JPH0629196A - Ｘ線パターン描画用マスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本件発明はサブミクロン設計則を用いたデバ
イス作製に用いられるようなＸ線投影パターン描画に関
する。 【構成】 本件発明において、サブミクロンデバイスの
構成でＸ線描画放射と共に使用するよう設計された反射
マスクの作製は、多層反射器と吸収層の中間の障壁層を
使用する。障壁層は、最初のパターン形成段階と除去又
は添加マスク修復段階との間で、多層反射器への損傷を
減らすように設計される。反射器を露出する際の損傷の
除去中で当該損傷を最小にするように、且つ、マスク寿
命の残る領域中で必要な安定性を持つように障壁の組成
が選択されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明はサブミクロン設計則を設けだデバ
イス作製に用いられるようなＸ線投影パターン描画に係
る。それは設計及びそのような用途に対して現在関心が
もたれている反射マスクの作製に係る。特に、マスク中
に存在する最終的な反射領域に対する損傷を最小にしな
がらパターン形成することに係る。

【０００２】

【従来技術の記述】数十年の開発の後到達した現在の１
メガビットレベルの大規模集積回路は、世紀が変る頃に
は、２５６メガビットレベルに達するまで発展し続ける
であろう。現在の＝約１cm² からチップサイズが増加す
る形を、部分的にはとるであろうが、現在の＝約１−
０．９μm から設計則が減少することに、大いに依存す
るであろう。

【０００３】解像度の限界から、ＬＳＩ作製に現在用い
られている紫外パターン描画を置き代える必要が生じる
であろうことは、認識されている。波長の限界により、
現在用いられている近ＵＶ（λ＝約３６５nm）を、深Ｕ
Ｖスペクトル（λ＝約３５０nmないし１５０nm）の放射
に置きかえることが予想されている。すると深ＵＶが
０．３５μm 設計則レベルすなわち６４メガビットチッ
プ容量に対応する設計則において、波長の限界になるで
あろう。

【０００４】より小さな設計則において、パターン描画
に電磁放射を続いて用いるとすると、Ｘ線が必要になる
であろう。“軟Ｘ線”すなわちλ＝５０−５００Åの広
い波長範囲において、比較的低侵入の放射に基礎をおい
た努力が、行われてきた。最初に関心のもたれる狭い波
長範囲は、λ＝１００−２００Åの可能性が高い。投影
Ｘ線リソグラフィに関する仕事は、約４年前に本格的に
始った。（ホーリラック（Hawrylick)及びセッパラ（Se
ppala)、ジャーナル・バキアム・サイエンス・テクノロ
ジー（J. Vac. Sci. Technol.)、第Ｂ６巻、１６４８頁
（１９８９）及びシルフバスト（Silfvast) 及びウッド
（Wood) 、マイクロエレクトロニクス・エンジニアリン
グ（Microelectronics Engineering）、第８巻、８頁
（１９８８）を参照のこと）生産用システムは反射マス
クとともに反射光学系に依存するということは一般に了
解されており、両方の場合に、必要な６０＋％の反射率
は、多層反射層（“ＭＬＲ”）に依存する。ある種の技
術において、この型の反射器は周期的な部分反射の合成
干渉に依存し、分布ブラッグ反射器とよばれる。

【０００５】連続的に縮小させることとともに、ＭＬＲ
構造の複雑さは、デバイス生産の歩留りを下る原因であ
る。この矛盾を減す努力は、改善されたマスクの作製に
向けられてきた。加えて、そのような考えにより、現在
の集積回路作製において、厳密さを必要とする描画レベ
ルでのすべてのマスクに対し、検査をし、本質的に修正
することが行われるようになった。各種のプロセスの改
善により、マスクの欠陥の数は減少したが、Ｘ線描画で
は厳密さを必要とするマスクは、修復を受けるというこ
とに、ほとんど疑問はない。

