KR940009656B1 - 등압압축성형처리에 사용할 캡슐의 제조법 - Google Patents

Abstract

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Description

등압압축성형처리에 사용할 캡슐의 제조법

제 1 도는 본발명의 일실시예에 의해 처리될 자루형(bag-shaped)본체 및 재료를 표시하는 사시도.

제 2a 도 및 제 2b 도는 자루형 본체내에 포함된 상태로 처리될 재료의 2실시예를 각각 표시하는 사시도.

제 2c 도는 제 2b 도의 부분확대도.

제 3a 도 및 제 3b 도는 각각 배기(evacuation)의 2실시예를 나타내는 사시도.

제 4 도는 처리될 재료가 밀봉된 캡슐의 사시도.

제 5 도는 TIG 용접의 설명도.

제 6a 도 및 제 6b 도는 각각 시임 레지스턴스(seam resistance)용접의 설명도.

제 7 도는 크램프를 사용하여 겹침용접(lap welding)이 행해지는 방법을 표시하는 단면도.

제 8 도는 상면에 피복층을 구비한 처리될 재료가 캡슐된 상태를 표시하는 단면도.

제 9 도는 처리될 재료를 포함하는 오목한 부분을 가진 캡슐의 단면도.

제 10 도는 복수의 오목부분을 구비한 금속호일의 사시도.

제 11 도 및 제 12 도는 각각 선행기술에 의한 방법을 표시하는 단면도.

제 13 도는 선행기술에 의해 제조된 캡슐의 변형된 상태를 나타내는 설명도.

본 발명은 고온에서 세라믹의 성형된 분말체, 금속, 수지등의 처리될 재료를 고수압 처리하여 고밀도의 소결체를 생산하거나, 고온에서 재료를 고수압 처리하여 2 또는 그 이상의 다른 재료를 확산 연결하는데 이용되는 고온 등압압축성형방법(HIP방법)및 중온등압압축성형방법(WIP방법)과 같은 등압압축성형처리에 사용할 캡슐을 제조하는 방법에 관한 것이다.

고온에서 압력매질로서 제곱센티미터당 킬로그램힘(kgf/㎠)으로 수백에서 수천의 고압을 가진 유체를 사용하여 압축성형을 행하는 HIP 및 WIP방법은 높은 작업압력을 제공하고 등압압축이 가능하기 때문에 처리되기 어려운 분말재료를 소결하여 고밀도 제품을 만드는 기술 또는 고체상 확산연결기술에 최근 급속하게 널리 이용되고 있다. HIP법은 압력매질로서 고압가스를 사용하기 때문에 2000℃ 또는 그 이상의 고온이 발생하는 것을 가능하게 한다. 다른 한편 WIP법은 내열성 오일등을 사용하여 적어도 약 300℃까지의 온도사용을 허용한다.

분말 재료를 소결하여 고밀도 질량으로 하거나 고체상 확산 조이닝을 행할때에는 상기 2방법은 압력매질이 처리될 재료에 침투되는 것을 막기 위해 처리될 물질의 전체표면을 가스 불투수성 물질로 피복해야하는 예비처리가 요구된다. 예비처리의 한 방법으로서, 예를들면 일본국 특공개(KOKAKI) 47-16308호(1972) 또는 57-116702호(1982)에 공개된 분말, 재료등을 포함한 처리될 재료를 진공상태에서 금속용기 또는 캡슐로 밀폐시키는 것이 있다.

