KR940009022B1 - 내열성 구조층의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

내열성 구조층의 제조방법
본 발명은 기재위에 층 또는 박막(foil)의 형태의 복사전에 민감한 용성 중합체를 부착하고, 네가티브를 통해 화학광선(actinic light)으로 층 또는 박막을 조사하거나 또는 박막위에 빛, 전자, 레이저 또는 이온빔을 유도하고, 층 또는 박막의 조사되지 않은 부분을 제거하고 계속하여 임의로 템퍼링(tempering)하여 내열성 구조층을 제조하는 방법에 관한 것이다.
내열성 중합체를 근거로하는 구조층의 제조방법은 예를들면 독일특허 2,308,830 및 유럽특허 0,019,123 및 0,026,820에 공지되었다. 이러한 방법에서, 내열성이 높은 중합체의 용성이고 광 반응성인 전구물질들은 사진평판 구조화를 위해 사용되고, 계속되는 템퍼링 단계에서, 그로부터 제조된 구조들은 내열성이 높은 구조로 고리화된다. 완전한 고리화 및 분열 생성물의 제거를 위해, 400℃까지의 온도가 필요하다. 이것은 높은 열을 받을 수 있는 기재를 필요로 한다.
회로 및 전송분야에서, 즉 회로판 제작 기술분야에서, 시간당 약 150℃까지의 열에 견딜 수 있고, 땜납과정에서 수초동안 약 260℃의 온도에서 견딜 수 있는 에폭시-소재의 기재가 필요하다. 부분적인 가동 전도체의 보호를 위해 사용된 땜납 레지스트가 유사한 열적 요구를 만족해야 하고 ; 땜납 금속과 접촉하지 않는 회로표면의 면적을 보호하기 위해 중간의 열 안전성의 중합체가 필요하다. 이러한 목적을 위해 아직도 사용되는 에폭시 및 아크릴레이트 소재의 건식 레지스트 및 스트린 인쇄 래커들은 땜납 정지 마스크(solder stop mask)의 요구를 만족하나, 이러한 물질들은 규정된 사이클 강도에서, 100㎛이하의 구조를 갖는 미세-전도체 기술에 필요한 치수 정확성을 위한 더 절실한 요구를 단지 부분적으로만 만족시킨다. 이것을 위해 사진 평판 래커 시스팀이 필요하다. 중합체 사슬에 칼콘기(chalcone groups)가 참여하고, 충분한 치수 정확성이 제공된 광 구조화 가능한 에폭시 소재 래커 시스팀이 이미 이용되고 있다. 그러나, 비교적 긴 노출 및 전개시간이 광 구조화(photostructuring)를 위해 필요하다. 더욱더, 회로 시스팀은 때때로 독성 기체로부터 보호되어야 하고 ; 공지된 래커 시스팀과 더불어 이러한 보호는 값비싼 다중의 피복을 사용하여 단지 얻어질 수 있다. 수시간의 경화시간이 필요하기 때문에 공정은 길어지고 값이 비싸다.
본 발명의 목적은 특히 침적 납땜(dip soldering)의 광범위한 열 및 기계적인 응력에 견디고, 하나의 피복공정으로 수분 및 부식에 대해 회로표면을 효과적이고 지속적으로 보호하는 회로표면에 대한 치수적으로 정확하고, 높은 등급인 구조층의 제조방법을 제공하는 것이다. 다른 목적은 방법이 가격면에서 적절하도록 노출, 전개 및 템퍼링 시간이 짧아진 구조층의 제조방법을 제공하는 것이다.
이러한 및 다른 목적들은 올레핀-불포화된 모노이소시안에이트와 하나 이상의 히드록실 그룹을 갖는 폴리에테르의 부가생성물인 폴리에테르-소재 광중합체의 층 또는 박막을 기재위에 부착하고 ; 네가티브를 통해 화학광선을 층 또는 박막의 부분에 조사하거나 또는 층 또는 박막위에, 빛, 전자, 레이저 또는 이온빔을 유도하고 ; 그리고 층 또는 박막의 조사되지 않은 부분을 제거하는 것으로 이루어진 내열성 구조층의 제조방법에 의해 달성된다.