【０００６】別の方式には、“ボーティング”が含まれ
る。（シー・シー・フー（C-C Fu)、ディー・ダメロン
（D. Dameron) 及びエイ・マッカーシー（A. McCarth
y)、プロシーディング・エス・ピー・アイ・イー（Pro
c. SPIE）、第６３３巻、２７０頁（１９８６）を参照
のこと）このプロセスはマスクの欠陥の位置は、同一マ
スクをある程度の数作製する際、くり返さないという統
計的な可能性の利点をいかしている。通常考えるよう
に、そのような３つのマスクの組は、くり返して欠陥を
含まないと仮定できる。この方式は単一のレベルに対
し、１つのマスクではなく３つのマスクを順次くり返す
ことにより、作製中のデバイスをパターン形成すること
により、この統計的な可能性の利点を活かしている。こ
の方式に従うと、マスクの現像及びデバイス作製条件
は、露出の変動に対して許容しうるように、指定するこ
とができる。たとえば、露出が好ましくない領域に対す
る露出強度が１／３で、露出すべき領域へは２／３の露
出強度とするというようにする。

【０００７】“ボアティング”はマスクの欠陥によるデ
バイスの損失は減したが、位置合せが３倍になること
は、それだけ犠牲を要求する。

【０００８】最近報告されたマスク作製は、ＭＬＲの選
択的された領域を除去することによるパターン形成に依
存する（エイチ・キノシタ（H. Kinoshita) ら、プロシ
ーディング・オー・エス・エー（Proc. OSA)、第１２
巻、４５頁（１９９１）を参照のこと）。別の方式で
は、ＭＬＲはそのままであるが、代りに上のパターン形
成された吸収層に依存する（エイ・エム・ホーリラック
（A. M. Hawryluk）ら、ジャーナル・バキアム・サイエ
ンス・テクノロジー（J. Vac. Sci. Tech)第Ｂ７巻、１
７０２頁（１９８９）を参照のこと）。この仕事では、
マスクの阻止領域はリフトオフによるパターン形成の
後、残っている吸収領域に対応する。このような方式で
のパターン形成により、ＭＬＲ上に自由表面の“通過”
領域が残る。一般的に好ましいドライエッチングではな
く、リフトオフを用いるのは、露出されたＭＬＲへの損
傷を最小にするためである。リフトオフパターン形成の
解像度の限界と、破片による欠陥のため、ＭＬＲエッチ
ングパターン形成の重要さが示されてきた可能性があ
る。

【０００９】本発明の要約 本発明はＸ線パターン描画に用いるべき反射マスク、一
般にＭＬＲ反射に基礎をおくマスクの作製に係る。一般
に、Ｘ線パターン形成は、０．３５μm 及びそれ以下、
恐らくは０．１μm かそれ以下の設計則を用いたデバス
イの作製の場合に関心がもたれ、本発明はそのようなこ
とを意図している。本発明のマスクは技術的に認識され
た吸収層の使用により、ＭＬＲの反射機能から吸収機能
を分離する。この方式に付随した問題は、ＭＬＲと吸収
層の間にはさまれた障壁層の使用により避けられる。こ
の障壁層は、たとえばポリイミドのような有機重合材料
から成り、マスク作製中最も重要な機能を果す。必要な
プロセス特性は、下のＭＬＲ表面を確実に保護する。そ
れはこの目的を１又は２つの両方の段階で果す。すなわ
ち（１）吸収層の最初のパターン形成中、及び（２）次
にパターン形成される吸収層の修復中である。それはリ
フトオフプロセスとともに用いてもよいが、ドライプロ
セス、たとえば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、プ
ラズマエッチング及びイオンミリングに対する抵抗によ
り、これらのプロセスの使用が可能になり、一般にリフ
トオフより好ましいと考えられる。同じ特性は集束イオ
ンビームミリングとたとえばマスク修復中のイオンビー
ム補助堆積の使用を可能にする。

【００１０】障壁層の効果は、プロセスの便利さととも
に、最終的なマスク構造に関係する。重要な特徴は、表
面の損傷を避けて露出すべきＭＬＲ領域の除去しやすさ
にあるが、同様に重要な特徴は、残った領域にある。本
発明に従う作製により、残った吸収層領域の下にある障
壁層領域が、必然的に保持される。たえとばポリイミド
のような障壁材料及び加熱硬化フォトレジストの例は、
マスクの寿命にほとんど、あるいは全く悪い効果をもた
ない十分な耐久性をもつ。

