KR950004428A - 원자 또는 분자선에 의한 표면처리방법 및 이의 장치 - Google Patents
원자 또는 분자선에 의한 표면처리방법 및 이의 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950004428A KR950004428A KR1019940017462A KR19940017462A KR950004428A KR 950004428 A KR950004428 A KR 950004428A KR 1019940017462 A KR1019940017462 A KR 1019940017462A KR 19940017462 A KR19940017462 A KR 19940017462A KR 950004428 A KR950004428 A KR 950004428A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reaction
- chamber
- gas
- gases
- reaction chamber
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 47
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 8
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 7
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 claims 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/4551—Jet streams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
- H01L21/02661—In-situ cleaning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명에 있어서, 반도체 기판의 클리이닝 또는 에칭이나 반도체 기판상에 박막을 형성하기 위한 원자 또는 분자선은 반응실내로 도입된 2종 이상의 가스를 화학반응시켜 형성된다. 이 화학반응 생성물과, 필요에 따라서는 추가적으로 반응실내에 도입된 원자 또는 분자들은 미소구멍을 통과하여 비임을 형성하여 피가공시료실내에 지지된 피가공시료상에 투사된다. 상기한 화학반응에 의해 생성된 병진 에너지는 원자, 분자 및/또는 입자를 고속으로 피처리 기판표면에 손상을 주지 않으면서, 비임형태로 기판을 클리이닝, 에칭 또는 용착가공할 수 있게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시형태에 따른 방법 및 장치를 설명하는 도면이고, 제2도는 본 발명의 제2실시형태에 따른 방법 및 장치를 설명하는 도면이며, 제3도는 제2도의 장치중 반응실에 도입되는 가스의 타이밍을 설명하는 도면이고, 제4도는 본 발명의 제3실시형태에 따른 방법 및 장치를 설명하는 도면이며, 제5도는 본 발명의 제4실시형태에 따른 방법 및 장치를 설명하는 도면이다.
Claims (36)
- 원자 또는 분자선을 발생시켜 시료의 표면을 처리하는 방법에 있어서, 서로 반응하는 2종 이상의 가스를 반응실의 진공내로 도입하는 단계; 상기 반응실내에서 이들 2종 가스간의 화학반응을 개시시켜 반응생성물과 이 반응 생성물을 가속시키기 위한 병진에너지를 생성시키는 단계; 이 화학반응으로 인해 생성된 병진에너지를 갖는 반응생성물을 상기 반응실내의 미소구멍을 통해 통과시켜 피가공시료를 수용하는 진공 피가공시료실내의 피가공시료상에 상기 비임으로 투사시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 원자 또는 분자선에 의한 표면처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 피가공시료실의 압력이 상기 반응실의 압력보다 10배 이하로 낮은, 서로 다른 소정의 압력이 되도록 이들 반응실과 피가공시료실을 진공화시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 피가공시료와 반응하는 원자 또는 분자를 갖는 추가의 가스를 반응실내에 도입하여 이 추가의 가스중의 원자 또는 분자가 시딩효과에 의해 상기 비임내의 반응생성물에 포함되어 상기 화학반응으로 인해 생성된 병진에너지에 의해 상기 반응실내로 투사되어 상기 피가공시료실내에 수납된 피가공시료를 에칭하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 화학반응으로 인해 생성된 병진에너지에 의해 가속화된 상기 비임중 원자 또는 분자로 상기 피가공시료 표면을 클리이닝하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가스도입단게에서 도입된 가스들이 상기 개시단계에서 서로 반응하여 병진에너지에 의해 가속화된 반응 생성물인 원자 또는 분자를 생성하고 이들이 피가공시료와 반응하여, 피가공시료 표면을 에칭하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 가스도입단계에서 도입된 가스들이 상기 개시단계에서 서로 반응하여 병진에너지에 의해 가속화된 반응 생성물인 원자 또는 분자를 생성하고 이들이 피가공시료 표면상에 용착되어 기판표면상에 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 2종 가스의 화학반응 개시단계가, 이들 가스중의 어느 한 가스의 산화에 의한 연소반응으로 개시되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 2종 가스의 화학반응 개시단계가, 이들 가스의 폭발반응으로 개시되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 가스도입단계에서 화학반응을 위한 가스로서, 산소 및 수소의 도입을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 가스도입단계에서 화학반응을 위한 가스로서, 유기분자를 갖는 가스와 산소의 도입을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 가스도입단계에서 화학반응을 위한 가스로서, 할로겐원소 또는 할로겐원소를 함유하는 분자를 갖는 가스와 산소의 도입을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 가스도입단계에서 화학반응을 위한 가스로서, 할로겐원소 또는 할로겐원소를 함유하는 분자를 갖는 가스와 수소의 도입을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 가스도입단계에서 화학반응을 위한 가스로서, 실란과 산소의 도입을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 2종 가스의 화학반응 개시단계가 이들 가스의 연쇄반응으로 개시됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 화학반응 개시단계가 염소분자와 