또한 본 발명은 광범위한 전기분야에 사용할 수 있는 본 발명의 방법에 따라 제조된 내열성 구조층을 제공한다.
본 발명에 따른 방법은 부식에 민감한 부품 및 회로를 효과적이고 지속적으로 보호하는 반도체 및 회로분야용 미세한 구조의 보호 및 절연층의 저렴하고 효율적인 제조방법을 제공한다. 특히 유리한 점은 전개 공정이 하부 절단(under cutting)을 필요로하지 않으므로 땜납 연결은 땜납 공정으로부터 일어나지 않는다는 사실이다. 또한 본 발명에 따른 방법은 제조된 구조와 관련하여 필요한 치수 정확성 요구를 만족시킬 뿐만 아니라 짧은 전개 시간으로 폭넓은 범위의 층 두께에 매우 높은 해결을 허락한다. 특히 이 방법은 한번의 부착(통상의 장치를 사용하여)으로, 임의로 짧은 템퍼링후에 내열성이 높은 광 구조층이 제조되기 때문에 가격면에서 효율적이다. 심지어 땜납 배드 조건하에서, 이들 층들은 치수적으로 안정하고 균열벗(fissureless)이 남아 있고, 습기 및 부식에 대해 지속적인 보호물로서 효과적이다. 동시에 우수한 전기적 특성은 심지어 습한 기후에서도 영향을 받지 않고 얻어진다.
본 발명에 따른 방법에서, 광 중합체는 빛- 또는 복사선-민감성 공중합 가능한 화합물과 함께 사용하는 것이 유리할 수 있다. 이러한 공중합 가능한 화합물은 바람직하게는 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트기, 특히 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트 및 메타크릴레이트 및/또는 1,4-부탄디올 디메타크릴레이트를 갖는 화합물이다. 또한 알릴기를 함유하는 화합물들은 즉, 디알릴 및 트리알릴 시아누레이트 뿐만 아니라 N-치환된 말레인이미드가 사용될 수 있다(참고 : “Industrie Chimique Belge”, Vol.24, 1959, pages 739 to 764 ; and J.Kosar, “Ligh-Sensitive Systems”, John Wiley ＆ Sons Inc., New York 1965, pages 143 to 146 and 160 to 188). 특히, 적당한 것은 알파-할로겐 아세토페논, 디메톡시- 및 디에톡시 아세토페논과 같은 디알콕시아세토페논, 치환될 수 있는 산화 벤조일포스핀 및 미클러의 케톤(Micher′s Ketone)이 있다. 또한 광 개시제 또는 증감제로서 벤조인 에테르 ; 4, 41비스(디에틸아미노)벤조페논 ; 2, 6-비스-(p-아지도벤질리덴)-4메틸시클로헥사논 ; 이소프로필티오크산톤과 같은 티오크산톤 ; 및 아세토페논이 적합하다. 결합에 도움을 주는 것이 본 발명의 방법에 유리하게 사용할 수 있다. 바람직하게는 비닐 트리에톡시실란, 비닐 트리스(베타-메톡시 에톡시)실란, 감마-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 감마-글리시독시프로필 트리메톡시실린 및 감마-아미노프로필 트리에톡시실란과 같은 실란이 있다.
본 발명의 방법에 사용된 광 중합체들은 계류중인 미국특허 출원 “polyether -based Photopolymers”, 일련번호…(VPA 85 P 3201 US)에 제시되어 있다. 일반적으로 이들 광 중합체들은 다음 구조를 갖는다 ;
Figure kpo00001
상기식에서 n≥50이고, R, R1, R2, R3및 R4는 다음과 같다 : R은 임의로 헤테로원자를 갖는 방향족 및/또는 지방족 및/또는 시클로지방족 구조 및/또는 헤테로고리 구조의 임의로 할로겐화된 2가의, 즉 2작용성기이고 ; R1은 2가의 지방족기이고 ; R2는 임의로 할로겐화된, 2가의 지방족 및/또는 시클로지방족기이고 ; R3는 수소 또는 임의로 할로겐화된 알킬기이고 ; R4는 지방족 및/또는 시클로지방족 및/또는 방향족 결합을 통해 결합된 올레핀-불포화된 기, 예를들면 알릴에테르 또는 말레인이미드를 함유하는 기, 또는 바람직하게는 임의로 치환된 (메트)아크릴에스테르-함유기이다.
