DK164064B - Fremgangsmaade til fremstilling af varmebestandige strukturerede lag og disses anvendelse - Google Patents

Description

-1-

DK 164064 B

1 Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af varmebestandi- ge strukturerede lag ved påføring af strålingsfølsomme opløselige polymerer i form af et lag eller en folie på et substrat, bestråling af laget hhv. folien gennem negativmasker med aktinisk lys eller ved styring af en lys-, elektron-, la-5 ser- eller ionstråle, fjernelse af de ikke-bestrålede lag- hhv. foliedele og eventuelt ved efterfølgende varmebehandling under anvendelse af photopolymerer på polyetherbasis i form af additionsprodukter af et olefinisk umættet monoiso-cyanat og en hydroxylgruppeholdig phenoxyharpiks, samt anvendelsen af disse strukturerede lag.

10 Fremgangsmåder til fremstilling af strukturerede lag på basis af varme-

bestandige polymerer er eksempelvis kendt fra DE-PS 2 308 830 samt fra EP-PS

0 019 123 og EP-PS 0 026 820. Ved disse fremgangsmåder anvendes opløselige photoreaktive prækursorer til højtemperaturbestandige polymerer til photoli-tografisk strukturering, og de deraf fremstillede strukturer cycliseres i et ef-15 terfølgende varmebehandlingstrin til højtemperaturbestandige strukturer. Til den fuldstændige cyclisering og fjernelsen af spaltningsprodukteme er temperaturer på indtil 400°C nødvendige. Dette kræver termisk højbelastbare substrater.

Fra US-patentskrift 3 776 889 kendes lysfølsomme, i organiske op-20 løsningsmidler opløselige, filmdannende polymerer, som i det væsentlige-består af en allylcarbamylester af en hydroxylgruppeholdig polymer, som har en molekylvægt på mellem 500 og 115.000. Som hydroxylgruppeholdige polymerer tjener i det foreliggende tilfælde phenoxyharpikser, polyvinylalkohol, polyester, polyurethanharpikser og shellak. Disse hydroxylgruppeholdige poly-25 merer forestres med allylisocyanat, hvorved de lysfølsomme polymerer opstår.

De lysfølsomme polymerer anvendes i photomekaniske processer og i photolit-hografien, dvs. til fremstilling af photografiske resistbilleder.

Inden for kredsløbs- og ledningssektoren, eksempelvis i printpladetek-nikken, anvendes bl.a. substrater på epoxidbasis, som termisk kan belastes til 3 0 maksimalt ca. 150°C/1 h og kun i nogle sekunder skal kunne tåle temperaturer på ca. 260°C, eksempelvis ved loddeprocesser. De herved til partiel lederba-neafdækning anvendte såkaldte Ioddestoplakker skal modsvare lignende termiske krav, d.v.s. her kræves der til afdækning af de områder på kredsløbsoverfladen, som ikke skal komme i kontakt med loddemetallet, polymere med en mo-35 derat termisk bestandighed. De hidtil til dette formål (endnu) anvendte tør-resists- hhv. silketryklakker på epoxid- og acrylatbasis modsvarer ganske vist kravene til en loddestopmaske men opfylder dog kun delvis de stigende krav til målnøjagtigheden inden for finlederteknikken med strukturer clOOpm samt den krævede stabilitet under forarbejdning. Hertil kræves photolitografiske 40 laksystemer.

Man råder ganske vist allerede over et photostrukturerbart laksystem på epoxidbasis med i polymerkæden indbyggede chalkongrupper, dvs. den kemiske forbindelse l,3-diphenyl-2-propen-l-on, som også kendes under navnet benzylidenacetophenon eller benzalacetophenon. Den forhåndenværende dob-45 beltbinding tildeler denne forbindelse en photoreaktiv egenskab, og der sikres med forbindelsen en tilstrækkelig målnøjagtighed. Hvad angår photostruktu- -2-

DK 164064 B

rerbarheden er relativt lange belysningstider og især lange fremkaldelsestider imidlertid nødvendige. Desuden kan der med det kendte laksystem kun opnås en yderligere vedvarende beskyttelse af den for skadelige gasser følsomme kredsløbsoverflade, hvilket ofte er påkrævet, ved en omstændelig flerlagspåfø-5 ring. Endvidere er procesforløbet, som følge af flere timers efterhærdning, langvarigt og omkostnings-krævende.