일본국 특공개(KOKAI) 47-16308호에 개시된 기술에 의하면 제 11 도에서 보는 바와같이 처리될 판상유사 재료의 대안적 스택(stack)(101) 및 금속호일(102)은 파이프부재(103), 바닥부분(104) 및 진공파이프(105)를 가지는 캡(106)을 구비한 금속 캡슐(107)내에 밀폐된다. 파이프부재(103), 바닥부분(104) 및 캡(106)은 상호간에 용접되어 있다. 진공파이프(105)를 통해 용접된 조합체를 배기시킨후 파이프(105)는 파이프(105)를 밀폐시키기 위해 기계적으로 압축되고, 파이프(105)는 밀폐된 부분에서 절단된다. 마지막으로 진공파이프(105)의 절단된 부분은 용접, 용융 본딩 또는 그와 유사한 방법으로 밀폐시켜서 처리될 재료(101)가 배기상태에 포함되어 있는 캡슐(107)을 제조한다. 그렇게하여 제조된 캡슐(107)은 HIP장치의 연소실로 보내어 소정의 조건하에서 HIP처리를 한다. 그리고 캡슐(107)이 제거되고 호일(102)을 이탈시켜 판상 유사소결체를 얻는다. 일본국 특공개(KOKAI) 57-116702호(1982)에 개시된 기술에 의하면 제 12 도에서 보는 바와같이 처리될 재료(101)는 파이프부재(109), 하부캡(110) 등으로 구성된 금속캡슐(107)내에 위치하고 재료(101)와 캡슐(107) 사이의 공간은 유동성 분말입자(111)로 채워져 있다. 캡슐(107)은 파이프(112)를 통해 배기되고, 파이프(112)의 중간부분은 밀폐적으로 차단하여 봉인하고 이어서 HIP처리를 한다.

그러나 파이프 또는 얇은 물질두께를 가진 판으로 형성된 용접블랭크재료로 제조되는 종래구조의 캡슐은 그 자체 높은 강성을 가지고 다음의 결점이 있다. 종래 구조를 가지는 캡슐의 높은 강성때문에 캡슐은 높은 온도에서도 소성 변형성에 상대적으로 높은 저항을 나타낸다. 그러므로 제 13 도에서 보는 바와같이 HIP처리 동안 그러한 캡슐(107)은 모래시계형 전체모양으로 위축되는 결점이 있다. 결과적으로 약 1mm의 작은 두께를 가지는 처리될 재료의 경우에는 모래시계형 모양으로의 변형은 평면을 이루기 어렵게 한다. 그외에 종래 기술에 의해 캡슐내에서 처리될 재료를 밀봉함에 있어서 처리될 물질의 외부 주변표면과 캡슐의 내부 주변 표면 사이에 안전하게 소정의 공간이 생기도록 하기 위해 캡슐의 내경을 정확히 할 필요가 있다. 따라서 캡슐의 크기를 주어진 처리될 재료의 각 크기에 따라 결정할 것이 요구되며 그러한 공정은 불편하고 생산성이 나빠진다. 다른 한편 처리될 재료와 캡슐사이의 공간을 채우는데 분말입자가 사용되는 공정은 부수적으로 분말입자가 요구되며 그 공간에 분말입자를 가하는 단계가 필요해진다. 더욱이 캡슐을 배기할때 분말입자가 빨려들어가는 것을 방지할 장치가 요구된다. 이러한 점들 때문에 공정의 생산성등에서 문제점이 있다. 더욱이 종래방법은 배기시키는데 사용하는 스티프(stiff) 파이프의 일부를 압축하고 이어서 일단 절단한 후 용접이나 용융본딩등으로 봉합하는 시스템을 사용한다. 그러한 시스템때문에 양호한 밀봉상태로 얻기 어렵고 얻어진 캡슐은 밀봉질이 떨어지며 낮은 진공도를 가진다. 더 나아가, HIP처리후에 캡슐을 제거하기 위해서는 캡슐자체의 높은 강성때문에 선반에 의해 캡슐을 그라인딩하는 방법 또는 강산내에서 캡슐을 용해하는 방법을 사용할 필요가 있다.

그러한 방법에 의해 캡슐을 제거하는 것은 많은 시간이 걸리고 생산성이 낮아지며 작은 크기의 성형체의 다량 처리에는 적합하지 않다.

