KR940003047A - 디램(dram)에서 대용량을 갖는 캐패시터의 제조방법 - Google Patents

디램(dram)에서 대용량을 갖는 캐패시터의 제조방법 Download PDF

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KR940003047A
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한석빈
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문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H01L28/40—Capacitors
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Abstract

본 발명은 DRAM에서 캐패시터의 구조를 개선하여, 캐패시터의 용량을 크게함과 동시에 구조의 견고성을 도모한 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 첫번째 특징으로는 계단형 게이트와 비트라인을 형성하고, 반원형 폴리 실리콘층 두층 모두 형성시켜 캐패시터의 길이와 면적을 확장시켰다는 점과, 두번째로 기둥(Pillar)형 캐패시터에서 취약부분으로 지적되온 예리한 부분(제1도 (e)의 I부분 참조)을 보강하였다는 점이다.

Description

디램(DRAM)에서 대용량을 갖는 캐패시터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 (a)-(h)는 본 발명에 따른 DRAM에서의 캐패시터 제조공정도.

Claims (1)

  1. 실리콘 기관위의 게이트산화막(1)상에 게이트 폴리 실리콘층(2)을 계단형으로 형성한 후에 상기 게이트 폴리실리콘층(2)의 측벽(3)과 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와. 상기 측벽(3)위의 일정높이(A)까지 표면을 폴리실리콘으로 도포후 표면을 반원형으로 형성한 다음, 일부분을 기판방향으로 소정길이 만큼 에치하고, 에치된 부분을 다시 반원형으로 형성하는 단계와, 비트라인이 형성된 부분(4)중 일부분을 제거한후, 제거된 부분에 폴리 실리콘막(15)산화막(13), 폴리실리콘막(15)을 수평적으로 형성하고, 그위에 차례로 산화막(18), 질화막(19)을 형성하며, 상기 질화막(17)을 소정 깊이까지 에치 백하여 제거하는 단계와, 소정 높이까지 SOG(16)를 도포한 후에, 다시 폴리실리콘(17)을 도포하여 상기 질화막(19)과 접히는 모서리 부분의 반구형으로 한후, 모서리 부분의 반구형 폴리실리콘(17)만 남기고, SOG (16)와 폴리실리콘을 제거한 다음 Ta205, (10)와 W (11)를 도포하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 DRAM에서 대용량을 갖는 캐패시터의 제조방법.
    ※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6166484A (en) * 1997-07-29 2000-12-26 Hitachi, Ltd. Deflection yoke, cathode-ray tube device using the same and display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6166484A (en) * 1997-07-29 2000-12-26 Hitachi, Ltd. Deflection yoke, cathode-ray tube device using the same and display device
KR100288807B1 (ko) * 1997-07-29 2001-06-01 가나이 쓰도무 편향요크 및 이것을 사용한 음극선관장치와 디스플레이장치

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