Opfindelsen har til formål at tilrettelægge en fremgangsmåde af den i indledningen nævnte art, hvor der anvendes photopolymerer på polyetherba-sis, på en sådan måde, at er muligt at fremstille dimensionsnøjagtige, struktu-10 rerede lag af høj kvalitet, især på kredsløbsoverflader, ved påføring i ét trin, hvilke lag også er stabile over for de omfangsrige termiske og mekaniske påvirkninger, eksempelvis ved loddebadsprocesser, og desuden beskytter kredsløbsoverfladen effektivt og vedvarende mod fugtighed og korrosion. Især skal procesforløbet forkortes ved korte belysnings-, fremkaldelses- og varmebe-15 handlingstider og derved gøres prisgunstigt.

Dette opnås ifølge opfindelsen ved, at der som olefinisk umættet monoiso-cyanat anvendes et methacrylatholdigt isocyanat eller et additionsprodukt af hydroxyethyl(meth)acrylat til 2,4 diisocyanatotoluol.

Fremgangsmåden ifølge opfindelsen tillader - inden for rammerne af et 20 prisgunstigt procesforløb - fremstilling af finstrukturerede beskyttelses- og isoleringslag til halvleder- og kredsløbssektoren, hvilke lag vedvarende og virksomt beskytter de over for korrosion følsomme komponenter og kredsløb. Særligt fordelagtigt er det herunder, at fremkaldelsesprocessen ikke fører til opløsning, og at der således ikke optræder loddetinbroer ved loddeprocesser.

25 fremgangsmåden ifølge opfindelsen opfylder endvidere ikke blot de med hensyn til målnøjagtigheden af de frembragte strukturer stillede krav men mu liggør endvidere en meget høj opløsning inden for et bredt lagtykkelsesområde med korte fremkaldelsestider. Denne fremgangsmåde er endvidere prisgunstig, især også fordi den ved en enkelt påføring (med konventionelt udstyr) -30 eventuelt efter kortvarig varmebehandling - giver photo strukturerede lag med tilstrækkelig høj varmebestandighed, hvilke lag - også under loddebadsbetin-gelser - forbliver formstabile og revnefri og er virksomme som vedvarende beskyttelse mod fugtighed og korrosion. De gode elektriske karakteristika forringes således heller ikke; i fugtigt klima.

35 Ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen kan photopolymereme med fordel anvendes sammen med lys- eller strålingsfølsomme copolymerisations-egnede forbindelser. Dertil anvendes fortrinsvis acrylat- og methacrylatgrup-peholdige forbindelser, især trimethylolpropantriacrylat og -methacrylat og/eller 1,4-butandioldimethacrylat. Der kan dog også anvendes allylgruppe-40 holdige forbindelser, eksempelvis diallyl- og tri ally Icyanura ter, samt N-substituerede maleinimider. Endvidere kan også anvendes photoinitiatorer og/eller -sensibilisatorer (jvf.: "Industrie Chimiqe Beige", Vol. 24, 1959, pp. 739-764, samt J. Kosar, "Light-Sensitive Systems", John Wiley & Sons Inc., New York 1965, pp. 143-146 og 160-188). Særlig egnede er α-halogenacetophenoner, dialkoxyace-45 tophenoner, såsom dimethoxy- og diethoxyacetophenon, benzoylphosphinoxi-der, som eventuelt kan være substituerede, og Michler's keton. Som photoinitiatorer hhv. -sensibilisatorer egner sig dog også eksempelvis benzoinether, 4,4'- -3-

DK 164064 B

bis(diethylamino)-benzophenon, 2,6-bis-(p-azidobenzylid-en)-4-methylcyclo-hexanon, thioxanthoner, såsom isopropylthioxanthon, og acetophenon. Endvidere kan der ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen med fordel anvendes adhæsionsformidlere. Dertil tjener især silaner, såsom vinyltriethoxysilan, vi-5 nyl-tris(P-methoxyethoxy)-silan, γ-methacryl-oxypropyl-trimethoxysilan, γ-glycidoxypropyl-trimethoxy-silan og γ-aminopropyl-triethoxysilan.

De ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen anvendte photopolymerer er beskrevet i EP-offentliggørelsesskrift 0 206 158. Foretrukne photopolymerer er her additionsprodukter af isocyanatoethylmethacrylat og phenoxyharpikser, 10 som indeholder eventuelt fluorerede isopropylgrupper, eller additionsprodukter af phenoxyharpikser med olefinisk umættede monoisocyanater i form af additionsprodukter af 2,4-diisocyanatotoluol hydroxyethylacrylat eller - meth-acrylat. Sådanne photopolymerer er tydeliggjort i de følgende formler.

.5 CF3 —0~ί Vc—/ N-O—CHj-CH-CH2-- ~ CF3 _ i o—c I*

NH

(CH2)2 0 o=c c-ch3 L CH2 -4-

DK 164064 B

ch3 —O-(^y-C-(^y-0—CH2-CH-CH2-- ch3 o o=c ch3

NH

i

O—C

o (CH2>2 0 o=c

CH

n

ch2 J

hvor n>50.

De anvendte phenoxyharpikser har fortrinsvis en molekylvægt på mellem 15.000 og 30.000.

Fremstillingen af de strukturerede lag ifølge opfindelsen sker, som alle-5 rede beskrevet, på den måde, at den photopolymere i form af et lag eller en folie påføres på et substrat og bestråles med aktinisk lys gennem en maske eller ved at føre en lys-, elektron-, laser- eller ionstråle. Derefter opløses eller aftrækkes de ikke-belyste lag- eller foliedele og de derved opnåede strukturerede lag hhv. reliefstrukturer varmebehandles eventuelt. Photopolymeren påføres 10 derved fortrinsvis opløst i et organisk opløsningsmiddel på substratet. Koncentrationen af photolakopløsningen i gængse opløsningsmidler, såsom cyclohe-xanon, γ-butyrolacton, N-methylpyrrolidon og blandinger deraf, kan indstilles således, at der med kendte belægningsmetoder, såsom påslyngning, dypning, sprøjtning, støbning, spartling, børstning eller rulning, kan frembringes lag-15 tykkelser på 0,01 til ca.500 pm. Til frembringelse af en ensartet og god overfladekvalitet på substrater med glat overflade har støbefremgangsmåden (en sådan fremgangsmåde er eksempelvis kendt fra EP-PS 0 002 040), spartling og især elektrostatisk påsprøjtning og påslyngning ved 300 til 10.000 omdr./min. vist sig fordelagtig. Ved ujævne overflader, såsom printplader med kobberba-20 ner på overfladen, er påslyngningsomdrejningstal på 300 til 1.500 fordelagtige. Viskositetsområdet af de til spartling, sprøjtning og støbning anvendte la-kopløsninger ligger med fordel mellem 200 og 1.500 mPa.s ved 23°C.

Det på substratet, der fortrinsvis består af printplademateriale, glas, metal, formstof eller halvledere, påførte photolaklag kan ved stuetemperatur, for-25 trinsvis ved temperaturer fra 50° til 80°C, i en nitrogen- eller luftstrøm befries -5-

DK 164064 B

for opløsningsmiddel; til dette formål kan der også arbejdes i vakuum eller tørres med infrarøde stråler hhv. på en opvarmet plade.

Til frembringelse af en tilstrækkelig opløselighedsforskel mellem de bestrålede og de ikke-bestrålede lag- hhv. foliedele er belysningstider mellem 5 5 og 400s. tilstrækkelige ved anvendelse af en kviksølvhøjtrykslampe, afhængigt af sammensætningen og lagtykkelsen. Efter belysningen, eventuelt efter en eftertørringsproces, opløses de ikke-belyste dele med organiske opløsningsmidler.

De ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen fremstillede strukturerede 10 lag hhv. reliefstrukturer udmærker sig ved kantskarphed, høj opløsning, en ridsefri homogen overflade og en varmeformbestandighed, som også tåler de termiske og mekaniske påvirkninger ved en dyppeloddeproces. Vedhæftnin-gen til loddetin er meget lille, således at der, som ønsket, ikke bliver loddetin-perler hængende på polymerlaget. De ifølge opfindelsen fremstillede struktu-15 rerede lag er tilstrækkeligt elastiske til at bestå cyklustests mellem -65° og +125°C uden ridsedannelse. Kredsløbsoverflader dækket med de strukturerede lag viser i klimatests ved 40°C og 92% luftfugtighed under spænding (100V) ingen lederbanekorrosion. Sådanne lag egner sig altså også - ud over anvendelsen som loddestopmasker - som virksomme og holdbare besyttelseslag mod ind-20 virkning fra fugtighed og skadelige gasser.

