KR950001417A - 포지티브 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브 포토레지스트 조성물 Download PDF

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KR950001417A
KR950001417A KR1019940013368A KR19940013368A KR950001417A KR 950001417 A KR950001417 A KR 950001417A KR 1019940013368 A KR1019940013368 A KR 1019940013368A KR 19940013368 A KR19940013368 A KR 19940013368A KR 950001417 A KR950001417 A KR 950001417A
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요시끼 히시로
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고오사이 아끼오
스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

하나의 위치에서 치환된 술폰아미드, 카르복실산아미드 및 우레이도로 구성된 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 가진 화합물, 용해억제제 및 유기 용매를 함유하며, 포토레지스트 본래의 양호한 특성에 손상을 주지 않으면서 제조 공정의 제어에도 어려움 없이 가스 센서, 컬러 필터 등의 제조 및 인쇄를 위해 적용할 수 있는 포지티브 포토레지스트 조성물이 개시되어 있다. 이 포지티브 포토레지스트 조성물을 사용하여, 색의 어두움 및 색의 재현성과 같은 각종 특성이 우수한 얇은 컬러 필터를 수득할 수 있다.

Description

포지티브 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (11)

  1. 하나의 위치에서 치환된 술폰아미드, 카르복실산아미드 및 우레이도로 구성된 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 가진 화합물, 용해억제제 및 유기 용매를 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 용해 억제제가 0-벤조퀴논디아지드술폰산에 스테르 또는 0-나프토퀴논디아지드술폰산에스테르인 포지티브 포토레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 하나의 위치에서 치환된 술폰아미드, 카르복실산아미드 및 우레이도로 구성된 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 가진 화합물이 하기 식(Ⅰ)로 표시되는 시안 염료인 포지티브 포토레지스트 조성물;
    (SO3M)h-[Pc]-(SO2-NH-R)1(Ⅰ)
    (상기 식에서, Pc는 프탈로시아닌 핵이고, h 및 i는 각각 SO3M 및 SO2-NH-R의 평균 치환수이고, R은 알킬, 시클로알킬, 알킬카르보닐아미노알킬, 알킬카르보닐아미노, 시클로헥실알킬, 알콕시, 알콕시알킬, 아릴, 아르알킬, 또는 알킬카르보닐옥시기이고, SO3M는 술폰산 또는 술폰산염이고, 단, h+i≤4, h≤3 및 i=1 내지 4이다)
  4. 제1항에 있어서, 하나의 위치에서 치환된 술폰아미드, 카르복실산아미드 및 우레이도로 구성된 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 가진 화합물이 하기 식(Ⅱ)로 표시되는 디아조 염료 또는 트리아조 염료인 포지티브 포토레지스트 조성물;
    A-N=N-B-(-N=N-D-)k-N=N-E (Ⅱ)
    (상기 식에서, A, B, D 및 E는 각각 독립적으로 치환될 수도 있는 벤젠 또는 나프탈렌 고리이고, k는 0 또는 1이고, 단 A, B, D 및 E의 적어도 하나는 -SO2-NH-R 및/또는 -CO-NH-R(R은 제3항에서 정의된 것과 같다)로 치횐된 벤젠 또는 나프탈렌 고리이다)
  5. 제1항 또는 2항에 있어서, 하나의 위치에서 치환된 술폰아미드, 카르복실산아미드 및 우레이도로 구성된 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 가진 화합물이 하기 식(Ⅲ)로 표시되는 황색 염료인 포지티브 포토레지스트 조성물;
    G-J-M´ (Ⅲ)
    [상기 식에서, M´는 하기 식으로 표시되는 기:
