KR940007526A - 오염 원소 분석 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼 중의 오염 원소를 확실하게 특정하고 오염 원소의 농도를 정밀하게 구하는 것을 목적으로 한다. 피측정 물체에서 얻어진 형광 X선의 측정 파형에 대해 평활화 미분 처리해서 측정 파형의 피크를 검출한다. 각 피크 별로 초기 파라메터를 변수로 한 모델 함수를 준비해서 모델 파형을 구성한다. 모델 파형과 측정 파형의 잔차 제곱의 합이 최소로 되도록 비선형 최적화 처리하고 초리파라메터를 결정해서 분리 파형을 구한다. 각 분리 파형에서 대응하는 오염 원소를 특정한다. 분리 파형의 적분 강도를 구함과 동시에 비오염 물질에서 배경 강도를 구해서 분리 파형의 적분 강도에서 감산한다.

Description

오염 원소 분석 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 오염 원소 분석 방법의 한 실시예를 도시하는 플로우차트,
제2도는 에너지 분산형 형광 X선 분석 장치를 도시하는 개략도,
제3도는 본 발명의 구체예에 있어서의 측정 파형, 평활화 파형 및 분리 파형을 각각 도시하는 도면,
제4도는 본 발명에 의한 K 원소의 검량선을 종래 방법과 비교해서 도시하는 도면,
제5도는 X광원 피크에 매립된 Zn 원소의 피크를 파형 분리한 상태를 도시하는 도면.

Claims (1)

  1. 오염 원소를 포함하는 피측정 물체에서 얻어진 형광 X선의 측정 파형에 대한 평활화 미분 처리로 측정 파형의 피크를 검출하는 단계, 측정 파형의 각 피크 별로 초기 파라메터를 변수로한 모델 함수를 준비하고 이 모델 함수의 선형합에 의해 모델 파형을 구성하는 단계, 모델 파형과 측정 파형의 잔차의 제곱함이 최소로 되도록 비선형 최적화 처리해서 각 모델 함수의 초기 파라메터를 결정해서 분리 파형을 구하는 단계, 각 분리 파형에 기초해서 대응하는 오염 원소를 특정함과 동시에 특정한 오염 원소별로 분리 파형의 적분 강도를 구하는 단계, 및 오염 원소를 포함하지 않는 비오염 물질에서의 형광 X선의 측정 파형에 기초해서 배경 강도를 구하고 오염 원소별로 분리 파형의 적분 강도에서 배경 강도를 감산해서 각 오염 원소의 농도를 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 오염 원소 분석 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930017771A 1992-09-07 1993-09-06 오염 원소 분석 방법 KR0127497B1 (ko)

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