바람직한 광 중합체는 플루오로화된 이소프로필기를 임의로 가지는 이소시아나토에틸 메타크릴레이트와 페녹시 수지의 부가생성물, 또는 2,4-디이소시아나토톨루엔과 히드록시에틸 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트의 부가 생성물의 형태인 올레핀-불포화된 모노이소시안에이트와 페녹시 수지의 부가 생성물이다. 이러한 광 중합체는 다음 예시적인 구조식으로 설명된다.
Figure kpo00002
상기 언급한 것처럼, 구조층은 기재위에 층 또는 박막의 형태의 광 중합체를 부착하고, 이것을 마스크를 통해 화학광선에 노출시키거나, 또는 여기에 빛, 전자, 레이저, 또는 이온빔을 유도하여 조사시키는 본 발명에 의해 제조된다. 그후, 노출되지 않거나 또는 조사되지 않은 층 또는 박막 부분을 용해시키거나 또는 떼어내고, 얻어진 구조층 또는 경감된 구조를 임의로 템퍼링한다. 바람직하게는, 광 중합체는 시클로헥사논, 감마 부티롤락톤, N-메탈피롤리돈 및 이들의 혼합물과 같은 통상의 유기용매에 용해된 기재위에 부착한다. 포토레지스트 용액의 농도는 원심분리, 침지, 분무, 붓기(pouring), 나이핑(knifing), 브러싱(brushing) 또는 로울링 피복과 같은 공지된 피복방법으로, 0.01 내지 약 500㎛의 층 두께가 형성될 수 있도록 조절할 수 있다. 부드러운 표면을 갖는 기재위에 일정하고, 우수한 표면질을 얻기 위해 붓기(참고, 유럽특허 0,002,040), 나이핑, 및 특히 정전기적 분무피복 및 분당 300 내지 10,000회전되는 원심분리 피복이 바람직하다. 표면위에 구리 전도체를 갖는 회로판과 같은 고르지 않은 표면위에서는 300 내지 1500의 원심분리 속도가 바람직하다. 나이핑, 분무 및 붓기 피복에 사용된 래커용액의 점성도 범위는 바람직하게는 200 내지 1500mPa.s(23℃에서)이다.
바람직하게는 회로판재료, 유리, 금속, 플라스틱 또는 반도체로 구성되는 기재위에 도포된 포토레지스트 층은 순환질소 또는 공기중 실온에서, 바람직하게는 50 내지 80℃의 온도에서 용매로부터 분리할 수 있고 ; 작업은 진공하에 수행될 수 있거나, 또는 건조는 적외선 램프 또는 가열판을 가지고서 행할 수 있다.
조사(irradiated)된 그리고 조사되지 않은 층 또는 박막 부분 사이에 수용할 수 있는 용해도 차이를 얻기 위해, 본 발명의 방법에 관련하여 350W 고초압 수은램프를 사용할때 조성물 및 층두께에 따라 5 내지 400초사이의 노출시간이 충분하다. 노출 및 임의의 두번째 건조공정후, 노출되지 않은 부분은 유기용매로 용해시킨다.
본 발명의 방법에 의해 제조된 구조층 또는 경감된 구조들은 우수한 모서리 첨예도(shapness), 높은 분해능을 나타내고, 침적 납땜공정의 열 및 기계적인 변형에 견디는 치수 안정성 및 균열없는 균일한 표면을 갖는다. 땜납위의 접착은, 바람직한 것처럼 땜납 비드가 중합체층에 접착하지 않도록 매우 낮다. 본 발명에 따라 제조된 구조층은 균열없이 -65 내지 +125℃사이의 순환시험을 통과할만큼 충분한 탄성을 갖는다. 구조층으로 보호된 회로표면은 100V의 전압, 92%의 상대습도 및 40℃의 기후시험에서 전도체 부식을 나타내지 않음을 보여준다. 이러한 층들은 단지 땜납 레지스트 마스크로서만 적합한 것이 아니라 ; 습기 및 독성기체의 작용에 대한 효과적이고, 지속적인 보호층으로서도 사용할 수 있다.