본 발명의 목적은 좋은 밀봉질을 얻을 수 있고, 종이 유사 성형체의 제조를 가능하게 하고, 높은 생산성을 가지고 작은 크기의 성형체의 대량 처리에 적합한 등압압축성형처리에 사용할 캡슐을 제조하는 방법에 관한 것이다.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 의해 제공되는 기술적수단은 등압압축성형처리에 사용할 캡슐의 제조방법에서 찾아볼수있으며 그 방법은 이하의 단계 즉 처리될 재료 즉 세라믹, 금속, 수지등을 30 내지 300㎛ 두께의 금속 호일로써 봉합하는 제1단계 및 금속호일내의 처리될 재료를 밀봉하기 위해 금속호일을 TIG 용접장치에 의해 용접하여 캡슐을 제조하는 제2단계(특허청구범위 제 1 항)로 구성되어있다.

본발명에 의한 다른 기술적 수단은 상기한 방법이 시임 레지스턴스 용접에 의해 행해지는 방법에 있다(특허청구범위 제 2 항).

본발명에 있어서 휘드(feed)부 3를 가진 자루형 본체(1A)는 30 내지 300㎛ 두께의 금속호일(2)로 형성되어 있다. 그러므로, 처리될 재료(6)을 금속호일(2) 내부에 위치시키고 자루형본체(1A)가 배기되면 자루형 본체(1A)를 구성하는 금속호일(2)은 처리될 재료(6)의 외부표면에 일치한 모양으로 용이하게 변형되어 배기는 효과적으로 이행된다. 배기후 처리될 재료(6)의 외부표면에 일치한 모양으로 용이하게 변형되어 배기는 효과적으로 이행된다. 배개 후 처리될 재료(6) 및 배기용 파이프(7)는 겹침용접(11)을 한다. 그 용접은 배기상태하에서 행해지기 때문에 밀봉후 자루형 본체(1A) 내부에 양호한 진공도가 얻어진다. 더욱이 금속호일(2)의 양면은 배기로 인해 각기 접촉하고 있기 때문에 용접(11)이 용이하게 이루어져서 양호하게 밀봉된 상태의 캡슐(1)을 얻을수 있다. 특허청구의 범위 제 1 항에 의한 겹침용접(11)은 가스차폐 아크용접중의 하나인 이른바 TIG(tungsten inert gas welding)에 의해 행해지는데 이경우 용접은 제 5 도에서와 같이 알곤, 헬리움 또는 이들의 혼합가스로 이루어진 보호가스 분위기하에서 텅스턴전극을 사용하여 행해진다. 그렇게 하여 YAG 레이저용접 또는 광조사(light beam) 용접보다 보다 경제적으로 겹침용접(11)을 하는 것이 가능해진다. 특허청구범위 제2항에 의한 본발명에 있어서 겹침용접(11)은 시임레지스턴스용접에 의해 이행되는데 제6(1)도 및 제 6b 도에서 보는 바와같이 구리합금롤러 5A 및 5A쌍 사이에 금속호일(2)를 조이고 연속적인 용접을 얻기위해 스포트(spot)용접이 반복된다.

본 방법은 YAG 레이저 용접 또는 광조사 용접을 이용하는 방법보다 한층 경제적이다. 더욱이 구리합금롤러 5A, 5A 사이에서 금속호일(2)를 조이는 과정은 특별한 크램핑 지그(clamping jigs)의 필요성을 배제한다.

상기와 같이 제조된 캡슐(1)이 등압압축성형방식에 의해 압축되면 캡슐(1)자체는 매우 낮은 강도를 가지기 때문에 처리될 재료(6)의 등압압축성형처리는 효과적으로 행하여질수 있다.

더나아가 등압압축성형처리후에 재료를 캡슐(1)의 적당한 위치를 절단함으로써 용이하게 캡슐(1)로부터 떼어낼수 있다. 왜냐하면 캡슐(1)은 얇은 금속호일(2)로 이루어져 있기때문이다. 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 이하에서 설명한다.

첫째 제 1 도를 보면 HIP 또는 WIP 처리에 사용될 금속캡슐을 제조할 자루형 본체(1A)가 도시되어 있다.