    {식중,R3~R5의 각각은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 할로겐 원자, 술폰산기, 술폰산염 기 또는 -SO2-NH-R(식중, R은 상기 정의된 것과 같다)이고, 단, R3~R5의 적어도 하나는 -SO2-NH-R이다}이고; J는 하기 식의 하나로 표시되는 가교 기:
    {식중, R6~R14의 각각은 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 할로겐 원자, 술폰산기, 술폰산염 기 또는 -SO2-NH-R(R은 상기 정의된 바와 같다)이다}이며; G는 M´, 수소 원자 또는 치환될 수도 있는 페닐아조페닐, 나프틸아조페닐 또는 페닐아조나프틸기이고, R은 제3항에서 정의된 바와 같다]
  6. 제1항에 있어서, 하나의 위치에서 치환된 술폰아미드, 카르복실산아미드 및 우레이도로 구성된 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 가진 화합물이 하기 식(Ⅳ)로 표시되는 마겐타 염료인 포지티브 포토레지스트 조성물;
    (상기 식에서, R15~R18의 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 치환될 수도 있는 알킬기 또는 아릴기이고, R19~R21은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환될 수도 있는 알킬기 또는 아릴기, 술폰산기, 술폰산염 기, 또는 -SO2-NH-R이고, 단,R15~R18로 표시되는 아릴기의 치환체 및 적어도 하나의 R19~R21는 -SO2-NH-R(식중 R은 상기 정의된 바와 같다)이다)
  7. 제1항에 있어서, 하나의 위치에서 치환된 술폰아미드, 카르복실산아미드 및 우레이도로 구성된 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 가진 화합물이 하기 식(Ⅴ)로 표시되는 염료인 포지티브 포토레지스트 조성물;
    (상기 식에서, m 및 n은 각각 SO3M 및 SO2-NH-R의 평균 치환수이고, 이들 모두는 안트라퀴논 고리의 치환체이고, m 및 n은 각각 0 내지 4 및 1 내지 6이고, 단 m+n≤6이며, R 및 SO3M은 상기 정의된 바와 같다)
  8. 제1항에 있어서, 하나의 위치에서 치환된 술폰아미드, 카르복실산아미드 및 우레이도로 구성된 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 가진 화합물이 하기 식(Ⅵ)로 표시되는 염료인 포지티브 포토레지스트 조성물;
    (상기 식에서, A´ 및 B´는 각각 독립적으로 수소원자 또는 치환될 수도 있는 알킬 또는 아릴기이고, 단 A´및 B´는 모두 동시에 수소원자가 아니고, m´및 n´는 A´및 B´의 단지 하나, A´및 B´의 모두, 또는 안트라퀴논 고리상에 치환될수 있는 SO3M 및 SO2-NH-R의 평균 치환 수이며, m´및 n´는 각각 0 내지 2 및 1 내지 3의 정수이고, 단 m´+n´≤3이고, R및 S03M은 상기 정의된 바와 같다)
  9. 제1항에 있어서, 하나의 위치에서 치환된 술폰아미드, 카르복실산아미드 및 우레이도로 구성된 군에서 선택되는 1개 이상의 기를 가진 화합물이 하기 식들중의 하나로 표시되는 화합물인 포지티브 포토레지스트 조성물;
    (X0는 -0-, -S- 또는 -SO2-이다)
    및
    (상기 식에서 R은 상기 정의된 바와 같고, B1내지 B8의 각각은 독립적으로 수소 원자 또는 저급 알킬이고, B2내지 B7의 각각은 독립적으로 카르복실산기, 카르복실산염 기, 술폰산기, 술폰산염 기, 히드록시 기, 저급 알킬기 또는 수소 원자이고, 각각 -SO2-NH-R 및 -CO-NH-R(R은 상기 정의된 바와 같다)의 치환 수인 K´및 j´는 각각 독립적으로 0 내지 3이며, 단 k´+j´≥1이다) 및
  10. 제1항에 있어서, 용해 억제제가 둘 이상의 t-부톡시카르보닐옥시기를 가진 화합물이고, 광-유도산 전구체를 더욱 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
  11. 제1항에 있어서, -SO2NH- 또는 -CO-NH-CO- 기를 가진 중합체를 용해 억제제에 비해 적은 양으로 더욱 함유하는 포지티브 포토레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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