KR950003105B1 - 마이크로파회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
[발명의 명칭]
마이크로파회로
[도면의 간단한 설명]
제 1 도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 CWG-MSL 변환부의 사시도.
제 2 도는 동 단면도.
제 3 도는 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 CWG-MSL 변환부의 사시도.
제 4 도는 동 단면도.
제 5 도는 종래의 CWG-MSL 변환부의 사시도.
제 6 도는 동 단면도.
제 7 도 및 제 8 도는 MSL를 형성하는 유전체 기판의 확대도와 그 이면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 도체스트립 2 : 유전체 기판
3 : 금속제 하우징체 5 : 포우스트
4 : CWG 6 : 테프론받침대
7 : 동심원형상융기부 8 : 금속제 받침대
9 : 관통구멍 10 : 정합패턴
11 : 어어드면
[발명의 상세한 설명]
[기술분야]
본 발명은, 마이크로파 통신기기 및 위성방송 수신콘버어터등에 사용되는 마이크로파 회로에 관한 것이다.
[배경기술]
최근, 마이크로파 통신기기에 사용되는 마이크로파소자의 진전에는 눈부신 것이 있으며, HEMT나 MES-FET등의 저잡음장치의 입수도 용이하기 때문에, 특히 수신계 저잡음콘버어터에 있어서의 잡음지수는 해마다 저하되고 있다. 그러나, 저잡음용 마이크로파소자 자체의 잡음지수가 좋아도, 입력부로부터 마이크로파소자까지의 사이에 존재하는 손실이나 임피던스 부정합에 의한 영향은 크고, 그들의 원인에 의해서 저잡음콘버어터 전체로서 소망의 잡음지수를 얻지 못하는 경우가 있었다.
이하, 도면을 참조하면서, 상기한 바와 같은 종래의 마이크로파회로에 대해서 설명한다.
제 5 도는 종래의 원형도파관(이하 단순히 CWG라고 칭함)-MSL 변환부의 사시도이고, 제 6 도는 그 단면도, 제 7 도는 MSL를 형성하는 유전체 기판의 확대도, 제 8도는 그 이면도이다.
제 5 도∼제 8 도에 있어서, (1)은 MSL에 있어서의 도체스트립, (2)는 유전체 기판, (3)은 CWG(4)를 가진 금속제 하우징체, (5)는 포우스트, (6)은 테프론 받침대, (9)는 도체스트립(1)과 포우스트(5)를 접속하기 위한 관통구멍, (11)은 유전체 기판(2)의 어어드면이다.
이상과 같이 구성된 마이크로파회로에 대해서, 이하 그 동작에 대해서 설명한다. 먼저 제 5 도 및 제 6 도에 있어서, CWG(4)속을 전파하는 마이크로파는, 포우스트(5)부분에 있어서, 동축선로에 모우드변환되고, 테프론 받침대(6)를 내부유전체로 하는 동축선로에 전파된다. 다음에, 제 7 도 및 제 8 도에 있어서, 동축선로속을 전파하는 마이크로파는 유전체 기판(2)의 어어드면(11)에 설치된 정합패턴(10)에 의해 동축선로와 동일한 특성임피이던스를가진 MSL에 특성열화되지 않고, 모우드변환된다. 그리고, 동축선로의 중심 도체인 포우스트(5)와 도체스트립(1)은 관통구멍(9)을 통해서 접속된다.
그러나, 상기와 같은 구성에서는, 유전체 기판(2)의 휘어짐이나 금속제 하우징체(3)의 평면정도에 의해서, 유전체 기판(11)의 정합패턴(10)의 주위의 어어드면(9)과 금속제 하우징체(3)의 사이에서 접촉이 충분히 취해지지 않고, 특성임피이던스가 동축선로 및 MSL과 달라서 부정합이 발생하고, 통과손실 및 VSWR을 열화시킨다고 하는 문제점을 가지고 있었다.
본 발명은 상기 문제점에 비추어, 동축선로의 외도체를 MSL의 어어드면에 충분히 접촉시키므로서, 동축선로-MSL변환부에 있어서의 통과손실 및 VSWR열화를 방지하는 마이크로파회로를 제공하는 것이다.
[발명의 개시]
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 마이크로파회로는, 유전체 기판상에 구성되는 MSL의 어어드면으로부터 유전체 기판에 형성한 관통구멍을 개재해서, MSL의 도체스트립과 금속제 하우징체를 외도체로하는 동축선로의 내도체를 접속하는 금속제 하우징체쪽의 접촉면에 동심원형상융기부를 가지므로서 구성되어 있다.
본 발명은 상기 구성에 의해서, 금속제 하우징체쪽의 동축선로 외도체부는, 동심원형상융기부에서 확실하게 MSL의 어어드면과 접촉하기 때문에, 부정합 부분이 없이 동축선로-MSL 변환부에 있어서의 손실 및 VSWR의 열화가 방지되며 양호한 특성을 확보할 수 있다.