De omhandlede strukturerede lag egner sig også - på grund af den fremstillingsbetingede høje renhed - til fremstilling af passiveringslag på halvle-derkomponenter, af tynd- og tykfilmskredsløb, af loddebeskyttelseslag på fler-lagskredsløb, af isoleringslag som bestanddel af lagdelte kredsløb og af minia-25 turiserede beskyttelses- og isoleringslag på elektrisk ledende og/eller halvledende og/eller isolerende basismaterialer, og alment til finstrukturering af substrater og til strukturoverføringsprocesser, såsom våd- og tørætseprocesser, strømløs eller galvanisk metaludskillelse og pådamp-ningsfremgangsmåder, samt som masker for ionimplantation. Desuden egner disse lag sig som isole-30 rings- og beskyttelseslag i elektroteknikken og i mikroelektronikken, samt som dæmpningsmasser til overfladebølgefiltre, især fjernsynsmellemfrekvensfiltre, og som orienteringslag i flydende krystal displays.

Opfindelsen forklares nærmere ved hjælp af udførelseseksempler.

35 EKSEMPEL 1

Til 69 vægtdele tørt dichlormethan dryppes under udelukkelse af fugtighed 40 vægtdele rent 2,4-diisocyanatotoluen og til den derved opnåede opløsning ved stuetemperatur under omrøring derefter langsomt 29,2 vægtdele 2-hydroxyethylacrylat. Efter 24 timers henstand konstateres ved titrering af iso-40 cyanatgruppeme en 99%’s omsætning. Det photoreaktive isocyanat ekstrahe-res fra reaktionsopløsningen med 250 vægtdele petroleumsether og isoleres efter fjernelse af ekstraktionsmidlet som en klar viskos væske; udbytte: 64,5 g, d.v.s. 93% af det teoretiske.

Til 35 vægtdele af phenoxyharpiksen Riitapox® 0717 (Riitapox® er et va-45 remærke tilhørende Fa. Riitgerswerke AG) sættes ved stuetemperatur og under omrøring 140 vægtdele tørt γ-butyrolacton, 137 vægtdele tørt N-methylpyrro-lidon og 50 vægtdele af det på den i det foregående beskrevne måde isolerede -6-

DK 164064 B

photoreaktive monoisocyanat samt 0,1 vægtdel dibutylstannodilaurat. Efter omrøring af blandingen i 48 timer sættes til reaktionsopløsningen 7 vægtdele ethanol. Efter yderligere 24 timer kan der ikke længere påvises isocyanatgrup-per.

5 Til 100 vægtdele af den på den ovenfor beskrevne måde - som 23%'s har piksopløsning - fremstillede photoreaktive phenoxyharpiks sættes 0,65 vægtdele benzoinisopropylether, 0,08 vægtdele Michler's keton, 1,65 vægtdele tri-methylolpropantriacrylat og 0,3 vægtdele vinyl-tris(P-methoxyethoxy)-silan. Opløsningen trykfiltreres derefter gennem et 5μιη-β1ΐεΓ. Viskositeten af den 10 derved opnåede opløsning udgør ved 23°C 830 mPa.s.

Ved påslyngning af opløsningen ved 800 omdr./min. på en med en adhæsionsformidler belagt siliciumskive fås efter 30 min.s tørring ved 60°C i en cir-kulationsluftovn 23 μπι tykke homogene lag, som efter en belysning på 40 sek. med en 350W kviksølvhøjtrykslampe gennem en maske fremkaldes med γ-15 butyrolacton/xylen (volumenforhold 1 - 2] og efterskylning med xylen ved sprøjtning til konturskarpe strukturerede lag. Kantformen og overfladekvaliteten af disse lag påvirkes ikke ved 1 times varmebehandling ved 150°C.

Et med kendte kommercielt tilgængelige flusmidler behandlet photostruk-tureret lag har efter loddebadstest ved 260°C og 20 s dypningstid en homogen 20 ridsefri overflade. Loddetinnet perler let af lakoverfladen.

