KR930022468A - X-선 패턴 도형용 마스크 - Google Patents

X-선 패턴 도형용 마스크

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KR930022468A
KR930022468A KR1019930004935A KR930004935A KR930022468A KR 930022468 A KR930022468 A KR 930022468A KR 1019930004935 A KR1019930004935 A KR 1019930004935A KR 930004935 A KR930004935 A KR 930004935A KR 930022468 A KR930022468 A KR 930022468A
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patterned
absorber layer
repair
layer
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KR1019930004935A
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Inventor
테넌트 도날드
Original Assignee
죠지 에스. 인딕
아메리칸 텔리폰 앤드 텔레그라프 캄파니
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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Abstract

초소형 장치 구성의 X-선 가공 방사에 사용하도록 설계되는 반사 마스크의 제조방법은 다층 반사기와 흡수재층 사이에 있는 배리어 층의 사용에 의해 개선된다. 상기 배리어는 두제조 단계, 즉 최초의 팬턴화 단계와 제거 또는 첨가하는 마스크 보수 단계 중 다층 반사기에 대한 손상을 감소시키도록 설계된다.

Description

X-선 패턴 도형용 마스크
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 도형이전의 미가공 마스크의 사시도.
제2도는 레지스트층이 하부흡수재에 노출된, 제조중인 마스크를 도시하는 네개의 사시도중 하나의 사시도.
제3도는 레지스트 패턴이 흡수재 층으로 이동되는 단계를 도시하는 사시도.
제4도는 흡수재 패턴 내부의 결점이 교정된 상태를 도시하는 사시도.
제5도는 보유 패턴이 흡수재와 하부배리어로 구성된 최종 마스크를 도시하는 사시도.

Claims (10)

  1. 마스크의 패스 영역을 형성하는 반사기의 노출 영역인 다층 반사기와 상기 마사크의 블로킹 영역을 한정하는 패턴화된 영역인 패턴화 흡수재 층의 구성을 포함하고 상기 패턴화된 흡수재 층의 보수를 포함하는, X-선 스펙트럼의 가공 방사에 사용하는 반사 마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 흡수재층과 상기 다층 반사기 사이에 끼인 배리어층이 상기 흡수재 층의 패턴화를 포함하는 제조 방법에 포함되며, 패턴화된 흡수재층의 보수중 상기 배리어층은 다층 반사기를 보호하며, 상기 배리어 층은 노출된 다층 반사기를 차례로 노출시키도록 패턴화되는 것을 특징으로 하는 반사 마스크의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 흡수재층의 패턴화는 상기 흡수재층의 위에 놓이는 패턴화된 레지스트 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 마스크의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 흡수재 층은 직접 패턴화에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 반사 마스크의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 방법은 상기 흡수재 층의 패턴화 이후의 검사 및 보수도 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 마스크의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 검사는 상기 공정의 정규과정이고 각 마스크의 적어도 한 제조 단계에 실행되는 것을 특징으로 하는 반사 마스크의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 마스크의 보수는 건식 가공 처리법을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 마스크의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 건식 가공 처리법은 마스크 결점을 가속된 이온에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 마스크의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 보수는 네가티브이고 이온 밀링으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반사 마스크의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 보수는 포지티브이고 이온 피복으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반사 마스크의 제조방법.
  10. 제1항 내지 제9항중 어느 한항의 제조 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 마스크.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930004935A 1992-04-03 1993-03-29 X-선 패턴 도형용 마스크 KR930022468A (ko)

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6015640A (en) * 1998-03-26 2000-01-18 Euv Llc Mask fabrication process
US6277539B1 (en) * 1998-05-22 2001-08-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Enhanced adhesion for LIGA microfabrication by using a buffer layer
AU5932500A (en) 1999-07-22 2001-02-13 Corning Incorporated Extreme ultraviolet soft x-ray projection lithographic method and mask devices
US6776006B2 (en) 2000-10-13 2004-08-17 Corning Incorporated Method to avoid striae in EUV lithography mirrors
US6818357B2 (en) * 2001-10-03 2004-11-16 Intel Corporation Photolithographic mask fabrication
DE10155112B4 (de) * 2001-11-09 2006-02-02 Infineon Technologies Ag Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür
JP3816809B2 (ja) 2002-01-30 2006-08-30 株式会社日立製作所 薬剤、薬剤キャリア、薬剤の製造方法及び腫瘍の治療方法
JP3939167B2 (ja) * 2002-02-28 2007-07-04 Ｈｏｙａ株式会社 露光用反射型マスクブランク、その製造方法及び露光用反射型マスク
DE10223113B4 (de) * 2002-05-21 2007-09-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer photolithographischen Maske
JP3842188B2 (ja) 2002-08-28 2006-11-08 株式会社日立製作所 超音波治療装置
US6988342B2 (en) 2003-01-17 2006-01-24 Masonite Corporation Door skin, a method of etching a plate for forming a wood grain pattern in the door skin, and an etched plate formed therefrom
US7959817B2 (en) 2004-01-09 2011-06-14 Masonite Corporation Door skin, a method of etching a plate, and an etched plate formed therefrom
JP4694150B2 (ja) * 2003-06-20 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理システム
FR2894691B1 (fr) * 2005-12-13 2008-01-18 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de masque lithographique en reflexion et masque issu du procede
KR102520797B1 (ko) * 2015-10-15 2023-04-12 삼성전자주식회사 반사형 포토마스크 및 그 제조 방법
US20230280644A1 (en) * 2022-03-03 2023-09-07 International Business Machines Corporation Method of making euv mask with an absorber layer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3673018A (en) * 1969-05-08 1972-06-27 Rca Corp Method of fabrication of photomasks
EP0279670B1 (en) * 1987-02-18 1997-10-29 Canon Kabushiki Kaisha A reflection type mask
DE3884970T2 (de) * 1987-10-09 1994-04-21 Hughes Aircraft Co Monolitische tunnelmaske mit einer amorphen/einkristallinen struktur.
US4906326A (en) * 1988-03-25 1990-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Mask repair system

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Publication number Publication date
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US5304437A (en) 1994-04-19
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CA2090157C (en) 1996-07-30
DE69307768T2 (de) 1997-05-28
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HK118697A (en) 1997-09-05
EP0569123A3 (en) 1994-08-24

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