐 다이오드(D11, D12)로 이루어져 있는 클리핑(clipping)회로를 거쳐 일정한 전압이 인가되어야 도통되는 다이오드(D11, D12) 특성의 스위칭 동작에 의하여 일정한 주기를 갖는 구형파의 신호가 저항(R12)을 거쳐 비교기(COM11)의 비반전단자로 입력된다. 그러므로 반전단자가 저항(R13)과 연결되어 접지되어 있는 비교기(COM11)의 출력은 일정한 주기와 레벨(level)를 갖는 구형파가 출력된다.
출력된 구형파는 저항(R14)과 커패시터(C13)를 통하여 NAND 게이트(NAND11)의 두 입력단자로 인가되므로 NAND 게이트(NAND11)를 통하여 출력되는 신호는 비교기(COM11)의 출력신호가 반전된 신호가 된다.
그러므로 상기와 같이 동작하는 주파수 위상 조절부(1)는 가변저항(VR11)을 이용하여 가변저항(VR11)값에 따라 위상의 범위를 임의로 조정할 수 있으므로 도시되지 않은 주변회로에서 주파수의 상태를 검출하여 임의로 조정할 수 있으므로 원하는 주파수를 갖는 신호를 얻을 수 있다.
상기와 같이 사용자에 의하여 위상이 임의로 조정된 신호가 조정부(1)에서 출력되면 출력되는 신호가 사용가능한 신호인가를 판별하는 주파수 이상 검출부(2)로 입력된다.
주파수 이상 검출부(2)에서는 입력되는 신호의 주파수가 사용자에 의하여 이미 설정된 범위안에 해당되는지를 판단하여 설정범위안에 해당되지 않을 경우에는 사용자가 알 수 있도록 알려주게 된다.
주파수 위상 조절부(1)에서 출력되는 주파수는 주파수 이상 검출부(2)의 상한/하한값 설정부(10, 20)의 단안정 멀티바이브레이터(101, 201)와 D 플립플럽(102, 202)으로 인가된다. 먼저 주파수의 하한값을 설정하기 위하여 가변저항(VR101)과 저항(R101) 및 커패시터(C101)를 이용하여 단안정 멀티바이브레이터(101)에서 출력되는 출력신호의 펄스폭을 결정한다.
이 고안에서 사용되는 단안정 멀티바이비레이터(101, 201)의 동작 특성은 트리거단자(+TR)로 입력되는 상승에지의 트리거 신호(+TR)가 인가된 후 소정의 시간을 고레벨인 "H" 신호를 유지한 후 저레벨로 반전된 후 다시 인가되는 상승에지의 트리거 신호에 의하여 고레벨인 "H" 신호로 반전되어 동작한다.
먼저 주파수 이상검출부(2) 중에서 주파수의 하한값을 설정하여 입력되는 주파수가 가변저항(VR101), 저항(R101) 및 커패시터(101)의 시정수를 이용하여 설정한 주파수 하한값의 범위안에 해당되는지를 판단하는 주파수 하한값 설정부(10)의 동작을 설명한다.
주파수 위상 조절부(1)에서 인가되는 신호의 주파수가 설정된 하한값의 범위안에 해당될 경우에는 트리거단자(+TR)로 입력되는 신호의 주기보다 가변저항(VR101), 저항(R101) 및 커패시터(C101)의 시정수로 설정된 단안정 멀티바이브레이터(101)의 지연주기가 길게 된다.
그러므로 제 2a 도와 같은 신호가 주파수 위상 조절부(1)에서 단안정 멀티바이브레이터(101)의 트리거단자(+TR)와 D 플립플럽(102)의 클럭단자(C1)로 인가되는 신호에 따라 동작하는 단안정 멀티바이브레이터(101)는 트리거단자(+TR)로 인가되는 신호의 주기보다 저항(VR101, R101)과 커패시터(C101)의 시정수에 의한 소정의 지연주기가 더 오래 지속하기 때문에 시정수에 의하여 설정된 시간을 지속한 후 상태 반전을 위한 동작은 실행되지 못하고 같은 상태만을 유지한다.
그러므로 입력되는 신호의 주파수가 설정된 하한값의 범위안에 포함될 경우에는 단안정 멀티바이브레이터(101)의 출력단자(01)에 고레벨인 "H"가 출력되므로 반전 출력단자(-01)에는 제 2b 도처럼 저레벨인 "L"가 출력되어 D 플립플럽(102)의 입력단자(D1)로 인가되므로 D 플립플럽(102)의 출력단자(Q1)에는 제 2c 도처럼 저레벨인 "L"가 출력되고 반전 출력단자(-Q1)에는 고레벨인 "H"가 출력된다.
그러므로 다이오드(D101, D103)가 차단상태가 되어 전원(Vcc)과 연결되어 있는 발광 다이오드(LED101)는 소등되고 출력단자(out)로 저항(R22, R21)에 의하여 분압된 전원(Vcc)의 고레벨의 분압전압인 "H"가 출력되어 도시되지 않은 부분의 동작을 제어하게 된다.
