KR940001170A - 불휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억장치 Download PDF

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KR940001170A
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마사미츠 오시기리
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사토 후미오
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Abstract

본 발명은부유게이트에 전자를 주입한 상태에서의 데이터유지특성이 우수한 EEPROM셀을 사용함으로써 외부로부터 양이온의 칩입 등에 의해 데이터독출 에러가 라생하는 것을 방지할 수 있는 불휘발성 반도체 기억장치를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 EEPROM에 있어서 메모리셀 어레이(1)의 워드선(12)군을 선택적으로 구동시키기 위한 행 디코더(2)가 독출모드시 선택된 워드선에 대해 메모리셀 트랜지스터 (11)의 부유게이트(3)에 전하가 축적되어 있지 상태에서 그 제어게이트(36)에서 본 채널의 반전전압보다도 낮은 전압을 인가하는 것을 특징으로 한다.

Description

불휘발성 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 EEPROM을 개략적으로 나타낸 블럭도.
제2도는 제1도중의 메모리셀 어레이의 일부를 나타낸 회로도.

Claims (4)

  1. 적층게이트구조를갖춘 메모리셀 트랜지스터(11)군이 행렬형태로 배열된 메모리셀 어레이(1)와, 이 메모리셀 어레이(1)의 동일 행의 메모리셀 트랜지스터의 제어게이트에 공통 접속된 워드선(12)군, 상기 랴모리셀 어레이(1)의 동일 열의 메모리셀 트랜지스터의 드레인에 선택게이트를 매개하지 않고서 공통 접속된 비트선(13)군, 상기 워드선(12)군을 선택적으로 구동시키기 위한 행디코더회로(2) 및 상기 비트선(13)군을 선택 제어하기 위한 열디코더회로(3)를 구비하여 이루어지고, 상기 행디코더회로(2)는 독출모드시에 선택된 워드선에 대해 상기 메모리셀 트랜지스터 (11)의 부유게이트에 전하가 축적되어 있지 않은 상태에서 그 제어게이트에서 본 채널의 반전 전압보다도 낮은 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 트랜지스터(11)는, 반도체 기판(30)과, 이 반도체 기판(30)의 표면에 설치되고 상기 반도체 기관(30)과는 역도전형인 소오스영역용의 제1불순물영역(31) 및 드레인영역용의 제2불순물영역(32), 상기 반도체 기판(30)상의 상기 양 불순물영역(31,32) 사이의 채널영역(33)상에 게이트절연막(34)을 매개로 설치된 부유게이트(35) 및, 이 부유게이트(35)상에 충간절연막(37)을 매개로 설치된 제어게이트(36)을 구비하고서, 그 드레인에서 선택게이트를 매개하지 않고서 비트선에 접속되어 있고 그 부유게이트에 전하가 축적 되어있지 않은 상태에서 그 제어게이트에서 본 채널의 반전전압지 상기 제어게이트에서 독출모드시에 인가되는 전압보다도 높게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 메모리셀 트랜지스터(11)는 터널 옥사이드형인 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  4. 제1항 또는 제2에 있어서, 상기 메모리셀 트랜지스터(11)의 채널영역의 적어도 일부 영역에서의 상기 반도체 기판(30)과 동일 도전형인 불순물의 농도가 1x1018/㎤인 것을 특집으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930010838A 1992-06-18 1993-06-15 불휘발성 반도체 기억장치 KR960010959B1 (ko)

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