【００１１】本発明のマスク構造は、上の吸収層の使用
により得られる反射及び吸収機能を分離することから得
られる利点をもつ。また、吸収機能を補うため、障壁材
料を選択することも可能である。ポリイミドとＭＬＲを
保護するのに適した加熱硬化フォトレジストの両方の吸
収は、実験的に用いた１２４−１４５Åの波長範囲内
で、必然的であることがわかっている。このことによ
り、吸収層をある程度薄くすることが可能になる。

【００１２】

【詳細な記述】

【一般的事項】ここで述べることは、一般に応用可能で
あるが、基本的には軟Ｘ線投影リソグラフィに関してで
ある。最初のプロセスではλ＝１２４−１４５Åの範囲
の描画放射を必要とするが、本発明のプロセスはλ＝１
００−２００Åのより広い範囲で適用でき、実際には全
体でλ＝５０−５００Åの範囲である。ＳＸＰＬは深Ｕ
Ｖの使用が便利である設計則でのＬＳＩ作製の、基本的
な候補である。考えている軟Ｘ線に対する高い吸収性に
より、透過より反射マスクに努力が向けられてきた。そ
のように許容されてきた厚い基板の使用により、機械的
安定性が得られ、信頼性が高い平坦な表面が作られ、使
用中歪むことによる悪影響を受けない。基板それ自身に
固有の熱シンクは、冷却による急峻な温度勾配、すなわ
ち補償した方がよい特性が生じる可能性を減す。

【００１３】これらの利点を認識することによって、
“従来技術の記述”で報告した仕事が導かれ、最終的に
吸収層で被覆された基板支持、多層ＭＬＲ構造になる。
本発明は最も重要な障壁層を設け、上述のように露出さ
れたＭＬＲ表面が損傷を受けないように、確実にすると
いう努力に基く。

【００１４】マスク構造／組成 マスクパラメータの議論については、図１を参照する。
図１に示されたようなマスク１０の本質的に機能する部
分は、基板１１、多層（ＭＬＲ）反射層１２（これは考
えている放射に対して、異なる光学定数の材料の交互の
層１４及び１５から成る）と上の吸収層１６から構成さ
れる。本発明の特徴は、吸収層１６とＭＬＲ１２の中間
の障壁層１７に依存する。上述のように、障壁１７の厳
密さを必要とする値は、プロセスに関連し、パターン形
成されたマスク中における高コントラスト反射−吸収界
面とともに、本質的に損傷のない反射器表面が得られる
が、マスクの阻止領域中にやむを得ず残る障壁が、機能
をそこなわないということは重要である。

【００１５】基板１１ 軟Ｘ線投影で可能な反射マスクの利点は、特に得られる
平坦さ、表面形状、堆積される材料に整合し、使用中の
条件に合わせるための熱膨張係数といった基板の物理的
／安定性に関する要求から、光学的機能を分離すること
にある。ここで述べる基本的なシステムの場合、研磨さ
れた単結晶シリコンウエハは適当で、例で用いられるモ
リブデン−シリコンＭＬＲに適した所望の安定性と熱膨
張係数を示す。別のものとしては、光学的用途に用いら
れる低膨張ガラス、シリコンカーバイドなどが含まれ
る。３インチウエハに望ましい物理的安定性は、＝約１
０−９０ミルの厚さで実現されてきた。より厚くなって
も、恐らく空間の点を除き、障害にはならない。シリコ
ンウエハ技術は、有用な表面の平滑さが得られる段階に
ある。機能性マスク全体で１０Åないし５Åの高さの変
化である平滑さは、容易に得られる。

【００１６】反射器１２ 基板と同様、適当な多層構造の構成は周知である。層１
４及び１５の適切な設計パラメータは、個々の層の厚さ
と光学定数である。例のＭＬＲ構造は、モリブデンとシ
リコンの４０層対から成る周期的多層積層構造に基い
た。この例では、周期は６８Åで、４０％までモリブデ
ン層で作られた。ピーク反射率はλ＝１３nmで＝約６５
％であった。ＭＬＲ設計について議論されたパラメータ
の適切な考察は、ティー・ダヴリュ・バービー（T. W.
Barbee）、プロシーディング・エス・ピー・アイ・イー
（Proc. SPIE）、Ｘ線光学用多層構造”、“薄膜多層構
造の想定されるＸ線光学への応用”、ジー・マーシャル
（G. Marshall ）編、第５６３巻、２頁（１９８５）に
述べられている。