그러나 제 2d 도처럼 단안정 멀티바이브레이터(101)의 트리거단자(+TR)로 인가되는 입력신호의 주파수가 설정된 하한값의 주파수보다 작은 주파수의 신호일 경우에는, 즉 입력신호의 주기시간보다 단안정 멀티바이브레이터(101)의 소정의 지연시간이 짧을 경우에는 트리거단자(+TR)로 입력되는 신호의 상승에지에서 소정의 시간을 지연한 후 상태를 반전시키고 다시 트리거단자(+TR)로 상승에지의 신호가 들어오면 상태를 다시 반전시켜 소정의 시간 유지한 후 다시 상태를 반전하므로 제 2e 도처럼 단안정 멀티바이브레이터(101)의 반전 출력단자(-01)의 신호를 D 플립플럽(102)의 입력단자(D1)로 출력한다.
그러나 D 플립플럽(102)의 클럭단자(C1)로 인가되는 주파수 위상 조정부(1)의 출력신호인 단안정 멀티바이브레이터(101)의 트리거단자(+TR)로 인가되는 신호보다 D 플립플럽(102)의 입력단자로 입력되는 단안정 멀티바이브레이터(101)의 반전 출력단자(-01)의 신호는 소정의 시간만큼 지연되어 입력되므로 D 플립플롭(102)의 출력단자(Q1)에 제 2 도의 (1)처럼 고레벨인 "H"가 출력된다.
그러므로 다이오드(D102, D103)가 도통되고 발광 다이오드(LED101)가 점등되어 입력되는 신호의 주파수가 설정범위를 벗어났다는 것을 사용자에게 알려주게 되고 전원(Vcc)이 저항(R21, R22)과 커패시터(C21)를 통하여 다이오드(D103)로 흐르게 되므로 출력단자(out)에는 저레벨인 "L"가 출력되어 주파수 상태에 따라 적절한 동작을 실행할 수 있도록 도시되지 않은 회로의 동작을 제어한다.
상기와 같이 동작하는 주파수 하한값 설정부(10)의 동작을 통하여 하한값의 설정범위를 벗어나는 주파수를 감지하여 사용자가 인식할 수 있도록 경고수단을 통하여 알리고 연결된 주변회로가 적절한 동작을 취할 수 있도록 하므로 회로의 오동작을 방지할 수 있다.
주파수 상한값 설정부(20)의 동작도 상기한 주파수 하한값 설정부(10)의 동작과 반대로 동작한다.
가변저항(VR201)과, 저항(R201) 및 커패시터(C201)의 시정수를 이용하여 원하는 단안정 멀티바이브레이터(201)의 소정의 지연시간을 결정한다.
그리고 주파수 위상 조정부(1)에서 출력되는 신호의 주파수가 제 2a 도처럼 설정된 상한값의 범위안에 해당될 경우에는 즉, 주파수 위상 조정부(1)에서 출력되는 신호의 주기가 저항(VR201, R201)과 커패시터(C201)의 시정수로 설정된 소정의 지연시간보다 길 경우에 제 2g 도처럼 단안정 멀티바이브레이터(201)의 트리거단자(+TR)로 입력되는 주파수 위상 조정부(1)의 출력신호보다 소정의 시간이 지연되어 상승에지에서 소정의 주기만큼 "H"를 유지한 후 "L"로 상태 반전하는 신호를 단안정 멀티바이브레이터(201)의 출력단자(02)로 출력하여 D 플립플럽(202)의 입력단자(D2)로 인가한다.
즉, 주파수 하한값 설정부(10)의 동작에 있어서 설정된 하한값의 범위안에 포함되지 않을 경우와 동일한 방법으로 커패시터(C201)와 저항(VR201, R201)의 시정수에 의한 소정의 지연주기를 갖고 동작하는 구형파가 출력된다.
그러므로 D 플립플럽(202)의 출력단자(Q2)에는 제 2h 도처럼 저레벨인 "L"가 출력되고 반전출력단자(-Q2)에는 고레벨인 "H"가 출력되어 상기와 같이 다이오드(D202, D203)가 차단되어 출력단자(out)로 저항(R21, R22)에 의하여 분압된 고레벨의 값이 출력되고 발광 다이오드(LED201)도 역시 차단되어 소등상태를 유지한다.
그러므로 입력되는 주파수의 상태가 설정된 상한값의 범위안에 해당하는 사용 가능한 신호가 입력되었음을 사용자에게 알려주고 그에 적절한 동작을 실행할 수 있도록 한다.
