KR940008902B1 - 파워서플라이의 직류보호신호 발생회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

파워서플라이의 직류보호신호 발생회로
제1도는 본 발명의 블럭다이어그램도.
제2도는 본 발명의 실시회로도.
제3도는 본 발명의 직류보호신호의 출력상태도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 출력전압 검출부 2 : 기준전압 공급부
3 : 비교회로 4 : 전원공급부
5 : 신호출력부 VR1 : 가변저항
Q1 : 트랜지스터 CP1,CP2 : 콘덴서
D1,D2,D3 : 다이오드 C1,C2, C3 : 콘덴서
R1,R2,R3 : 저항
본 발명은 스위칭 파워서플라이(POWER SUPPLY)에 관한 것으로, 특히, 초기전원공급시 또는 전원에 차단 직전에 TTL(트랜지스터 트랜지스터로직) 메모리소자에 직류보호신호(DC-OK signal)를 공급하여 메모리의 안정된 동작과 메모리가 소멸되는 것을 방지할 수 있게한 파워서플라이에 관한 것이다.
스위칭 파워서플라이는 마이크로 스로세서를 사용하는 기기에 안정된 전원을 공급하기 위하여 널리 사용되고 있으며, 초기전원 투입시와 전원차단시에 메모리의 안정된 동작과 메모리소자에 저장된 정보를 안정되게 보존시킬 필요가 있다.
따라서 종래의 파워서플라이에서도 초기 전원투입시에 일정한 지연시간을 두어 메모리의 안정된 동작을 수행할 수 있게하였으나, 출력전압이 최저기준전압보다 낮은 경우와 출력전압이 입력전원의 오프에 의하여 출력전압보다 늦은 지연시간을 가지게되어 메모리소자가 오동작되는 원인이 되는 것이였다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 초기전원공급시 일정한 지연시간을 갖는 직류보호신호가 발생되게하고 출력전압의 이상발생시 TTL 로직레벨의 출력전압보다 빠른 리셋트 타임을 가질 수 있는 직류보호신호가 발생되게한 파워서플라이의 직류보호신호 발생회로를 제공하고자 하는 것이다.
다른 목적은 파워서플라이에서 출력되는 정전압을 이용한 기준전압과 컴퓨터의 로직회로의 출력을 비교하여 안정된 직류보호신호를 발생시킬 수 있게하고 특히 TTL로직 레벨에 적합한 직류보호신호를 발생시킬 수 있게 한 것이다.
이와 같은 목적은 파워서플라이에서 공급되는 출력전압과 기준전압을 비교하여 출력검출전압이 정상전압이 될때와 설정된 전압이하로 강하되는 것을 감지하여 직류보호신호가 발생되게하여 달성될 수 있다.
본 발명의 특징은 저항 및 가변저항으로 분배된 출력전압을 검출하는 출력전압 검출부와, 상기 출력전압 검출부의 출력전압과 기준전압의 출력을 비교하는 비교회로와, 상기 비교회로의 출력을 트랜지스터를 통하여 반전된 TTL로직레벨로 출력시키는 신호출력부로 구성된 것에 있다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 본 발명의 블럭다이어그램도로서 파워서플라이의 출력전압을 검출하는 출력전압 검출부(1)와, 상기 출력전압 검출부(1)의 전압과 기준전압 공급부(2)의 기준전압을 비교하는 비교회로(3)와, 상기 비교회로(3)에 연결되어 비교회로의 출력에 따라 직류보호신호를 출력시키는 신호출력부(5)로 구성된다.
상기한 출력전압 검출부(1)는 제2도에서와 같이 분배저항(R5),(R11), 가변저항(VR1), 콘덴서(C3)로 구성되어 비교기(CP1)에 비반전압력단자(t)에 검출된 전압(V0)을 공급시킨다.
상기한 비교회로(3)는 제1비교수단을 구성하는 비교기(CP1)와 제2비교수단을 구성하는 비교기(CP2)를 포함하고 있으며, 비교기(CP1)의 반전입력단(-)에는 다이오드(D1)를 통하여 저항(R3),(R6)이 연결되어 분배된 기준전압(Vref)이 공급되게 구성되어 있다.
비교기(CP2)의 반전입력단자(-)에는 비교기(CP1)의 출력이 공급되게 구성하고 비교기(CP1)의 비반전입력단자(+)에는 저항(R2),(R7),(R4)으로 분배된 기준전압(Vref)이 공급되게 구성한다.
또한, 상기 비교회로(3)의 후단에 연결되는 신호 출력부(5)는, 저항(R1), 콘덴서(C6), 트랜지스터(Q1)로 구성하여 상기 비교기(CP2)의 출력에 의하여 구동되게 구성시킨 것이다.