【００１７】吸収体１６ 最初の研究は先に研究した金吸収体上部層を用いた（エ
イ・エム・ホールラック（A. M. Hawryluk) ら、ジャー
ナル・バキアム・サイエンス・テクノロジー（J. Vac.
Sci. Technol．）第Ｂ７巻、１７０２頁（１９８
９））、元素金の１０００Åの気相堆積層は、１０−１
５nmの軟Ｘ線波長範囲で、０．００２−０．００４の範
囲の反射率を生じた。先に述べた４０対の露出されたMo
／Si ＭＬＲに対するこの吸収体の反射の比率は、λ＝
１３−１３．４nmにおいて、１００にピークがある。パ
ターン形成に関するプロセスの考察によると、元素ゲル
マニウムの吸収層を用いる場合より、ある程度の利点が
暗示される。同様の厚さのMo／SiＭＬＲに対する反射
値、従って反射比は、金の場合と同程度である。吸収材
料の選択は、上述の考察に基いている。他の考察によれ
ば、他の予測もありうるが、金属材料に対しては、同様
の選択がなされるであろう。λ＝１３nmにおける＝約１
２０の反射比は、たとえば塩化アクリレート電子ビーム
レジスト材料の０．３μm 厚の層のような、塩素を含む
有機ポリマ材料の場合に、実現されている。このレジス
トの例は、トーレインダストリ（Taray Industry) 社
“ＥＢＲ−９”ポリ２，２，２トリフロロエチル・アル
ファ−クロロ・アクリレートで、パターン形成にも便利
に使われている。塩素を含まないポリマの使用は、吸収
は小さいが、他の考察により指示されることがある。そ
れらを選択する理由には、改善された解像度とともに、
物理的及び化学的安定性についての考察が含まれる。安
定な塩化物を含まないポリマの例は、ＰＭＭＡ（ポリメ
チル・メチルアクリレート）ポリイミドと従来のフォト
レジストである。ほとんどの炭化水素を基本としたパリ
マは、吸収体として用いるのに適している。シリコンを
含むポリマですら、それらの吸収が幾分減少しても、エ
ッチング条件に適合させるよう、選択されることがあ
る。ポリマ材料は、交差結合により、化学的及び熱的攻
撃の両方に対して、より安定になることがある。

【００１８】障壁 本発明の目的はこの障壁層に関してである。別々の吸収
層を用いることにより、吸収と反射機能が分離すること
は、認識されている。露出されたＭＬＲの反射率の低下
で、そのような低下を最小にするよう設計された矯正の
低下により、上述のような問題が生じた。障壁材料はマ
スク構成中、吸収体の所望のドライエッチパターン形成
を可能にするように選択される。優れたパターン端の規
定は、リフトオフの傾斜した端部の形状特性を避けるこ
とにより、実現される。リフトオフは、もし他の点で許
容されるなら、ＭＬＲに対する損傷（たとえば修復中の
例のMo／Si構造の最上部モリブデン層に対する損傷）が
更に減るため、障壁層の使用によっても行える。障壁材
料の選択は、吸収層のパターン形成に続く除去の容易さ
に、微妙に依存する。重合材料の１カテゴリーであるポ
リイミドは、酸素中のドライエッチングにより除去さ
れ、露出されたＭＬＲの反射は、ほとんど劣化しない。
一連の試験では、時間６分の５００ボルトイオンを用い
た酸素エッチングは、ポリイミドの除去に十分で、反射
率の劣化は６０％ないし５７％であった。反射率の損失
はより低い電圧と時間で、更に減少した。たとえば２０
０ボルトで２時間というようにエッチ時間を増すと、許
容しうる像が得られた。障壁を選択する際考えるべき要
因について、述べてきた。この時点で、酸素中のドライ
エッチ除去中、損傷を十分小さくすることは、加熱によ
り硬化させたフォトレジスト（たとえばジアゾナフトキ
ノンのような溶解抑止剤を含むノボラクレジン）の使用
とともに、ポリイミドの使用により、達成されてきた。