또한 본 발명에 따라 제조된 고순도 구조층은 반도체 부품상의 비활성층(passivation layer), 얇고, 두꺼운 필름회로, 다층 배선위에 땜납보호층 및 필름회로의 부분품인 절연층의 제조를 위해 적당하다. 또한 층들은 전기적으로 전도, 반전도 및/또는 절연기재 물질위에 소형화한 보호 및 절연층으로서 사용할 수 있다. 부강하여 층은 습식 또는 건식에칭공정, 전기없는(wattless) 또는 전기도금 금속용착 및 증착방법과 같은 구조전이공정 및 기재의 미세구조화에 일반적으로 사용할 수 있고, 또한 이온주입용 마스크로서 사용할 수 있고 ; 층들은 이러한 공정과 더불어 사용할때 중간체 보호를 제공한다. 더욱이 이들 층들은 전기공학 및 소형전자 산업분야에 절연 및 보호층으로서, 표면과 필터(특히, 텔레비젼 중간주파수 필터)용 가습물질로서, 기억소자의 셀분야의 알파-선 보호기로서, 및 액정 디스플레이의 배열층으로서 적당하다.
본 발명은 다음 실시예들을 참고로 더 상세히 설명되었으나 이들로 인해 본 발명의 범위가 제한되지는 않는다. 물론 이들 실시예들은 본 발명의 정신 및 범위에 따라 다양할 수 있다.
[실시예 1]
습기없는 건조한 디클로로메탄 69부(중량)에 순수한 2,4-디이소시아나토톨루엔 40부를 한방울씩 가한다. 얻어진 용액에 2-히드록시메틸 아크릴레이트 29.2부를 실온에서 교반하면서 천천히 한방울씩 가한다. 24시간동안 방치한후, 이소시아네이트기의 전환은 적정에 의해 99%로 결정되었다. 그다음 광 반응성 이소시아네이트는 가벼운 경우 250중량부를 가지고서 반응용액으로부터 추출한다. 추출매질의 제거후, 64.5g(이온치의 93%)의 깨끗한 점성액체로 분리한다.
실온에서 교반하면서, 건조한 감마-부티롤락톤 140부, 건조한 N-메틸 피롤리돈 137부, 상기 제시한 방법으로 분리한 순수한 광-반응성 모노이소시아네이트 50부, 및 디부틸주석 디라우레이트 0.1부를 페녹시수지 Ruetapox 0717(“Ruetapox”는 Rutgerswerke AG의 상품명임)의 35부에 가한다. 반응용액을 48시간동안 교반한후 7중량부의 에탄올을 가한다. 24시간 더 교반한후, 이소시아네이트기는 더 이상 검출되지 않는다.
그다음 상기 제시한 방법으로 제조된 광-반응성 페녹시수지(23% 수지용액으로서) 100부에 벤조인 이소프로필에테르 0.65부, 미클러의 케톤 0.08부, 트리메틸롤 프로판 트리아크릴레이트 1.65부 및 비닐-트리스(베타-메톡시에톡시)실란 0.3부를 가한다. 그다음 용액을 5㎛필터를 통해 가압여과한다. 얻어진 용액의 점성도는 23℃에서 830mPa.s이다.
결합체의 도움으로 피복된 실리콘 디스크위에서 800rpm으로 용액을 원심분리하여 순환 공기오븐에서 60℃에서 30분동안 건조시켜 23㎛ 두께의 균일한 층을 얻는다. 350W 초고압 수온램프로 마스크를 통해 40초동안 노출시킨후, 층을 감마-부티롤락톤/크실렌(부피비 1 : 2)으로 전개시킨다음 분무공정에서 크실렌으로 씻어주어 뚜렷한 윤곽을 갖는 구조층을 제조한다. 이들층의 모서리 형성 및 표면질은 1시간동안 150℃에서 템퍼링에 의해 손상되지 않았다. 패턴의 분해능은 ≤20㎛이다.
상기에 제시한 것처럼 제조되고 공지된 통상의 용제로 처리된 광 구조층은 20초의 침지시간과 더불어 260℃의 땜납배드에서 시험한후 균일하고 균열이 없는 표면을 나타낸다. 땜납은 비드의 래커표면을 벗긴다.