EKSEMPEL 2

Til en opløsning af 110 vægtdele Riitapox 0723 (50%'s opløsning i cyclo-hexanon/ethyl-glycolacetat) i 114 vægtdele γ-butyrolacton sættes 33 vægtdele 25 rent isocyanato-ethylmethylacrylat og 0,1 vægtdele dibutylstannodilaurat, og der omrøres derefter i 30 timer ved stuetemperatur.

Til reaktionsopløsningen sættes derefter 9 vægtdele 2-hydroxyethyl-met-hylacrylat. Efter yderligere 24 timer ved stuetemperatur tilsættes 100 vægtdele af haipiksopløsningen, 0,6 vægtdele dichloracetophenon, 0,3 vægtdele dieth-30 oxyacetophenon, 0,3 vægtdele Michler's keton og 0,3 vægtdele vinyl-tris(P-methoxyethoxy)-silan. Opløsningen trykfiltreres derefter gennem et 5μπι -filter.

Den filtrerede opløsning af den photoreaktive phenoxyharpiks påslynges ved 400 omdr./min. på overfladen af en testprintplade med kobberlederbaner 35 og tørres derefter 1/2 time ved 70° C i cirkulerende luft. Laklagets tykkelse udgør derefter 50μιη. Efter belysning med en 350W kviksølvhøjtrykslampe gennem en maske i 10 sek. og efter 30 minutters eftertørring ved 70°C i cirkulationsluftovn fås med cyclohexanon som fremkalder, hvor vand anvendes som stopmiddel, kantskarpe strukturerede lag, hvis overfladekvalitet ikke påvirkes 40 ved 100 gentagne cyclusser mellem -65°C og + 125°C. Disse lag modstår ligeledes ubeskadiget bølge- og dyppeloddeprocesser ved 260°C; loddetinnet perler af overfladen. Fugtighedstests ved 40°C og 92% luftfugtighed og under en spænding på 100 V viser ingen korrosion på de med lak afdækkede lederbaneområ-der.

45 EKSEMPEL 3

Til 113,2 vægtdele tørt dichlormethan dryppes under udelukkelse af fugtighed 62 vægtdele 2,4-diisocyanatotoluen og derefter ved stuetemperatur og

DK 164064 B

-7- under omrøring langsomt 51,2 vægtdele 2-hydroxyethylmethacrylat. Efter 24 timers omsætning ved stuetemperatur fastsættes isocyanatomsætningen titri-metrisk til 99%. Ved tilsætning af 450 vægtdele petroleumsether opnås et bundfald af hvide krystaller. Udbyttet af rent photoreaktivt monoisocyanat udgør 5 105 vægtdele hhv.93% af det teoretiske.

Til en opløsning af 95 vægtdele afdet på den beskrevne måde fremstillede photoreaktive monoisocyanat i en blanding af 140 vægtdele γ-butyrol acton, 105 vægtdele N-methylpyrrolidon og 0,01 vægtdele dibutylstannodilaurat sættes under udelukkelse af fugtighed 125,2 vægtdele phenoxyharpiksopløsning (Rii-10 tapox® 0723), og der omsættes under omrøring i 12 timer ved 50°C. Ved denne temperatur sættes der derefter først 8 vægtdele 2-hydroxyethylmethacrylat og efter yderligere 5 timer 4 vægtdele ethanol til reaktionsopløsningen. Efter 24 timer har harpiksopløsningen en viskositet på 330 mPa.s ved 23°C.

Til 100 vægtdele af den ovenfor beskrevne opløsning sættes 0,66 vægtdele 15 isopropylthioxanthon, 0,08 vægtdele Michler’s keton, 1,65 vægtdele trimethy-lolpropantriacrylat og 0,3 vægtdele vinyltriethoxysilan. Efter filtrering gennem et 5pm-filter ved et tryk på 5 bar fremstilles ved støbning 20μιη tykke laklag på substrater, og der bestråles gennem en maske med en 350W kviksølvhøjtrykslampe i 30 sek.. Derefter eftertørres det belyste lag ved 90°C i 5 min. i 20 cirkulationsluftovn. Struktureringen (varighed: 10 sek.) sker ved hjælp af en fremkalderblanding af γ-butyrolacton og xylen (volumenforhold 1:2), hvorved der afstoppes med xylen. Det på denne måde fremstillede strukturerede lag er loddebadsresistent.