불소분자의 반응인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 비임을, 슬릿과 회전기능을 갖는 두개의 원판을 통해 피가공시료상에 투사함으로써 피가공시료가 상기 슬릿을 통과한 특정한 병진에너지를 갖는 원자 또는 분자선으로만 조사되게 하여 소정범위로 상기 비임의 병진에너지를 한정시키는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 2종 이외의 추가의 가스를 상기 반응실내에 도입하여 상기 반응생성물의 가속으로 인한 시딩효과로 이 추가의 가스중의 원자 또는 분자가 가속되어 상기 투사단계에서 상기 피가공시료상에 투사되는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기한 비임을 콜리메이터를 통해 피가공시료에 투사하는 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 피가공시료의 표면을 처리하기 위해 원자 또는 분자선을 발생시키는 장치로서, 진공반응실 및 진공피가공시료실; 서로 반응하는 2종 이상의 가스를 상기 반응실내에 도입하기 위한 가스도입수단; 상기 반응실내에서 상기한 2종 이상의 가스가 화학반응을 개시하여 반응 생성물과 이 반응 생성물을 가속화하기 위한 병진에너지를 발생하게 하기 위한 점화수단; 상기 화학반응에 의해 생성된 병진에너지를 갖는 상기 반응생성물을 통과시켜 피가공시료의 표면처리를 위해 상기 피가공시료실의 시료상에 투사되는 비임을 형성하기 위해 상기 반응실내에 마련된 미소구멍으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기 피가공시료실의 압력이 상기 반응실의 압력보다 10배 이하로 낮은, 서로 다른 소정의 압력이 되도록 이들 반응실과 피가공시료실을 진공화시키는 수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 피가공시료와 반응하는 원자 또는 분자를 갖는 추가의 가스를 상기 반응실내에 도입하여 이 추가의 가스중의 원자 또는 분자가 시딩효과에 의해 상기 비임내의 반응 생성물에 포함되어 상기 화학반응으로 인해 생성된 병진에너지에 의해 상기 반응실내로 투사되어 상기 피가공시료를 에칭하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기한 미소구멍을 개폐하는 수단과, 상기 반응실내로 가스를 간헐적으로 도입하는 수단 및 도입된 가스들을 간헐적으로 점화시키도록 상기 점화수단을 조절하는 조절수단을 더욱 포함하여 이루어지며, 상기한 미소구멍 개폐수단은, 반응실내로의 가스도입 및 상기 조절수단의 조절에 따른 가스점화 시기에 맞추어 개폐되는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 반응실을 냉각시키는 수단을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기한 점화수단이 방전발생수단인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기한 점화수단이 필라멘트계와, 이 필라멘트의 가열을 저항하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 반응실로 도입되는 가스가 산소 및 수소인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 반응실로 도입되는 가스중 한쪽이 유기분자를 갖는 가스이고, 다른 쪽이 산소인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 반응실로 도입되는 한쪽이 할로겐원소 또는 할로겐원소를 함유하는 분자를 갖는 가스이고, 다른 쪽이 수소 및 산소인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 반응실로 도입되는 가스중 한쪽이 실란 가스이고, 다른쪽이 산소인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 반응실로 도입되는 가스중 한쪽이 염소분자이고, 다른쪽이 불소분자인 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 2종 이상의 가스를 도입하기 위한 수단이, 그의 한쪽끝단이 상기한 미소구멍을 향하여 배치되고 상기 반응실내로 연장된 튜브들을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 피가공시료상에 입사된 비임중의 원자 또는 분자가 가공중인 시료표면에서 제거되는 온도로 피가공시료의 온도를 유지하도록, 상기 피가공시료를 지지하고 가열하는 수단을 피가공시료실내에 더욱 포함시키는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기 반응실과 상기 피가공시료실 사이에 배치되고, 상기 반응실 주위를 감싸는 외부실이 더욱 포함되며, 이 외부실에는 상기 반응실과 상기 피가공시료실 사이의 압력차를 발생시키기 위한 외부실내의 진공화 수단이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 슬릿과 회전기능을 갖는 두개의 원판을 상기 미소구멍과 상기 피가공시료사이에 매치시킴으로써, 피가공시료가 상기 슬릿을 통과한 특정한 병진에너지를 갖는 비임중의 원자 또는 분자만으로 조사되게 하여 소정범위로 상기 비임의 병진에너지를 한정시키는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기 미소구멍과 피가공시료 사이에 있는 비임통로상에 콜리메이터를 설치하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제35항에 있어서, 상기 콜리메이터가 냉각수단을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP93-179593 | 1993-07-21 | ||
JP5179593A JPH0737807A (ja) | 1993-07-21 | 1993-07-21 | 原子、分子線による表面処理方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950004428A true KR950004428A (ko) | 1995-02-18 |
Family
ID=16068447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940017462A KR950004428A (ko) | 1993-07-21 | 1994-07-20 | 원자 또는 분자선에 의한 표면처리방법 및 이의 장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5554257A (ko) |
JP (1) | JPH0737807A (ko) |