[실시예 2]
감마 부티롤락톤 114부에 Ruetapox 0723(시클로헥사논/에틸글리콜 아세테이트에 50% 용액) 110부를 녹인 용액에 순수한 이소시아나토에틸 메타크릴레이트 33부 및 디부틸주석 디라우레이트 0.1부를 가한다. 그다음 혼합물을 실온에서 30분간 교반한후, 반응용액에 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 9부를 가한다.
24시간 더 교반한후, 수지용액 100부에 디클로로아세토페논 0.6부, 디에톡시 아세토페논 0.3부, 미클러의 케톤 0.3부 및 비닐-트리스-(베타-메톡시에톡시)실란 0.3부를 가한다. 계속하여, 용액을 5㎛ 필터를 통해 가압여과한다.
광-반응성 페녹시수지의 여과한 용액은 표면에 구리전도체를 갖는 회로판 시험 플레이트위에서 400rpm으로 원심분리한 다음 70℃에서 1/2시간동안 순환 공기오븐에서 건조시킨다. 얻어진 래커필름의 두께는 50㎛ 이다. 그 다음 필름은 마스크를 통해 10초동안 350W 초고압 수은램프에 노출시키고, 순환공기오븐중에 70℃에서 30분간 최종적으로 건조시킨다. 냉각제로서 물을 사용하여 시클로헥사논으로 35초동안 전개시킨후, -65° 내지 +125℃에서 100순환시켜 전혀 표면의 질이 손상되지 않은 예리한 모서리를 갖는 구조층을 얻는다. 이들층들은 손상되지 않은 흐름 및 360℃에서 침적 납땜공정에 견디고, 땜납은 비드의 표면을 벗긴다. 100V의 전압, 92%의 상대습도 및 40℃에서의 습기시험은 래커로 보호된 전도체면의 부식을 나태내지 않는다.
[실시예 3]
습기가 없는 건조한 디클로로메탄 113.2부에 2,4-디이소시아나토톨루엔 62부를 가한 다음, 실온에서 교반하면서 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트 51.2부를 한방울씩 천천히 가한다. 실온에서 24시간 반응시킨 후, 이소시아네이트 전환은 적정으로 결정하여 99%가 되었다. 가벼운 가솔린 450부를 가하여 흰색 결정의 침전물을 얻는다. 순수한 광-반응성 모노이소시아네이트의 수득률은 105부 또는 이론치의 93%이다.
감마 부티롤락톤 140부, N-메틸 피롤리돈 105부 및 디부틸 주석디라우레이트 0.01부의 혼합물인 상기 제시한 방법으로 제조된 광-반응성 모노이소시아네이트 95부의 용액에 습기없이 페녹시수지 용액(Ruetapox 0723) 125.2부를 가한다. 반응을 50℃에서 12시간 교반하면서 진행시키고 그다음 이온도에서 반응용액에 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 8부를 가한다. 추가로 5시간 더 교반한후, 에탄올 4부를 가한다. 24시간후 수지용액은 23℃에서 330mPa.s의 점성도를 갖는다.
상기 얻어진 용액 100부에 이소프로필 티오크산톤 0.66부, 미클러의 케톤 0.08부, 트리메틸롤 프로판 트리아크릴레이트 1.65부 및 비닐트리에톡시실란 0.3부를 가한다. 그다음 혼합물을 5바아의 압력하에서 5㎛필터를 통해 여과하고, 20㎛ 두께의 래커층을 제조하기 위해 기재위에 따른다. 층은 마스크를 통해 30초동안 350W 초고압 수은램프로 조사한 다음 노출된 층을 90℃에서 5분간 순환공기오븐에서 다시 건조시킨다. 구조화(시간 : 10초) 감마 부티롤락톤 및 크실렌(부피비 1 : 2)의 전개 혼합물에 의해 발생하고 냉각은 크실렌으로 행한다. 이러한 방법으로 제조된 구조층은 땜납배드에 저항한다.