【００１９】マスク作製 マスク構造の作製について、図２ないし５を参照しなが
ら述べる。議論を容易にするため、図１の議論に用いた
参照数字を通して使う。この議論の他の部分と同様、作
製に関する説明は、マスクの修復についても同様に意図
するものである。修復というのは、除去（“ネガ”）又
は添加（“ポジ”）のいずれかから成り、ほとんどの場
合吸収体中の欠陥の修復に関するもので、従って障壁除
去前、すなわち反射体の最初の露出前に行われる可能性
が大きい。

【００２０】レジストのパターン形成 図２に描かれるように、吸収層１６の最上部上にレジス
ト層が堆積され、続いてエッチパターン形状１８が残る
ようエッチ材料の除去が、パターン形成によって行われ
る。パターン形成は現時点では、電子ビーム書き込み、
又はある種の例ではマスクの使用による（たとえば、１
９９２年１月７日に承認された米国特許第５，０７９，
１１２号に述べられているように、加速された電子によ
る）。別の方法にはレーザ削除、レーザ補助エッチン
グ、選択堆積等が含まれる。いずれの場合も、それから
形状１８が生じる層は、従来の電子ビームレジスト、た
とえばポリブテンスルホン、ポリメチルメタクリレート
のようなポジ、又はグリシドル・メタクリレート−コ−
クロロスチレン又は化学的に増幅させた酸触媒ノボラク
レジンレジスト（たとえばホエクスト（Hoechst)製のＲ
ＡＹ−ＰＮ）のようなネガでよい。材料除去には化学的
現像又は直接蒸発が含まれる。最も簡単に行うには、単
一層レジストを用いてもよい。多層レジストに代えても
よい。必要なことは、パターンを吸収層１６に転写する
ことが可能な、十分な解像度と化学的安定性である。

【００２１】吸収層のパターン形成 この段階は図３に示された作製である。図示されるよう
に、レジスト形状１８は除去され、吸収体１６が残って
いる。ドライエッチ転写に対する一般的要件は、同時に
揮発性化合物の形成である。ゲルマニウム吸収体材料
は、適当なプラズマ化学に露出するのに有用であった。
代表的なプロセスは反応性イオンエッチング、プラズマ
エッチング、イオンミリングである。（スィン・フィル
ム・プロセス（Thin Film Processes)Ｖ−Ｚ巻、ジェイ
・エル・ボゼン（J. L. Vossen) 及びダヴリュ・カーン
（W. Kern)編、アカデミックプレス、ニューヨーク（１
９７８）を参照のこと）説明のため、この図は突起１９
及び刻み目２０の形の欠陥を示している。

【００２２】図４はその後の段階で作製中のデバイスを
示す。その段階ではマスク検査により、欠陥１９及び２
０が明らかにされ、これらはイオンビーム・ミリング及
び堆積により、それぞれ矯正されている。上述のよう
に、マスク検査／修復は特にここでの説明で考えている
設計則の場合、少くとも最小寸法形状を含む微妙なマス
クレベルでは、マスク毎を基本に行われることが多い。
ネガの場合の突起１９の除去、あるいはポジの場合のく
ぼみ２０のような好ましくない空孔を満すための材料の
添加は、よく知られており、この説明で必要とするもの
ではない、（たとえば、エイ・ワグナー（A. Wagner)及
びピー・レビン（P. Levin) 、ニュークリア・インスト
ルメント・メソッド（Nucl. Inst. Meth.)第Ｂ３７／３
８、２２４頁（１９８９）；エル・アール・ハリオット
（L. R. Harriott) 、ニュークリア・インストルメント
・メソッド（Nucl. Inst. Meth.)第Ｂ５５巻、８０２頁
（１９９１；エル・アール・ハリオット（L. R. Harrio
tt) 及びエム・ジェイ・バサイル（M. J. Vasile) 、ジ
ャーナル・バキアム・サイエンス・テクノロジー（J.Va
c. Sci. Technol. ）、第Ｂ６巻、１０３５頁（１９８
８）を参照のこと）

【００２３】図５において、像は障壁層１７に転写され
ており、それによって表面領域２１は露出されている
（例では、Mo／Si ＭＬＲの最上部モリブデン表面が露
出されている。）上述のように、障壁材料の除去は、Ｍ
ＬＲの損傷を避けるよう選択されたプロセスにより行わ
れる。図５に示されるような構造は、最終的なマスクの
一部の構造である。

