KR940001417A - 고집적 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
고집적 반도체 소자에서, 저장노드와 비트랑니을 동시에 형성하고, 저장노드를 미세실린더구조로함으로써 저장노드의 평면적을 입체적으로 극대화 시켜 유효 펴면적을 요구되는 값 이상으로 확할 수 있고, 또한 미세실린더구조의 두께와 크기와 높이를 조절할 수 있으므로 소정의 유효 표면적을 확보할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 제1도의 공정후, 본 발명에 따라 마스킹 및 식각공정으로 실리사이드 및 폴리실리콘의 소정부분을 식각하여, 저장노드와 비트라인을 분리시키는 상태를 나타내는 반도체소자의 단면도.
제3도는 제2도의 공정후, 저장노드와 비트라인 상부에 산화막을 증착시키고 그 상부에 요철 폴리실리콘고, 포토레지스트 마스크패턴을 순차적으로 형성한 상태를 나타내는 반도체소자의 단면도.
제4도는 제3도의 요철 폴리실리콘을 마스크로 하여 그 하부의 산화막을 식각함으로써, 주상 산화막을 형성하고 그 상부에 폴리실리콘을 증착하는 상태를 나타내는 반도체소자의 단면도.
제5도는 제4도의 폴리실리콘의 소정부분을 식각하여, 저장노드 각각을 분리시키는 단계를 나타내는 반도체소자의 단면도.
Claims (1)
- 고집적 반도체소자의 제조방법에 있어서, 실리콘기판(1) 상부에 필드산화막(3)과 워드라인(5)을 형성하는 단계와, 상기 워드라인(5) 상부에 산화물(6)을 증착하는 단계와, 상기 산화물(6)을 식각하여 저장노드 콘택(7) 및 비트라인 콘택(9)을 동시에 형성하는 단계와, 상기 저장노드 콘택(7) 및 비트라인 콘택(9)내에 폴리실리콘(11)을 충진시키는 단계와, 상기 폴리실리콘(11) 상부에 실리사이드층(13)을 형성하는 단계와, 상기 실리사이드층(13) 상부에 포토레지스트층을 도포한 후 소정부위의 실리사이드층(13) 및 폴리실리콘층을 식각하여 비트라인과 저장노드 플러그를 형성하는 단계와, 상기 저장노드(8)와 비트라인(10) 상부에 산화막(15)을 증착하는 단계와, 상기 산화막(15) 상부에 요철 폴리실리콘(17)을 증착하는 단계와, 상기 요철 폴리실리콘(17) 상부에 포토레지스트층(19)을 도포한 후, 소정부분을 식각한 후, 하부의 요철 폴리실리콘(17)을 마스크로 하여, 산화막(15)의 소정부분을 식각하여 주상 산화막(21)을 형성하는 단계와, 상기 주상 산화막(21) 상부의 잔존 포토레지스트층(19)를 제거하는 단계와, 상기 주상 산화막(21) 상부로부터 폴리실리콘(23)을 증착하는 단계와, 상기 폴리실리콘(23)의 소정부분을 식각하여 고집적 반도체소자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019920011561A KR960001337B1 (ko) | 1992-06-30 | 1992-06-30 | 고집적 반도체소자의 제조방법 |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR940001417A true KR940001417A (ko) | 1994-01-11 |
| KR960001337B1 KR960001337B1 (ko) | 1996-01-26 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456318B1 (ko) * | 2002-07-16 | 2004-11-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 플러그 형성방법 |
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1992
- 1992-06-30 KR KR1019920011561A patent/KR960001337B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960001337B1 (ko) | 1996-01-26 |
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