KR (1) | KR950004428A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100520438B1 (ko) * | 2003-11-10 | 2005-10-11 | 대상 주식회사 | 저장안정성과 감미질이 개선된 설탕대체용 감미료 조성물및 그 제조방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5998305A (en) * | 1996-03-29 | 1999-12-07 | Praxair Technology, Inc. | Removal of carbon from substrate surfaces |
US5693241A (en) * | 1996-06-18 | 1997-12-02 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Atmospheric pressure method and apparatus for removal of organic matter with atomic and ionic oxygen |
US6642140B1 (en) * | 1998-09-03 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | System for filling openings in semiconductor products |
JP3378909B2 (ja) * | 1999-06-21 | 2003-02-17 | 東北大学長 | ドライエッチング方法及びその装置 |
US6762136B1 (en) * | 1999-11-01 | 2004-07-13 | Jetek, Inc. | Method for rapid thermal processing of substrates |
US6554950B2 (en) * | 2001-01-16 | 2003-04-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removal of surface contaminants from substrates in vacuum applications |
US7622722B2 (en) * | 2006-11-08 | 2009-11-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implantation device with a dual pumping mode and method thereof |
EP2828708B1 (en) * | 2012-03-20 | 2022-11-02 | ASML Netherlands B.V. | Arrangement and method for transporting radicals |
US9981293B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-05-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4740267A (en) * | 1987-02-20 | 1988-04-26 | Hughes Aircraft Company | Energy intensive surface reactions using a cluster beam |
DE4018954A1 (de) * | 1989-06-15 | 1991-01-03 | Mitsubishi Electric Corp | Trockenaetzgeraet |
US5286331A (en) * | 1991-11-01 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Supersonic molecular beam etching of surfaces |
-
1993
- 1993-07-21 JP JP5179593A patent/JPH0737807A/ja active Pending
-
1994
- 1994-07-05 US US08/270,839 patent/US5554257A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-20 KR KR1019940017462A patent/KR950004428A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100520438B1 (ko) * | 2003-11-10 | 2005-10-11 | 대상 주식회사 | 저장안정성과 감미질이 개선된 설탕대체용 감미료 조성물및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0737807A (ja) | 1995-02-07 |
US5554257A (en) | 1996-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4643799A (en) | Method of dry etching | |
KR950004428A (ko) | 원자 또는 분자선에 의한 표면처리방법 및 이의 장치 | |
US5174826A (en) | Laser-assisted chemical vapor deposition | |
KR880011898A (ko) | 박막형성 방법과 그 장치 | |
EP0095275A2 (en) | Photo-assisted CVD | |
US4936940A (en) | Equipment for surface treatment | |
JPH02217469A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
CA1281819C (en) | Source of high flux energetic atoms | |
IE54233B1 (en) | Gas flow in plasma treatment processes | |
WO2003060184A8 (en) | Method and apparatus for forming silicon containing films | |
KR910001890A (ko) | 박막형성방법 및 박막형성장치 | |
KR970700370A (ko) | 박막형성법 | |
JP4276845B2 (ja) | 基板を処理するための方法及び装置 | |
KR970017995A (ko) | 플라즈마 이온 방사를 이용한 soi 기판의 형성 방법 및 장치 | |
SE8902391L (sv) | Foerfarande jaemte anordning foer att behandla kiselplattor | |
JPS593931A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
JPS60236215A (ja) | レ−ザcvd方法 | |
KR890003015A (ko) | 고융점 금속막의 형성 방법 및 그 장치 | |
JPH02188916A (ja) | 乾式表面処理装置 | |
Gow et al. | The mechanism of laser-assisted CVD of germanium | |
JPH01259162A (ja) | 薄膜製造装置 | |
JPS63121665A (ja) | 薄膜作成装置 | |
JPS5842770A (ja) | 蒸発源からの蒸気流を阻止する装置 | |
JPS6328865A (ja) | 硬質炭素膜製造装置 | |
JPS58167601A (ja) | プラズマ重合装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |