KR940001196A - 자기 저항 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

Abstract

자기 저항 소자의 단자부 형성방법 및 그에 따른 본딩 처리에 있어서, 현재까지 개발된 전극 단자부의 웨이퍼(wafer)가공공정을 크게 두가지로 구분되는데, 그 한 경우는 솔더링 본딩(soldering Bonding)을 실시하는 경우로써, 전극부(구조)가 기판-자성막-Ni-Sn-Pb층의 4층 구조로 형성되어 있는 경우를 들 수 있으며, 다른 경우로는 상기 4층 구조에 비해 다소 개선된 형태인와이어 본딩(wire vonding)을 실시한 경우로써 전극부 구조가 기판-자성막-전극층의 3층 구조로 형성되어 있는 경우를 들 수 있다.

이와 같은 종래의 웨이퍼(wafer)가공공정은 두께가 두껍게 될 뿐만 아니라 특히, 솔더링 본딩의 경우 니켈도금, Sn-Pb도금등의 중간층이 웨이퍼 가공 공정상에 도입되고, 또한 이를 위한 사진 식각 공정 처리가 필요하게 되어 공정이 복잡하게 된다. 그 결과 제조비용이 높게 되고, 납의 접착이 약하거나 깨끗하지 않아서 고장이 생기는 경우가 잦아 제품이 신뢰성에도 문제가 따르게 된다.

이에 대해 본 발명은 전극부 형서시 절연체 기판상에 선택적으로 스크린(Screen)인쇄함으로써 전극 단자부의 구조가 절연체 기판 및 Au전극층의 2층 구조가 되게 함으로써 웨이퍼 가공공정의 수가 줄어들게 되어 공정의 단순화에 기여하게 되고, 조립공정의 측면에서 전극과 리드프레임간의 와이어 본딩 처리 및 반도체 IC패키지(Package)방식인 트랜스퍼 몰딩(Transfer Molding)처리에 의한 시일딩(Shielding)으로 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.

Description

자기 저항 소자 및 그의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 종래 기술에 따른 자기 저항 소자의 전극 단자부를 나타내는 단면도.

제2도는 내지 제2(f)도는 본 발명에 따른 자기 저항 소자의 전극 단자부 제조 방법 및 그에 따른 본딩을 나타내는 단면도.

제3도는 본 발명에 따른 자기 저항 소자의 전극 단자부 본딩을 나타내는 평면도.

Claims (14)

1. 절연기판에 형성되는 자기 저항 소자의 전극부를 형성하는 방법에 있어서, 상기판에 소정의 두께로 전극 재료를 도포하여 전극 패드를 형성하도록 패터닝하는 제1공정, 상기 전극 재료가 형성된 상기 기판 전면에 자성막을 도포하는 제2공정, 상기 전극과 이격된 위치에서 상기 자성막의 일부를 제거하여 기판이 노출되도록 식각하는 제3공정, 상기 제3공정에 의하여 형성된 패턴의 상부에 있는 포토레지스트를 스트리핑하는 제4공정, 포토레지스터가 스트리핑된 상기 기판에 전면적으로 제1보호층을 도포하는 제5공정, 상기 제1보호층 상부에 포토레지스트를 도포한 뒤, 노광 현상하여 상기 전극재료 위에 형성되어 있는 상기 보호층 및 자성막을 식각하는 제6공정, 제6공정에서 형성된 상기 패턴상에 제2보호막을 인쇄법으로 도포한 뒤 자기 저항 소자를 한개씩 자르는 제7공정과, 리드 프레임 간에 본딩을 실시하는 제8공정, 상기 본딩 공정후 본딩 부위를 수지로 덮어주고, 패키지화 하기 위해서 트랜스퍼 몰딩을 실시하는 제9공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 전극재료는 Al, Au 또는 W로 형성됨을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 보호층은 상기 제1보호층 및 제2보호층으로 형성되고 각각은 SiO₂및 에폭시계 물질로 형성됨을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 전극과 리드프레임간의 본딩은 와이어 본딩으로 이루어짐을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 본딩 부위의 보호 및 패키지화를 위한 수지는 에폭시계 물질로 이루어짐을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 전극 단자부는 2층 구조로 이루어짐을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 전극단자부는 절연체 기판 및 전극재료로 이루어짐을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
8. 절연기판상에 전극이 형성된 자기 저항 소자를 제조하는 공정, 리드 프레임에 상기 자기 저항 소자를 와이어 본딩하는 공정, 및 리드 프레임에 와이어 본딩된 자기 저항 소자의 와이어 본딩부만을 수지로 트랜스퍼 몰딩하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 자기 저항 소자 전극 단자부 제조공정은 절연기판에 소정 형상의 전극을 형성하는 공정, 상기 전극위에 자성막을 도포하는 공정, 상기 자성막을 소정 형상으로 패턴닝하는 공정, 상기 자성막위에 제1보호층을 형성하는 공정, 상기 전극에 대한 콘택창을 형성하는 공정, 및 상기 패턴위에 제2보호막을 도포하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 전극은 Al,W,Au중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 자기 저항 소자의 제조방법.
11. 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2보호층을 각각 SiO₂및 에폭시계 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 자기 저항 소자의 제조방법.
12. 절연기판상에 전극이 형성된 자기 저항 소자와, 상기 전극와 도전성 와이어에 의해 상호 접속되는 리드프레임과, 상기 자기 저항 소자의 전극과 리드프레임과를 상호 연결하는 도전성 와이어 주변을 둘러싸는 수지 몰드로 구성되는 것을 특징으로 하는 수지 몰드 성형된 자기 저항 소자.
13. 제12항에 있어서, 상기 저항소자는, 절연기판의 일측에 형성된 다수의 전극과, 상기전극과 접촉하며 동일 평면상에 소정 형상을 갖는 자기 저항 패턴과, 상기 자기 저항 패턴을 보호하기 위해 상기 자기 저항 패턴위에 형성된 보호막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 수지몰드 성형된 자기 저항 소자.
14. 제13항에 있어서, 상기 절연기판은 유리기판 또는 알루미나 판 위에 SiO₂층을 갖는 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수지몰드 성형된 자기 저항 소자.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.