KR940008183B1 - Smd형 캐패시터 네트워크 제조방법 - Google Patents
Smd형 캐패시터 네트워크 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래의 SMD형 캐패시터 네트워크의 평면도.
제2도는 제1도의 등가회로도.
제3a 및 제3b도는 본 발명에 따른 SMD형 캐패시터 네트워크 제조방법을 설명하기 위한 평면도 및 사시도.
제3c는 본 발명에 따른 SMD형 캐패시터 네트워크의 정면도.
제4도는 제3b도의 등가회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
5A 내지 5C : 도전체 6A 내지 6D : 요홈
7A 내지 7F : 돌출부 8A 내지 8F : 터미널
본 발명은 SMD(Surface Mounting Device)형 캐패시터 네트워크 제조방법에 관한 것으로, 특히 일정한 모양으로 형성된 그린 쉬트(Green Sheet)의 표면에 캐패시터 전극용 도전체를 일정간격 이격되게 프린트한 그린쉬트 자체를 적층하여 소성한 다음 캐패시터 전극용 도전체의 외측 단부에 터미널을 형성하여 캐패시터 네트워트가 구성되도록한 SMD형 캐패시터 네트워크 제조방법에 관한 것이다.
종래의 SMD캐패시터 네트워크는 제1도에 도시된 바와 같이 세라믹기판(2) 상의 예정된 위치에 도전체(1A 및 1B)를 프린트한후 도전체간에 칩 캐패시터를 장착한 다음 리드프레임(3)을 삽입, 장착함으로서 제2도와 같은 캐패시터 네트워크를 실현하였다. 이러한 캐패시터 네트워크는 PCB 에 적용시 홀(Hloe) 작업이 필요하며 MCM(Multi Chip Module)제조에 부적합하다.
따라서 본 발명은 일정한 모양으로 형성된 그린쉬트의 표면에 캐패시터 전극용 도전체가 일정간격 이격되어 프린트된 그린쉬트 자체를 적층하여 소성한 다음 캐패시터 전극용 도전체의 외측단부에 터미널을 형성하여 캐패시터 네트워크가 구성되게 함으로서 상기한 단점이 해소될 수 있는 SMD형 캐패시터 네트워크 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 SMD형 캐패시터 네트워크 제조방법은 그린쉬트의 선단부 및 하단부에 다수의 돌출부를 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 선단부의 기수차 돌출부로부터 예정된 폭 및 길이로 도전체를 프린트하고 후단부의 우수차 돌출부로부터 예정된 폭 및 길이로 도전체를 프린트하는 단계와, 상기 단계로부터 형성된 그린쉬트를 역으로 적층하여 소성하는 단계와, 상기 단계로부터 각 돌출부에 터미널을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
제3a 및 제3b는 본 발명에 따른 SMD형 캐패시터 네트워크 제조방법을 설명하기 위한 평면도 및 사시도로서, 제3a도는 그린쉬트(유연성이 있는 겔 형태의 세라믹을 의미함)(4)의 선단 및 후단부에 등간격을 가진 다수의 사각형 요홈(6A, 6B, 6C, 6D)이 형성된다. 이 요홈(6A 내지 6D)에 의해 돌출부(7A 내지 7F)가 형성되도록 하고 이러한 상태에서 선단부의 돌출부(7A 및 7C)에서 후단의 요홈(6C 및 6D)의 끝선단까지 일정폭으로 캐패시터 전극용 도전체(5A 및 5C)를 프린트하며 또한 후단부의 돌출부(7E)에서 선단부의 요홈(6A 및 6B)의 끝선단까지 일정폭으로 캐패시터 전극용 도전체(5B)를 프린트한 상태의 평면도이다.
제3b도는 제 3a도와 동일한 구조를 역으로 2개 적층한 다음 소성한후 상기 각 돌출부(7A 내지 7F)에 터미널(8A 내지 8F)을 형성하여 캐패시터 네트워크가 완성된 상태의 사시도이고, 제3c도는 제3b도에서 터미널을 제거한 상태의 정면도이며, 제4도는 제3b도의 등가회로도를 도시한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의한 캐패시터 네트워크는 PCB에 장착시 홀이 필요없으며 MCM 제조시에 활용될 수 있는 탁월한 효과가 있다.
Claims (1)
- 그린쉬트의 선단부 및 하단부에 다수의 돌출부를 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 선단부의 기수차 돌출부로부터 예정된 폭 및 길이로 도전체를 프린트하고 후단부의 우수차 돌출부로부터 예정된 폭 및 길이로 도전체를 프린트하는 단계와, 상기 단계로부터 형성된 그린쉬트를 역으로 적층하여 소성하는 단계와, 상기 단계로부터 각 돌출부에 터미널을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SMD형 캐패시터 네트워크 제조방법.
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KR1019910024331A KR940008183B1 (ko) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Smd형 캐패시터 네트워크 제조방법 |
Publications (2)
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KR930015115A KR930015115A (ko) | 1993-07-23 |
KR940008183B1 true KR940008183B1 (ko) | 1994-09-07 |
Family
ID=19325984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019910024331A KR940008183B1 (ko) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Smd형 캐패시터 네트워크 제조방법 |
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Country | Link |
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KR (1) | KR940008183B1 (ko) |
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1991
- 1991-12-26 KR KR1019910024331A patent/KR940008183B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR930015115A (ko) | 1993-07-23 |
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