[실시예 4]
디클로로메탄 115.3부에 순수한 2,4-디이소시아나토 톨루엔 66.8부를 가한 용액에 수분없이 실온에서 교반하면서 순수한 2-히드록시에틸 아크릴레이트 23.6부 및 순수한 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 24.8부의 혼합물을 천천히 한방울씩 가한다. 실온에서 40시간 반응시킨후, 이소시아네이트 전환은 적정에 의해 98%로 결정되었다.
얻어진 광 반응성 모노이소시아네이트 용액을 감마-부티롤락톤 397부에 Ruetapox 0717의 107부에 녹인 용액과, 또한 디부틸 주석 디라우레이트 0.22부와 합친다. 실온에서 25시간동안 반응시킨후 반응용액에 에탄올 15부를 가한다. 더욱더 24시간후 용액은 피복용으로 사용할 수 있다.
상기의 방법으로 제조된 폴리에테르 용액 100부에 2,4,6-트리메틸벤조일 포스파인 옥사이드 1.2부, 미클러의 케톤 0.3부 및 비닐트리에톡시실란 0.3부를 가한다. 혼합물을 5바아의 압력에서 5㎛의 필터를 통해 여과한 다음 30㎛ 두께의 래커층을 제조하기 위해 구리기재위에 따른다. 층은 350W 초고압 수은램프로 30초동안 마스크를 통해 조사한다. 실시예 2에 따라 35초동안 전개시킨후 심지어 260℃의 땜납배드 조건하에서 안정한 부드러운 균열없는 표면을 얻는다. 땜납은 랙커표면에 접착되지 않으나, 비드에서 벗겨진다.
본 발명은 상세히 제시된 특이한 구현에 의해 설명되었으나, 단지 설명할 목적으로 제시하였고, 그로인해 제한되지는 않는다. 이 분야의 통상의 지식을 가진자들에게 잘 알려진 것처럼 상기 설명으로부터 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 어떤 수정 및 변경이 가능하다. 따라서, 이러한 수정 및 변경은 본 발명의 범위 및 다른 청구범위의 범위내에 포함되는 것으로 고려된다.

Claims (11)

  1. 기재위에 층 또는 박막의 형태로 복사선에 민감한 용성 폴리 에테르-소재 광 중합체를 부착하고 ; 네가티브 패턴을 통해 화학광선으로 층 또는 박막의 부분을 조사하거나 또는 층 또는 박막위에 빛, 전자, 레이저 또는 이온빔을 유도하고 ; 그리고 층 또는 박막의 조사되지 않은 부분을 제거하고, 이어서 가능하다면 템퍼링하고, 폴리에테르 소재 광 중합체는 히드록실기 함유 페녹시수지와 올레핀 불포화된 모노이소시아네이트의 부가 생성물의 형태로 사용하는 내열성 구조층의 제조방법에 있어서, 메타크릴레이트기 함유 이소시아네이트 또는 히드록시에틸(메트) 아크릴레이트와 2,4-디이소시아나토톨루엔의 부가생성물이 올레핀-불포화된 모노이소시아네이트로 사용됨을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 광 중합체가 빛- 또는 복사선에 민감한 공중합할 수 있는 화합물, 특히 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트기 함유화합물과 함께 사용됨을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 광 중합체가 광 개시제 또는 광 증감제, 특히 알파-할로겐아세토페톤, 디알콕시아세토페논, 산화벤조일포스핀 및 미클러의 케톤과 함께 사용됨을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 15,000 내지 30,000의 분자량을 갖는 페녹시 수지를 사용함을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 따른 제조된 내열성 구조층.
  6. 제9항의 구조층을 사용하는 마이크로-전도체 기술에 영구적 보호를 제공하는 땜납 레지스트 및 절연층.
  7. 제9항의 구조층을 사용하는 전기도금, 습식 및 건식에칭, 및 이온주입에 의해 수행되는 구조전이공정에 중간체 보호기능을 제공하는 레지스트.
  8. 제9항에 구조층을 사용하는 전기공학분야 특히 반도체 기술분야의 보호 및 절연재료.
  9. 제9항의 구조층을 사용하는 표면과 필터용 제동물질.
  10. 제9항의 구조층을 사용하는 기억부분품의 셀분야용 알파-선보호기.
  11. 제9항의 구조층을 사용하는 액정 디스플레이용 배열층.
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