자루형 본체(1A)는 하나가 다른 하나의 위에 있는 한쌍의 사각 금속호일(2)로 형성되고 사각의 3테두리를 따라 호일(2)을 겹침용접(4)하고, 사각중 1테두리는 챠아지(charge)부(3)를 이루기 위해 용접하지 않고 남겨둔다. 금속호일(2)용 재료는 HIP 또는 WIP 처리온도 및 처리될 재료와 호일재료와의 반응성을 고려해서 적합하게 선택될수 있다. 선행기술의 결점을 보다 효과적으로 주목하기 위해서 호일재료로서 보다 연한 재료가 좋다.

예를들면 알루미늄, 납, 연강, 스테인레스스틸, 구리 프라티늄, 탄탈륨, 몰리브데늄 등이 사용될수 있다. 본 발명에서 사용되는 금속호일(2)의 재료두께는 재료의 유연성, 소성변형성, 파괴강도등을 고려하여 결정되는데 구체적으로 30 내지 300㎛이다. 만약 금속호일(2)의 두께가 30㎛이하이면 호일에 기공이 생길수 있다. 그러한 상황에서는 호일재료자체의 가스가 새는 품질이 엄격하게 보장될수 없다.

더욱이 금속호일(2) 이송도중 긁혀서 손상되거나 구멍이 날수있다. 따라서 30㎛이하의 호일 두께는 실제 사용상 바람직하지 못하다.

다른 한편 호일두께가 300㎛를 초과하면 가위나 절단기와 같은 간단한 방법으로 금속호일을 절단할수없다. 더욱이 HIP 처리후의 캡슐제거가 용이하지 않으며 선반등과 같은 것이 요구된다.

결론적으로 본발명의 이점이 손상된다. 보다 구체적으로 금속호일의 두께는 HIP처리후 캡슐제거의 면에서 호일을 용이하게 절단할수 있는 100㎛ 또는 그 이하가 바람직하다. 용접(4)에 의한 밀봉은 TIG 용접 또는 시임 레지스턴스 용접을 통해 이루어진다. 제 6 도에서 나타내는 HIP 또는 WIP로 처리될 재료는 세라믹, 금속, 수지의 단일 재료 또는 이들의 2 또는 그 이상으로 이루어지는 혼합재료 또는 연결될 2 또는 그 이상의 판유사시료등으로 이루어져 있다.

처리될 재료(6)은 챠아지부분(3)을 통해 금속호일(2)의 내부에 위치하여 자루형본체(1A)를 형성한다. 그 후에 제 2a 도에서 보는 바와같이 배기용 파이프(7)를 파이프(7) 접착용 개구부분(9)으로 이용되는 챠아지부분(3)을 통해 자루형 본체(1A) 내부로 삽입한다. 개구부는 접착, 0-링, 납땜, 용접등으로 가스가 새지않게 밀봉된다. 파이프(7)은 금속 또는 수지 어느하나로 형성될수 있고 에폭시에 기초한 접착제의 사용 또는 다른 수지가 간단하고 바람직하다. 파이프(7)가 금속으로 이루어져 있는 경우는 개구부의 봉합을 위해 납땜 또는 용접이 채용된다. 배기용 파이프(7)가 접착될 위치는 챠아지부(3)에 한정되지 않는다. 제 2b 도 및 제 2c 도와 같이 금속호일(2)에 파이프(7)를 접착할수 있는 개구부(9)를 만들어 개구부(9) 속으로 파이프(7)를 삽입하고 접착제, 0-링, 용접(8) 등으로 가스가 새지않게 개구부(9)를 밀봉하는 것도 가능하다. 가스가 새지않는 특성이 유지되는 이경우에 있어서 사각형의 다른 3테두리를 밀봉하는 동일 방법의 용접(4)을 통해 챠아지부(3)를 밀봉하든지 자루형 본체(1A)의 상하부 금속호일 상호간을 기계적으로 크램핑함으로써 처리될 재료를 자루형 본체(1A)내에 포함시킨다.