이와 같이 구성된 본 발명에서 기준전압(Vref)은 다이오드(D1)를 통하여 저항(R2),(R7),(R4),(R10)으로 분배되어 압축으로 비교기(CP2)의 비반전단자(+)에 인가되고 타측으로 비교기(CP1)의 반전단자(-)에 인가하게 된다.
그리고, 단자(P1)로 공급되는 출력전압(Vo)은 저항(R5),(R11) 및 가변저항(VR1)으로 분배되는 전압이 비교기(CP1)의 비반전단자(+)에 인가되어 기준전압과 비교한 출력기 비교기(CP2)의 반전입력단자(-)에 공급하게 된다.
또한, 비교기(CP2)에서는 비교기(CP1)의 출력과 기준전압을 재비교하여 후단 출력부의 트랜지스터(Q1)를 제어하는 것으로, 출력전압(Vo)이 기준전압(Vref) 보다 높은 경우 비교기(CP2)는 L레벨의 상태신호를 출력시키며 출력전압(Vo)이 기준전압보다 낮은 경우에는 비교기(CP2)에서 H레벨신호를 출력시키게 되고 후단 트랜지스터(Q1)에 의하여 반전된 출력이 발생하게 된다.
이관계를 제3도의 도면에서 살펴보면 전단의 정전압부에서 출력되는 전압(Vo)이 단자(P1)에 인가되어 분비된후 비교기(CP1)에 공급되고, 단자(CP2)에 인가되는 기준전압(Vref)이 분배되어 비교기(CP1)에 인가되어 비교하는 것으로, 이때, 비교된 H레벨 또는 L레벨의 상태신호가 비교기(CP2)의 반전입력단자(-)에 인가되며, 정전압부의 초기동작시 라이징 타임(RISE TIME)을 초과하는 동안(4.75V 이상)에서 제3도의 같이 H레벨의 신호가 비교기(CP1)로 출력되고 홀드타임(HOLD TIME)을 초과하는 동안 90 정도의 볼티지에 도달직전에 L레벨신호가 출력되어 비교기(CP2)에서 비교하게 된다.
비교기(CP2)에서는 다시 분배된 기준전압(Vref)과 비교하여 반전단자(-)가 H레벨일때 L레벨의 상태신호를 출력하고 L레벨신호가 인가되는 경우에는 H레벨신호를 출력시킨다.
후단에 연결된 트랜지스터(Q1)는 이 신호를 받아 H레벨(Voh) 또는 L레벨(Vol)의 상태신호 출력시키는 것으로, 직류보호신호(DC-OK signal)은 Voh(min)=4.24V, Voe(max)=0.4V의 출력특성을 갖제되어 TTL로직에 적합한 신호원이 되며 정전압 5.1V가 최소한 4.75V이상되어야 적절한 신호원이 된다.
따라서, 직류보호신호는 파워온시 +4.75V레벨이 도달된 후 15msec MIN-2sec MAX 시간내에 Voh가 되어야 하며, 모즌 로직볼티지는 직류보호신호가 Voh레벨로 변천된 후 정상적으로 출력되고 시스템 파워의 어떠한 영향에도 Voh로 충실히 남아있어야 한다.
그리고 입력전압이 차단되었을때 또는 4.75V-4.5V 미만 되었을 때, 홀드업타임(HOLD UP TIME)을 초과하는 동안 직류보호신호는 출력전압(+5.1V)이 90볼치지에 도달직전에 순간적인 Vol레벨로 0.0msec 내로 전환된다.
이상에서와 같이 본 발명은 파워서플라이에서 출력되는 출력전압(Vo)과 기준전압(Vref)을 비교하여 출력전압(Vo)이 정상전압으로 도달될때에 직류보호신호를 출력시켜 후단에 연결되는 메모리 소자가 안정된 동작을 행하고, 출력시켜 전원이 차단되기 전에 메모리소자에 정보가 미리 지장되게하여 정보가 소멸되는 것을 방지할 수가 있으며, 또한, TTL로직에 적합한 직류보호신호를 제공할 수 있어 신호공급시 생기는 오동작을 방지할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (2)

  1. 저항(R5),(R11) 및 가변저항(VR1)으로 분배된 출력전압(Vo)을 검출하는 출력전압 검출부(1)와, 상기 출력전압 검출부(1)의 출력전압(Vo)과 기준전압(Vref)의 출력을 비교하는 비교회로(3)와, 상기 비교회로(3)의 출력을 트랜지스터(Q1)를 통하여 반전된 TTL로직 레벨로 출력시키는 신호출력부(5)로 구성되는 파워서플라이의 직류보호신호 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 비교회로(3)는 제1비교수단과 제2비교수단을 가지고 있으며, 상기 제1 및 제2비교수단은 비교기(CP1),(CP2)로 구성시켜 각각 기준전압(Vref)과 비교하도록 구성시킨 파워서플라이의 직류보호신호 발생회로.
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