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
이하 본 발명의 일실시예에 대해서, 도면을 참조하면서 설명을 한다.
제 1 도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 CWG-MSL 변환부의 사시도, 제 2 도는 그 단면도를 표시한 것이다. 제 1 도 및 제 2 도에 있어서, (1)은 MSL에 있어서의 도체스트립, (2)는 유전체 기판, (3)은 CWG(4)를 가진 금속제 하우징체, (5)는 포우스트, (6)은 테프론 받침대, (7)은 동심원형상융기부, (9)는 도체스트립(1)과 포우스트(5)를 접속하기 위한 관통구멍,(11)은 유전체 기판(2)의 어어드면이다.
이상과 같이 구성된 마이크로파회로에 대해서, 이하 그 동작에 대해서 설명한다. 먼저, CWG(4)속을 전파하는 마이크로파는, 포우스트(5)부분에 있어서 동축선로에 모우드변환되고, 테프론 받침대(6)를 내부유전체로 하는 동축선로에 전파된다. 다음에 동축선로속을 전파하는 마이크로파는, 유전체 기판(2)의 어어드면(11)에 설치된 정합패턴에 의해 VSWR을 열화하는 일없이 동축선로와 특성임피이던스가 동등한 MSL에 변환된다. 그리고 관통구멍을 통과한 포우스트(5)부는, 도체스트립(1)과 접속된다.
그래서 본 실시예에 있어서는, 동심원형상융기부(7)에 의해서, 유전체 기판(2)의 휘어짐등의 영향을 받지 않고, 동축선로의 외도체와 상기 MSL의 어어드면(9)은 충분한 접촉이 얻어지기 때문에 어어드면이 완전히 일치하고, 부정합부는 발생하지 않는다. 즉, 본 실시예에 의하면, 동심원형상융기부(7)에 의해, 통과손실및 VWSR 열화가 없는 양호한 동축선로-MSL 변환부를 실현할 수 있다.
다음에 본 발명의 다른 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
제 3 도는, 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 CWG-MSL 변환부의 사시도, 제 4도는 그 단면도를 표시한 것이다. 제 3 도 및 제 4 도에 있어서, (1)은 MSL에 있어서의 도체스트립, (2)는 유전체 기판, (3)은 CWG(4)를 가진 금속제 하우징체, (5)는 포우스트, (6)은 테프론 받침대, (8)은 금속제 받침대, (9)는 도체스트립(1)과 포우스트(5)를 접속하기 위한 관통구멍, (11)은 유전체 기판(2)의 어어드면이다.
이상과 같이 구성된 마이크로파회로에 대해서, 이하 그 동작에 대해서 설명한다. 먼저, CWG(4)속을 전파하는 마이크로파는, 포우스트(5)부분에 있어서 동축선로에 모우드변환되고, 테프론 받침대(6)를 내부유전체로 하는 동축선로 및 금속제 받침대(8)안쪽을 외도체로 하는 중공(中空)동축선로에 변환된다. 다음에 상기한 2종류의 동축선로와 특성임피이던스가 동등한 MSL에 변환된다. 그리고 관통구멍을 통과한 포우스트(5)는 도체스트립(1)과 접속된다.
그래서, 본 실시예에 있어서는, 금속제 받침대(8)의 높이를 금속제 하우징체(3)보다 약간 높게 하므로서, 유전체 기판(2)의 휘어짐등의 영향을 받지 않고, 동축선로의 외도체와 MSL의 어어드면(9)은 충분한 접촉이 얻어지기 때문에 어어드면이 완전히 일치하고 부정합 부분이 발생하지 않는다. 즉, 본 실시예에 의하면, 금속제 받침대(8)의 높이를 적절히 선택하므로서, 통과손실 및 VSWR 열화가 없는 양호한 동축선로-MSL 변환부를 실현할 수 있다.
[산업상의 이용가능성]
이상과 같이 본 발명은, 유전체 기판상에 구성된 MSL의 어어드면으로부터 유전체 기판에 형성한 관통구멍을 개재해서, MSL의 도체스트립과 금속제 하우징체를 외도체로 하는 동축선로의 내도체를 접속하는 금속제 하우징체쪽의 접촉면에 동심원형상융기부를 가지므로서, 동축선로와 상기 MSL의 사이에 부정합을 발생시키는 일없이, 통과손실 및 VSWR 열화가 없는 양호한 동축선로-MSL 변환부를 실현할 수 있고, 그 실용적 효과는 큰 것이다.
Claims (1)
- 유전체 기판(2)상에 구성되는 마이크로스트립선로(이하 단순히 MSL이라고 칭함)의 어어드면(11)으로부터 상기 유전체 기판(2)에 형성한 관통구멍(9)을 개재해서, 상기 MSL의 도체스트립(1)과 금속제 하우징체(3)를 외도체로 하는 동축선로의 내도체를 접속하는 상기 금속제 하우징체(3)쪽의 접촉면에 동심원형상융기부(7)를 가진 것을 특징으로 하는 마이크로파회로.
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