KR940000402Y1 - 고진공 챔버장치 - Google Patents

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KR940000402Y1
KR940000402Y1 KR2019900018746U KR900018746U KR940000402Y1 KR 940000402 Y1 KR940000402 Y1 KR 940000402Y1 KR 2019900018746 U KR2019900018746 U KR 2019900018746U KR 900018746 U KR900018746 U KR 900018746U KR 940000402 Y1 KR940000402 Y1 KR 940000402Y1
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김영도
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금성일렉트론 주식회사
문정환
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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Abstract

내용 없음.

Description

고진공 챔버장치
제1도는 종래 고진공 챔버장치의 전체 계통도.
제2도는 본 고안의 고진공 챔버장치의 계통도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 고진공챔버 12 : 이온게이지포트
13 : 이온게이지 15 : 연결관
16 : 수동밸브 17 : 펌핑아웃라인
18 : N2 퍼지라인 19, 20 : 니들밸브
본 고안은 고진공 챔버(High Vaccum Chamber)장치에 관한 것으로, 특히 메탈 스퍼터장비의 고진공하에서 이온 게이지 교체시 챔버가 대기압으로 벤트(Vent)되는 것을 방지할 수 있도록 한 고진공 챔버장치에 관한 것이다.
종래 금속 스퍼터장비와 같은 고진공 챔버장치는, 제1도에 도시한 바와 같이, 고진공챔버(1)의 하부에 고진공용 펌프(2)를 설치하고, 이 펌프(2)에는 압축 헬륨공급기(3)를 연결하며, 챔버(1)의 일측 이온게이지포트(4)에는 고진공챔버(1)내의 진공값을 판독하는 이온게이지(5)를 커플러(6)로써 연결하여 이온게이지 콘트롤러(7)에 의하여 제어하도록 구성되어 있다.
그러나 이러한 종래의 고진공 챔버장치에서는, 상기 이온 게이지(5)가 고장을 일으켜 교체하는 경우 고진공(5 10-7torr이하)상태의 챔버(1)를 대기압(ATM)까지 벤트해야만 이온게이지(5)를 교체할 수 있게 되어 있다.
그러나 이와 같이 고진공 상태의 챔버(1)를 대기압에 이르기까지 벤트시킨 다음 이온게이지(5)를 교체하고 다시 5 10-7torr의 고진공상태가 되도록 펌핑하는데는 많은 시간(약 15 시간)이 소요될 뿐만 아니라 고진공의 챔버(1)가 대기압에 노출되므로 파티클(Particle)증가의 요인으로 되어 금속 스페터링의 품질을 저하시키게 되는 문제점이 있었다.
따라서 본 고안의 목적은, 고진공상태의 챔버용 대기압으로 벤트시키지 않고서도 이온게이지를 교체할 수 있도록 한 고진공 챔버 장치를 제공하려는 것이다.
이하 본 고안에 의한 고진공 챔버 장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라서 상세히 설명한다.
제2도는 본 고안의 고진공챔버 장치를 도시하는 계통도로서, 고진공챔버(11)의 하단에는 고진공펌프(도시생략)가 설치되며, 이 고진공챔버(11)의 일측 이온게이지포트(12)에는 이온게이지(13)가 커플러(14)에 의하여 연결되는 것에 있어서, 상기 이온 게이지포트(12)의 중간에는 연결관(15)를 연결하여 포트(12)와 연결관(15)을 수동밸브(16)으로 개폐가능하게 설치하고, 연결관(15)의 중간에는 펌핑아웃라인(17)과 N2 퍼지라인(18)을 니들밸브(19), (20)을 통하여 연결설치하여서 된 것이다.
이와같이 구성된 본 고안의 고진공챔버장치는, 고진공챔버(11)가 고진공인 상태에서 이온게이지(13)를 교체할 때 개방되어 있는 수동밸브(16)을 완전히 폐쇄하여 고진공챔버(11)와 이온게이지포트(12) 사이를 완전히 차단한 다음, N2 퍼지라인(17)에 설치되어 있는 니들밸브(19)를 열어서 이온게이지포트(12)를 대기로 벤트시키고, 이 상태에서 이온게이지(13)을 교체한다.
이온게이지(13)의 교체가 완료되면 N2 퍼지라인(17)에 설치되어 있는 니들밸브(19)를 폐쇄하고, 펌핑아웃라인(18)에 설치되어 있는 니들밸브(20)를 개방하여 이온게이지포트(12)를 진공상태로 유지시킨다.
이상태에서 펌핑아웃라인(18)의 니들밸브(20)를 폐쇄한 다음 수동밸브(16)을 개방하여 고진공챔버(11)를 이온게이지(13)와 연통시키는 것이다.
이러한 과정에서 상기 고진공챔버(11)는 대기로 벤트되는 일이없고 이온게이지포트(12)만 대기에 벤트되므로 고진공챔버(11)는 항상 고진공상태로 유지되어 이온게이지(13)의 교체시에도 고진공챔버(1)가 대기압으로 되는 일이 없다.
따라서 본 고안의 고진공챔버장치에서는 이온게이지포트(12)를 대기에 밴트시킴으로써 오는 진공의 손실만을 보충시키면 되므로 고진공챔버(11)를 다시 5-10torr의 고진공상태로 유하는데 소요되는 시간이 30분 정도로 단축되어 교체시간의 지연을 방치할 수 있으며, 고진공챔버(11)는 대기압과 접히지 않으므로 파티클의 증가요인을 제거할 수 있을 뿐만 아니라 진공보충을 위한 에너지를 절감할 수 있는 것이다.

Claims (1)

  1. 고정챔버(11)의 하단에는 고진공펌프가 설치되며, 이 고진공챔버(11)의 일측 이온게이지포트(12)에는 이온게이지(13)가 커플러(14)에 의하여 연결되는 것에 있어서, 상기 이온게이지포트(12)의 중간에는 연결관(15)를 연결하여 포트(12)와 연결관(15)을 수동밸브(16)으로 개폐가능하게 설치하고, 연결관(15)의 중간에는 펌핑아웃라인(17)과 N2 퍼지라인(18)을 니들밸브(19), (20)을 통하여 연결설치하여서 된 것을 특징으로 하는 고진공 챔버장치.
KR2019900018746U 1990-11-30 1990-11-30 고진공 챔버장치 KR940000402Y1 (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030039528A (ko) * 2001-11-13 2003-05-22 이정범 안마볼 건강방 설비
KR100435077B1 (ko) * 2001-08-22 2004-06-16 최문진 간접폐쇄식 고압샤워 마사지기
KR100453839B1 (ko) * 2001-09-04 2004-10-26 진천건설(주) 수중식 물안마 구조를 갖는 건강탕

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KR100435077B1 (ko) * 2001-08-22 2004-06-16 최문진 간접폐쇄식 고압샤워 마사지기
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KR20030039528A (ko) * 2001-11-13 2003-05-22 이정범 안마볼 건강방 설비

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