다음 제 3a 도 및 제 3b 도와 같이 진공펌프등의 진공호스(10)를 파이프(7)에 연결하고 자루형 본체(1A)를 배기시킨다. 소정의 진공도에 이르면 진공펌프등에 의한 배기를 처리될 재료(6) 및 파이프(7) 사이의 위치에서 자루형 본체(1A)의 상하부 금속호일(2)을 겹침용접(11)하여 밀봉될때까지 계속한다. 그리고 파이프(7)편의 필요없는 부분을 가위 또는 절단기등으로 적당한 위치에서 절단하여 제 4 도와 같이 처리될 재료가 내부에 밀봉된 캡슐이 얻어진다. 배기후의 겹침용접(11)은 TIG용접, 시임레지스턴스 용접등을 적용하여 행한다.

겹침용접에서 가스가 새지않는 용접상태를 얻기위해서는 겹친금속호일(2)를 밀착시켜 그 사이의 격차가 호일(2)두께의 1/10배가 넘지 않게 해야한다. 그외에 예를들면 용접되는 부위의 온도증가에 의한 열팽창때문에 금속호일(2)이 주름지게 될수도 있다. 이러한 주름지는 현상은 예를들면 제 7 도와 같이 크램핑장치(13)의 상하면으로부터 용접부분 가까운 부위에서 캡슐(1)이 조여진 상태에서 캡슐(1)의 용접위치에 TIG용접을 함으로써 저지할수 있다. TIG 용접은 제 5 도와 같이 알곤, 헬리움 또는 이들의 혼합가스(5F)를 포함한 보호가스분위기내로 텅스텐 전극(50)을 노즐(5D)밖으로 아크(5G)를 발생시킴으로써 행한다. TIG 용접은 YAG 레이저 용접 또는 광조사 용접보다 한층 경제적이다. 더욱이 TIG 용접은 예를들면 20KHz 펄스의 고주파수펄스를 가하여 얇은 금속호일(2)의 겹침용접을 가능하게 한다. 또한 겹침용접(11)은 시임레지스턴스 용접 수단으로 행해지는데, 제 6a 도 및 제 6b 도와 같이 금속호일(2)을 구리합금롤(5A)사이에 조이고 50㎏의 용접힘(F) 및 변압기(5C)로 용접전류 1050, 1150 또는 1400A 등을 공급하여 용접속도를 1m/min로 하여 행해진다.

시임게지스턴스 용접에서는 롤(5A)은 지그로 작용하기 때문에 부가적인 이점을 제공한다. HIP 처리가 캡슐(1)의 금속호일을 처리될 재료(6)에 접착시킬 가능성이 있을때에는 제 8 도와 같이 소결되기 힘든 세라믹등으로 구성된 피복층(15)을 처리될 재료(6)의 표면 또는 캡슐(1)의 내부표면상에 코팅이나 불꽃 스프레잉등에 의해 가하는 것이 바람직하다. 피복층(15) 대신에 세라믹페이퍼 또는 세라믹플레이트를 처리될 재료(6)와 캡슐(1) 사이에 설치할 수 있다. 또한 처리될 재료(6)와 반응하기 힘든 텅스텐, 플라티늄등과 같은 높은 용융온도를 가진것이 피복층(15) 대신에 중간에 설치될수 있다.

처리될 재료(6)의 표면을 깨끗하게 유지하기 위해 처리될 재료(6)과 함께 산소, 질소등의 게터(getter)로서 적절한 위치의 캡슐(1) 내에 지르코니움, 티타니움등의 호일이 함유되는 것이 바람직하다. 더욱이 처리될 재료(6)의 두께가 10mm 또는 그 이상이면 제 9 도와 같이 금속호일(2)을 미리 프레스작업등을 하여 처리될 재료(6)가 손쉽게 담길수 있는 오목부분(17)을 형성한다. 더나아가 처리될 재료(6)와 같은 복수의 작은 크기의 성형된 본체를 캡슐화하는 경우 제 10 도와 같이 처리될 재료(6)를 금속호일(2)에 형성된 다수의 담을수 있는 오목부분(17)에 각각 담고 그위에 다른 금속호일(2)을 덮은 후 재료(6)의 전체 세트주위를 따라 시임용접을 하여 자루형 캡슐(1)을 만든다.