그러나 제 2i 도처럼 설정된 상한값보다 큰 주파수를 갖는 신호가 단안정 멀티바이브레이터(201)의 트리거 단자(+TR)와 D 플립플럽(202)의 클럭단자(C2)로 입력되면 즉, 입력되는 신호의 주기보다 단안정 멀티바이브레이터(201)에서 커패시터(C201)와 저항(VR201, R201)에 의하여 설정된 소정의 지연주기가 길 경우에 단안정 멀티바이브레이터(201)의 출력단자(Q2)로 제 2j 도와 같이 고레벨인 "H"가 출력되므로 D 플립플럽(202)의 출력단자(Q2)에도 제 2k 도 처럼 고레벨인 "H"가 출력되고 반전출력단자(-Q2)에 저레벨인 "L"가 출력된다.
그러므로 상기한 것처럼 발광 다이오드(LED201)가 점등되어 입력신호의 주파수가 설정 범위를 벗어났다는 것을 사용자에게 알려주게 되고 다이오드(D203)가 도통되어 출력단자(out)로 저레벨인 "L"를 출력하여 주파수 상태에 맞는 적절한 동작을 취할 수 있도록 한다.
그러므로 이 고안의 효과는 사용자에 의하여 임의로 하한값과 상한값을 설정한 후 입력되는 신호의 주파수가 설정범위안에 해당하는지를 판단하여 사용자가 인식할 수 있도록 하므로 주파수 상태에 따라 발생할 수 있는 오동작을 방지할 수 있고, 입력되는 신호의 위상이 원하는 위상보다 빠르거나 지연되어 입력되는 신호의 위상을 임의로 조종할 수 있으므로 정확한 동작을 실행할 수 있고 주변에서 손쉽게 구할 수 있는 소자만을 이용하여 구성하였으므로 제작비용에 대한 부담을 덜어줄 수 있다.

Claims (4)

  1. 시간에 따라 지연되는 입력신호의 위상을 조정할 수 있도록 하기 위한 주파수 위상 조절부(1)와 ; 주파수 위상 조절부(1)와 연결되어 입력되는 신호의 주파수가 사용 가능한 설정범위안에 해당하는지를 감지하는 주파수 감지부(2)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 주파수 위상조절 및 주파수 이상 감지장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 주파수 위상 조절부(1)는 입력단자(Vi)에 일측단자가 연결되어 있는 가변저항(VR11)과, 가변저항(VR11)의 가변단자에 일측단자가 연결되어 있고 타측단자가 접지된 커패시터(C11)와, 일측단자가 가변저항(VR11)의 타측단자와 커패시터(C11)의 일측단자에 연결되어 있는 커패시터(C12)와, 커패시터(C12)의 타측단자에 일측단자가 연결되어 있는 저항(R11)과, 저항(R11)의 타측단자에 애노드 단자가 연결되어 있고 캐소우드 단자가 접지되어 있는 다이오드(D11)와, 저항(R11)의 타측단자에 캐소우드 단자가 연결되어 있고 애노드 단자가 접지되어 있는 다이오드(D12)와, 다이오드(D11, D12)의 애노드와 캐소우드 단자에 비반전단자가 연결되어 있고 다이오드(D11, D12)의 캐소우드 단자와 애노드 단자에 반전단자가 연결되어 있는 비교기(COM11)와, 비교기(COM11)의 출력단자에 제 1 및 제 2 입력단자가 연결되어 있는 NAND 게이트(NAND11)와, NAND 게이트(NAND11)의 제 1 및 제 2 입력단자에 일측단자가 연결되어 접지된 커패시터(C13)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 주파수 위상조절 및 주파수 이상 감지장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 주파수 이상 검출부(2)는 반전단자와 비반전단자와의 연결상태만 반대인 동일한 구성을 하는 주파수 하한값 조정부(10)와, 주파수 상한값 조정부(20)로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 주파수 위상조절 및 주파수 이상 감지장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 주파수 하한값 조정부(10)는 주파수 위상 조절부(1)의 출력단자에 연결되어 있는 단안정 멀티바이브레이터(101)와, 단안정 멀티바이브레이터(101)의 두단자에 연결되어 접지되어 있는 커패시터(C101)와, 커패시터(C101)의 일측단자에 타측단자가 연결되어 있는 저항(R101)과, 저항(R101)의 일측단자에 타측단자가 연결되어 있는 가변저항(VR101)과, 가변저항(VR101)의 일측단자에 캐소우드 단자가 연결되어 있는 다이오드(D101)와, 주파수 위상 조절부(1)의 출력단자에 클럭단자(C1)가 연결되어 있고 입력단자(D1)가 단안정 멀티바이브레이터(101)의 반전출력단자(-01)와 연결되어 있고 출력단자(Q1)가 다이오드(D101)의 애노드 단자와 연결되어 있는 D 플립플럽(102)과, D 플립플럽(102)의 반전 출력단자(-Q1)에 애노드 단자가 연결되어 있는 다이오드(D102)와, 다이오드(D102)의 캐소우드 단자에 일측단자가 연결되어 있고 가변저항(VR101)의 일측단자에 타측단자가 연결되어 있는 저항(R102)으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 주파수 위상조절 및 주파수 이상 감지장치.
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