【００２４】記述は本質的なマスク層について、行って
きた。たとえば、雰囲気や遭遇する可能性のある他の要
因に対して保護するために、材料をつけ加えてもよい。
議論は最も簡単な場合について行ってきたが、多くの変
形が可能である。たとえば、ドライエッチングが一般に
好ましいが、リストオフ又は湿式エッチングすら許容さ
れる可能性がある。特に厳密さを必要としないマスクの
場合はそうである。従って、詳細な記述は主としてその
ような本質的なマスク層に関してであったが、そのよう
に解釈すべきである。一例として、たとえば吸収体を露
出させることの議論は、直接露出することが必要である
と解釈してはならず、最初は中間層を露出させ、最終的
に吸収体それ自身の露出という上述の目的を達成するこ
とが含まれてもよい。

【００２５】例 ここで示される番号をつけた例は、多数の中から、上の
記述のパラメータを数量的に規定し、特定の結果の他の
変形の基礎となるよう、選択された。比較のため、例は
すべてある種の標準化された設計例に関してである。用
いたのはすべて単結晶シリコン基板と１３．９nm波長の
描画放射用に調整された層厚のMo／Siの４０層対（又は
周期）から成るＭＬＲ構造である。選ばれた例はすべ
て、元素ゲルマニウム吸収層の使用を、基礎にしてい
る。すべての例で、レジストの最初の描画は、直接書き
込みｅ−ビームリソグラフィにより、ネガ形修復を必要
とする突起１９及びポジ形修復を必要とするくぼみ２０
のような欠陥を意図的に導入することを含んだ。両方の
例での修復は、適当に装備した集束イオンビーム（ＦＩ
Ｂ）によった。

【００２６】例１、２及び３は、ネガ形又は“差し引
き”形修復を含んだ。例４、５及び６はポジ形又は“添
加”形修復を含んだ。例１、３、４及び６は“暗視野”
マスクの形成に向けられ、その場合ポジ形レジスト材料
の使用により、ＭＬＲの露出された領域が、最終的なマ
スクの“通過”又は反射領域を規定するよう残った。各
組の追加された例、すなわち例２及び５は追加された阻
止層、この例では NiCr合金層を、トーンの反転に用い
ることに基いている。例２及び５はそれによってトーン
反転を示し、“明視野”マスクを生じ、その場合露出さ
れた領域は、最終的なマスクの“阻止”又は吸収領域を
規定する。

【００２７】例１及び４の暗視野マスク及び例２及び５
の明視野マスクの作製には、ゲルマニウム吸収層下に、
ポリイミド障壁層を用いた。例３及び６は“加熱”硬化
（なまし、すなわち交差結合）ノボラクフォトレジスト
の障壁を用いた。例１、３、４及び６の暗視野マスクの
作製におけるゲルマニウム吸収層は、ＰＭＭＡの単一層
を用いてパターン形成され、０．１μm 厚のゲルマニウ
ム吸収体用の反応性イオンエッチマスクとして働くパタ
ーンが生じた。例２及び５のトーン反転は、２０nm厚の
NiCr 薄膜のリフトオフを可能にする２層ＰＭＭＡレジ
スト系を用いて得られた。ゲルマニウム吸収体用のエッ
チマスクとして用いた後には、残った NiCr は吸収体構
造の永久部分となった。この方式により、トーン間のよ
り直接的な比較が可能になるが、商業生産用には単一レ
ジスト層の使用の形になるであろう。すなわち、一例で
はポジ形で、他方ではネガ形である。

【００２８】ゲルマニウム吸収体のエッチングは、平行
平板システムを用いた反応性イオンエッチングに基い
た。均一な条件は、１００ボルトの測定されたdcバイア
スを生じる条件下で、１０ミリトールの圧力及び２０sc
cmの流速における CF₃Brに依存した。

