KR940016862A - 고체 촬상소자 제조방법 - Google Patents

고체 촬상소자 제조방법 Download PDF

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KR940016862A
KR940016862A KR1019920024638A KR920024638A KR940016862A KR 940016862 A KR940016862 A KR 940016862A KR 1019920024638 A KR1019920024638 A KR 1019920024638A KR 920024638 A KR920024638 A KR 920024638A KR 940016862 A KR940016862 A KR 940016862A
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심진섭
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract

본발명은 고체 촬상 소자의 제조방법에 관한 것으로 패드 오픈에 관한 것이다. 종래에는 포토다이오드(1)와 패드(2)가 형성된 기판에 보호막(3)을 형성하고 패드위의 보호막(3)을 제거한 다음 패드부분을 제외한 영역에 평탄층(5)을 형성하고 평탄층(5)위에 염색층을 형성한다. 그리고 전면에 투명보호막(7)을 형성하고 포토에치공정으로 패드위의 투명 보호막(7)을 제거하였다. 따라서, 투명보호막과 감광막이 같은 유기질이므로 식각종점을 검출하기 어렵고, 염색층 형성시 패드가 노출되어 패드 부식할 염려가 있다. 본 발명은 종래의 공정과 같으나 패드위의 보호막(3)을 제거하지 않고 투명보호막(7) 제거공정시에 패드위의 보호막(3)을 제거한 것이다. 따라서 식각 종점을 검출할 수 있어 공정이 쉽고 간단하며 염색층 형성시 패드가 노출되지 않아 패드가 부식될 염려가 없다.

Description

고체 촬상소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본발명의 고체 촬상 소자 제조 공정 단면도.

Claims (1)

  1. 복수개의 포토다이오드(1)영역과 패드(2)가 형성된 기판에 보호막(3)을 형성하는 공정과, 보호막(3)위에 패드부분은 제거되도록 평탄층(5)을 형성하는 공정과, 포토다이오드(1)영역 상층의 평탄층(5)위에 각각의 염색층(6)을 형성하는 공정과, 전면에 투명보호막(7)을 형성하고 포토에치공정으로 패드(2) 상측의 투명 보호막(7)과 보호막(3)을 제거하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 고체 촬상 소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920024638A 1992-12-17 1992-12-17 고체촬상 소자 제조방법 KR960006201B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521970B1 (ko) * 1998-06-30 2006-01-12 매그나칩 반도체 유한회사 패드 금속의 표면 보호를 위한 이미지센서 제조방법

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KR100521970B1 (ko) * 1998-06-30 2006-01-12 매그나칩 반도체 유한회사 패드 금속의 표면 보호를 위한 이미지센서 제조방법

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