Claims (8)
일정간격으로 배열되고 수직방향으로 연장된 복수의 데이타배선들과, 일정간격으로 배열되고 상기 복수의 데이타배선들과 교차되도록 수평방향으로 연장된 복수의 게이트배선들과, 한쌍의 데이타배선들과 한쌍의 게이트배선들로 둘러싸인 각 영역들내에 한정되어 각각 형성된 복수의 투명화소전극들과, 상기 각 영역들의 한 구석에 형성되어 각 데이타배선으로부터 각 투명화소전극에 표시신호를 전달하기 위한 복수의 스위칭소자들과, 상기 각 투명화소전극의 일부분과 절연층을 개재하여 대향되어 스토리지 커패시터를 구성하기 위한 복수의 커패시터전극들로 이루어진 배면유리기판과 차광막, 칼라필터 및 보호막으로 이루어진 전면유리기판을 구비한 액정표시장치에 있어서, 상기 배면유리기판의 각 커패시터전극들은 상기 각 투명화소전극상의 한정된 화소표시영역 둘레의 투명화소전극부분과 대향하도록 형성되고, 상기 각 게이트 배선은 상기 각 스위칭소자영역의 하부에 형성되어 투명화소전극 부분과 대향 되도록 형성되고, 상기 각 게이트 제1개게이트배선과 상기 제1게이트배선과 평행하게 형성되며 상기 제1게이트배선과 연결되는 제2게이트배선의 이중구조로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치A plurality of data lines arranged at regular intervals and extending in the vertical direction, a plurality of gate lines arranged at regular intervals and extending in the horizontal direction so as to intersect the plurality of data lines, a pair of data lines and a pair A plurality of transparent pixel electrodes formed in each of the regions surrounded by gate wirings of the plurality of transparent pixel electrodes, and a plurality of switching elements formed in one corner of each of the regions for transferring display signals from each data wiring line to each transparent pixel electrode. And a back glass substrate made up of a plurality of capacitor electrodes for forming a storage capacitor facing each other through a portion of the transparent pixel electrode and an insulating layer, and a liquid crystal having a front glass substrate made of a light shielding film, a color filter, and a protective film. In the display device, each capacitor electrode of the back glass substrate is formed on each of the transparent pixel electrodes. Formed to face the transparent pixel electrode portion around the limited pixel display region of the gate pixel, wherein each gate line is formed under the switching element region so as to face the transparent pixel electrode portion, and the gates of the first gate line And a second structure formed in parallel with the first gate line and connected to the first gate line.
제1항에 있어서, 상기 스위칭자는 박막트랜지스터(TFT)로 MTM(Metal Insulator Metal)으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device of claim 1, wherein the switch is a thin film transistor (TFT) and is formed of any one selected from a group consisting of metal insulator metal (MTM).
제1항에 있어서, 상기 게이트배선과 동시에 형성되는 스토리지 커패시터 전극을 고리모양으로 하여 투명화소전극의 주변부에서 설치하여 전면유리기판의 차광막하부에 위치하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the storage capacitor electrode formed at the same time as the gate wiring is formed in a ring shape and disposed at the periphery of the transparent pixel electrode and positioned under the light shielding film of the front glass substrate.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2게이트배선으로 이중화된 게이트배선의 전체 선폭을 단일배선선폭과 같게하여 게이트배선과 데이타배선의 교차부 면적을 단일배선시와 동일하게 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The method of claim 1, wherein the area of the intersection portion of the gate line and the data line is configured to be the same as that of the single line by making the entire line width of the gate line doubled by the first and second gate lines equal to the single line width. Liquid crystal display device.
투명기판위에 전표면상에 소정두께의 금속층을 형성하는 공정; 상기 금속층을 패터닝하여 게이트배선 및 스토리지 커패시터전극을 동시에 형성하는 고정; 상기게이트배선 및 스토리지 커패시터전극이 모두 덮히도록 절연층을 형성하는 공정; 상기 스토리지 커패시터전극 상부의 절연층 위에 상기 스토리지 커패시터전극의 일부분과 대향하도록 투명화소전극을 형성하는 공정; 그리고, 상기 투명화소전극 형성후 통상의 알려진 방법으로 후속공정을 수행하여 상기 액정표시장치를 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.Forming a metal layer of a predetermined thickness on the entire surface on the transparent substrate; Patterning the metal layer to simultaneously form a gate wiring and a storage capacitor electrode; Forming an insulating layer to cover both the gate wiring and the storage capacitor electrode; Forming a transparent pixel electrode on an insulating layer on the storage capacitor electrode so as to face a portion of the storage capacitor electrode; And forming a liquid crystal display by performing a subsequent process by a conventionally known method after forming the transparent pixel electrode.
제5항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄, 혹은 크롬, 혹은 몰리브데늄, 혹은 탄탈륨, 혹은 이들의 합금으로 이루어진 일군에서 선택된 어느 하나의 금속으로 형성되는 불투명금속인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The liquid crystal display device of claim 5, wherein the metal layer is an opaque metal formed of any one metal selected from the group consisting of aluminum, chromium, molybdenum, tantalum, or an alloy thereof. Way.
제5항에 있어서, 상기 후속공정은 상기 게이트배선을 게이트전극으로 하는 박막트랜지스터의 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the subsequent step is a step of forming a source electrode and a drain electrode of the thin film transistor having the gate wiring as the gate electrode.
제7항에 있어서, 상기 화소전극과 연결되는 상기 소오스전극의 패턴은 이들 두 전극이 연결되는 부분의 상기 스토리지 커패시터전극패턴을 오버랩하여 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 7, wherein the pattern of the source electrode connected to the pixel electrode is formed by overlapping the storage capacitor electrode pattern of a portion where the two electrodes are connected.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.