25 EKSEMPEL 4

Til en opløsning af 66,8 vægtdele rent 2.4-diisocyanatotoluol i 115,3 vægtdele dichlormethan tildryppes langsomt ved stuetemperatur og under omrøring og udelukkelse af fugtighed en blanding af 23,6 vægtdele rent 2-hydroxy-ethylacrylat og 24,8 vægtdele rent 2-hydroxyethyl-methacrylat. Efter omsæt-3 0 ning i 40 timer ved stuetemperatur bestemmes ved titrering en isocyanatomsæt-ning på 98%.

Den tilvejebragte opløsning af photoreaktivt monoisocyanat blandes med en opløsning af 107 vægtdele Riitapox® 0717 i 397 vægtdele γ-butyrolacton og med 0,22 vægtdele dibutylstanno- dilaurat. Efter 25 timers omsætning ved stue-3 5 temperatur sættes der til reaktionsopløsningen 15 vægtdele ethanol. Efter yderligere 24 timer er opløsningen brugsfærdig til lagpåføring.

Til 100 vægtdele af den på den beskrevne måde fremstillede opløsning af polyetheren sættes 1,2 vægtdele 2,4,6-trimethyl-benzoylphosphinoxid, 0,3 vægtdele Michler's keton og 0,3 vægtdele vinyltriethoxysilan. Efter filtrering 40 gennem et 5μπι-ίΙ1ΐεΓ ved et tryk på 5 bar fremstilles ved støbning 30μπι tykke laklag på kobbersubstrater, og der bestråles med en kviksølvhøjtrykslampe i 30 sek. gennem en maske. Efter fremkaldelse med fremkalderen ifølge Eksempel 3 i 35 sek. fås strukturer med glat ridsefri overflade, som er stabile under lodde-badsbetingelser, selv ved 260 °C; loddetinnet hæfter ikke til lakoverfladen, men 45 perler derimod af.

Claims (11)

1. Fremgangsmåde til fremstilling af varmebestandige strukturerede lag ved påføring af strålingsfølsomme opløselige polymerer i form af et lag eller en folie på et substrat, bestråling af laget hhv. folien gennem negativmasker med aktinisk lys eller ved styring af en lys-, elektron-, laser- eller ionstråle, 5 fjernelse af de ikke-bestrålede lag- hhv. foliedele og eventuelt ved efterfølgende varmebehandling under anvendelse af photopolymerer på polyetherbasis i form af additionsprodukter af et olefinisk umættet monoisocyanat og en hydro-xylgruppeholdig phenoxy harpiks, kendetegnet ved, at der som olefinisk umættet monoisocyanat anvendes et methacrylatholdigt isocyanat eller 10 et additionsprodukt af hydroxyethyl(meth)acrylat til 2,4 diisocyanatotoluol.

2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at photopoly-mereme anvendes sammen med lys- eller strålingsfølsomme copolymerisa-tionsdygtige forbindelser, især acrylat- og methacrylatgruppeholdige forbindelser.

3. Fremgangsmåde ifølge krav 1 eller 2, kendetegnet ved, at pho-topolymereme anvendes sammen med photoinitiatorer og/eller photosensibili-satorer, især α-halogenacetophenoner, dialkoxyacetophenoner, benzoylphos-phinoxider og Michler's keton.

4. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1 til 3, kendetegnet ved, 20 at der som polyethere anvendes phenoxyharpikser, især med en moleky- larvægt på mellem 15.000 og 30.000.

5. Varmebestandigt struktureret lag, fremstillet ifølge et eller flere af kravene 1 til 4.

6. Anvendelse af det strukturerede lag ifølge krav 5 som loddestop- og isole-25 ringslag med vedvarende beskyttelsesfunktion i finlederteknikken.

7. Anvendelse af det strukturerede lag ifølge krav 5 som resist med intermediær beskyttelsesfunktion ved strukturoverføringsprocesser ved galvanisering, våd- og tørætsning samt ved ionimplantation.

8. Anvendelse af det strukturerede lag ifølge krav 6 som beskyttelses- og 30 isoleringsmateriale i elektroteknikken, især i halvlederteknikken.

9. Anvendelse af det strukturerede lag ifølge krav 5 som dæmpningsmasse til overfladebølgefiltre.

10. Anvendelse af det strukturerede lag ifølge krav 5 som a-strålebeskyttelse på cellefelteme i lagerkomponenter.

11. Anvendelse af det strukturerede lag ifølge krav 5 som orienteringslag i flydende krystal displays. 40