이하 본발명을 구체적 실시예를 참고하여 설명한다.

[실시예 1]

블랭크재료로서 100㎛ 두께의 스테인레스 스틸(SUS 304) 호일을 용접전류 6A 및 공급율 3mm/sec의 조건하에서 고주파펄스 TIG 용접을 하여 폭 350mm 및 길이 500mm의 인베롭유사(envelop-like) 형태의 캡슐(1)을 제조한다. 처리될 재료(6)는 알루미나 세라믹 본체로서 상압하에서 1400℃에서 예비소결하고 200×250×10mm의 크기를 가지며 상대밀도가 85%이다. 처리될 재료(6)은 챠아지부분(3)을 통해 자루형 본체(1A)에 위치시키고 50㎛ 두께의 텅스텐 호일을 자루형 본체(1A)와 재료(6) 사이에 위치시켜 둘 사이의 반응을 방지시킨다. 외경 10mm 내경 8mm의 연강(mild steel)으로된 배기용 파이프(7)을 챠아지부분(3)에 삽입하고 납땜으로 가스가 새지 않게 밀착시킨다. 진공펌프의 호일(10)을 파이프(7)에 연결시키고 그곳을 통해 자루형 본체(1A)를 배기시킨다.

10^-2Torr의 진공에 이르면 처리될 재료(6)와 파이프(7) 사이의 금속호일부분을 제 7 도와 같이 조이고 고주파수 펄스 TIG 용접에 의해 겹침용접(11)을 한다. 그리고 그렇게 용접된 금속호일(2)은 (12) 위치에서 절단하여 제 4 도와 같은 캡슐(1)을 제조한다. 진공으로 내부에 처리될 재료(6)가 밀봉된 상기와 같이 제조한 캡슐(1)은 HIP 시스템에 위치시켜 1시간동안 1300℃ 및 1000kgf/㎠의 조건하에서 HIP 처리를 한다. HIP 처리후 틴만(tinman)의 절단기를 사용해 캡슐(1)을 절단하고 소결된 세라믹 제품이 복귀된다. 그렇게 하여 얻어진 알루미나 세라믹 제품은 거의 100%의 상대밀도를 가지고 크기가 190.4×236.8×9.5mm이고 모양은 유사하나 처리전보다 재료(6)의 크기가 압축되어있다.

[실시예2]

블랭크 재료로서 50㎛ 두께의 스테인레스스틸 호일을 사용하여 시임 레지스턴스 용접으로 인베롭 유사형태의 폭 100mm 길이 150mm의 캡슐(1)을 제조한다. 용접은 용접전류 1150A, 용접힘 50㎏ 및 용접속도 1/m/min의 조건하에서 행한다. 처리될 재료(6)은 사각 80mm 두께 0.5mm의 구리판과 같은 크기의 스테인레스 스틸판 한쌍을 겹쳐 놓은 것이다. 처리될 재료(6)은 챠아지부분(3)을 통해 자루형 본체(1A)내에 위치시키고 캡슐내부를 깨끗하게 유지시키기 위해 자루형본체 및 재료(6) 사이의 틈에 지르코니움 호일을 위치시킨다.

