KR930024097A - 반도체의 금속 배선방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 무전해 도금방식을 채택하고, 금속 에치공정을 하지 않음에 따라 스텝 커버리지(Step Coverage)개선에 적당하도록 한 반도체의 금속 배선방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판에 산화막으로 금속 배선 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀 형성 후 금속 배선 위치를 제외한 모든 부분을 포토레지스터로 도포한 후 표면활성화를 위한 배선부 표면처리 공정과, 상기 공정 후 무전해 도금액에 단구어 수백 Å의 메탈 필름을 형성시키는 제1차 도금공정과, 상기 공정 완료 후 포토레지스터의 스트립을 진행시킨 다음 무전해 도금액에 다시 담구어 자기 촉매반응에 의해 소정 두께의 필름으로 성장시키는 제2차 도금공정으로 이루어 반사율에 의한 노칭을 방지하고 메탈필름이 낮은 열 팽창계수로 발생되는 스트레스 크래킹(Stress Cracking)이 방지될 뿐만 아니라 메탈필름이 고융점 금속이므로 고온 공정에 유리하며, 메탈필름이 등방성으로 성장되어 그텝 커브리지가 개선되도록한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 금속 배선방법의 공정도.
Claims (4)
- 반도체의 금속 배선방법에 있어서, 실리콘 기판 위에 산화막과 포토레지스트를 차례로 데포지션한 후, 콘택홀을 형성하고 표면 활성화를 위한 배선부 표면처리 공정과, 상기 공정 후 무전해 도금액에 담구어 촉매용 메탈필름을 형성시키는 제1차 도금공정과, 상기 제1차 도금 공정 완료 후 포토 레지스터를 제거하고 무전해 도금액에 다시 담구어 자기 촉매반응에 의해 소정 두께의 필름으로 성장시키는 제2차 도금공정으로 이루어지는 반도체의 금속 배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 표면 활성화를 배선부 표면 처리공정은 불화수소(HF)에 담구어 콘택 리플로우시 형성되는 열 산화막을 제거하는 단계와, PdCl2용액을 이용하여 실리콘 기판과 산화막 표면을 활성화시키는 단계와, 탈이온수로 세척하는 단계를 포함하는 것이 특징인 반도체의 금속 배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1차 도금공정은 NiSo2+ DMAB로 된 수용액을 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 금속 배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1차 도금공정은 NiSo2+ Na2WO3+ DMAB 수용액을 사용한 것을 특징으로 하는 반도체 금속 배선방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334959B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2002-06-20 | 박종섭 | 반도체 장치의 금속 배선방법_ |
| KR100454633B1 (ko) * | 2002-01-04 | 2004-11-05 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 기판 표면 처리 방법 |
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1992
- 1992-05-15 KR KR1019920008259A patent/KR950004839B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR950004839B1 (ko) | 1995-05-13 |
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