【００２９】プログラムされた欠陥の修復は真空中の集
束イオンビームシステムで、イオンミリングにより行
い、とり除く修復にはガリウムイオンビームを、添加す
る修復にはイオン補助堆積を用いた。添加する修復は、
フェニルアセテートのガスジェットを用いることに基
き、ガリウム炭化物を生じた。暗視野マスク上の除去修
復は、７．５×１０¹⁶イオン／cm² のイオンドーズを用
いた。明視野マスクの除去修復には、１．５×１０¹⁷イ
オン／cm² のイオンドーズを用いた。（添加ドーズは N
iCr 層を除去するために、必要であった。）添加修復
は、両方のマスクトーンの場合に、５×１０¹⁷イオン／
cm² のドーズを必要とした。異なる障壁に対して、ドー
ズの変化はなかった。

【００３０】すべての例の露出された障壁領域は、２０
０ボルトの測定されたバイアスで、２０SCCMの流速を用
い、１００ミリトールにおける酸素中のＲＩＥにより除
去した。

【００３１】６つの例で生じたデータは、他の実験デー
タとともに、説明の基礎として役立つ。ＭＬＲ反射率の
損傷により、露出時間の調整を必要とするほどの例はな
かった。最初に描画された領域及び修復された領域間
に、意味のある反射率変動は無かった。修復効率はそう
でなければ、走査電子顕微鏡により評価した。すべての
例で、修復は効果的であった。

【００３２】上で述べたように、便利なように、例を番
号順に表で示す。

【００３３】 例番号 ＦＩＢ修復形 障壁材料 マスクトーン ─────────────────────────────────── １ 除去 ポリイミド 暗視野 ２ 除去 ポリイミド 明視野 ３ 除去 加熱硬化フォトレジスト 暗視野 ４ 添加 ポリイミド 暗視野 ５ 添加 ポリイミド 明視野 ６ 添加 加熱硬化フォトレジスト 暗視野

【００３４】

【図面の簡単な説明】

【図１】描画前のマスク全体の透視図である。

【図２】ここではレジスト層が露出及び現像され、下の
吸収材料が顔を出した作製中のマスクを描いた４つの透
視図のうち最初の図である。

【図３】レジストパターンが吸収層に転写された段階を
示す図である。

【図４】吸収パターン中の欠陥が修正された状態を示す
図である。

【図５】残ったパターンの詳細が、下の障壁層とともに
吸収層から成る最終的なマスクの一部を描いた図であ
る。

【符号の説明】

１０ マスク １１ 基板 １２ 反射器 １４ 層 １５ 層 １６ 吸収層、吸収体 １７ 障壁、障壁層 １８ 形状 １９ 欠陥、突起 ２０ 欠陥、くぼみ、刻み目 ２１ 表面領域

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）多層反射器、マスクの“透過領
   域”を生じるそのような反射器の露出領域の構成、
   （ｂ）パターン形成された吸収層の構成、マスクの“阻
   止領域”を規定するパターン形成された領域（ｃ）及び
   そのようなパターン形成された吸収層の修復を含むＸ線
   スペクトル中の描画放射用の反射マスクの作製におい
   て、 該吸収層のパターン形成を含む作製中、そのような吸収
   層と多層反射層の中間に障壁層があり、該障壁層はパタ
   ーン形成された吸収層の修復中、多層反射器を保護し、
   （ｄ）該障壁層はパターン形成され露出された多層反射
   器を生じることを特徴とする作製。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の作製において、吸収層
   のパターン形成は、該吸収層上のパターン形成されたレ
   ジスト層を含むことを特徴とする作製。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の作製において、該吸収
   層は直接パターン形成によりパターン形成されることを
   特徴とする作製。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の作製において、該吸収
   層のパターン形成と修復に続く検査を含むことを特徴と
   する作製。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の作製において、該検査
   は該プロセスの正規の一部で、各マスクの作製の少くと
   も一段階で行われることを特徴とする作製。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の作製において、マスク
   修復はドライプロセスを含むことを特徴とする作製。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の作製において、そのよ
   うなドライプロセスは、加速されたイオンへのマスク欠
   陥の露出を含むことを特徴とする作製。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の作製において、修復は
   ネガ形で、本質的にイオンミリングを含むことを特徴と
   する作製。
9. 【請求項９】 請求項７に記載の作製において、修復は
   ポジ形で、本質的にイオン堆積を含むことを特徴とする
   作製。
10. 【請求項１０】 請求項１ないし９のいずれかの作製に
    従って生成したマスク。