외경 8mm, 내경 6mm의 배기용 알루미니움 파이프(7)를 에폭시 접착에 의해 가스가 새지 않도록 챠아지 부분(3)에 결합시킨다. 접착이 굳어진후 진공펌프호일(10)을 파이프(7)에 연결하여 자루형본체(1A)를 배기시킨다. 10^-1Torr의 진공에 이르면 처리될 재료(6)가 밀봉된 캡슐(1)은 HIP 시스템에 위치시켜 1시간동안 1000℃ 및 1000kgf/㎠의 조건하에서 HIP 처리를 한다. 캡슐(1)을 절단하고 처리될 재료(6)를 끄집어 내보면 구리판과 스테인레스 스틸은 상호간 만족스럽게 디퓨젼(diffusion) 결합되어 있음을 알수있다.

상기한 본발명의 방법에 의해 캡슐은 30 내지 300㎛의 작은 두께를 가진 금속호일로 구성되고 그리하여 등압압축동안 처리될 재료의 모양과 일치하게 정형적으로 수축한다. 결과적으로 비정상적 수축에 의한 뒤틀림이 처리될 재료에서 일어나지 않는다. 더욱이 금속호일이 틴만의 절단기등으로 손쉽게 절단되고 처리될재료로부터 쉽게 벗겨지기 때문에 등압압축성형처리후 캡슐을 제거하는 것이 용이해진다. 또한 그 사이에 처리될 재료가 끼워져 있는 금속호일은 처리될 재료의 주변을 따라서 위치한 곳에서 상호간 밀착되어 있고 밀착된 부분을 용접하여 캡슐을 형성하기 때문에 처리될 재료의 모양에 적합하게 금속호일의 모양을 할수있는 여지가 충분하다. 따라서 특별한 처리될 재료에 맞게 각종 캡슐을 만들 필요성이 없는 것이다. 더나아가, 금속호일은 처리될 재료와 밀착되기 때문에 처리될 재료 주위의 공간을 2차적인 압력매체로 채울 필요가 없게 된다. 따라서 본발명의 방법에 의하면 등압압축하에서 캡슐이 불균일하게 변형되어 처리될 재료가 뒤틀릴 가능성이 없게된다. 그외에도 캡슐내에 처리될 재료를 밀봉하는 단계가 간단해지고, 처리될 재료의 복잡한 모양에 잘 적응할수 있게 된다. 본발명에 의한 방법은 또한 등압압축성형에 의해 처리될 재료를 캡슐로 부터 끄집어내기가 쉬워 향상된 생산성이 보장되며 작은 크기의 처리될 재료를 대량 처리하는데 적합하다. 더나아가 본발명의 방법은 겹침용접을 YAG 레이저 용접, 광조사 용접보다 경제적이고 큰 용량의 전력공급이 요구되지 않는 TIG 용접이나 시임 레지스턴스 용접을 통해 행하게 된다. 따라서 본발명방법은 간단한 장치에 의해 행해진다. TIG 용접이나 시임 레지스턴스 용접을 사용하는 특별한 이점은 광조사 용접의 경우 호일이 동시에 용융 및 용접되어 종종 용접지역에 결함을 남기는데 비해 용접지역에 결함이 거의 발생하지 않는다는 것이다. 더욱이 시임 레지스턴스 용접을 사용하는 부가적인 이점은 용접시 롤러가 크램프장치로서 제공되어서 용접이 또한 원주위 방향을 따라 행해질 수 있다는 것이다.

Claims (2)

1. 처리될 재료를 30 내지 300㎛의 두께를 가진 금속호일로 봉입하는 제1단계 및 금속호일을 용접하여 그렇게 용접된 금속호일내에 처리될 재료를 밀봉하여 캡슐을 제조하며 그 용접은 HIP 용접에 의해 행해지는 제2단계를 구비한 등압압축성형처리에 사용한 캡슐의 제조방법.
2. 처리될 재료를 30 내지 300㎛의 두께를 가진 금속호일로 봉입하는 제1단계 및 금속호일을 용접하여 그렇게 용접된 금속호일내에 처리될 재료를 밀봉하여 캡슐을 제조하며 그용접은 시임 레지스턴스 용접에 의해 행해지는 제2단계를 구비한 등압압축성형처리에 사용할 캡슐의 제조방법.