KR930022103A - 광도파로소자와 그 제조방법 - Google Patents

광도파로소자와 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광통신등에 사용하는 광변조기등의 광도파로소자에 관한 것으로, 특히 광파이버와의 결합손실이 적고, 도 전파손실 및 광손상이 적은 광도파로소자의 구조와 그 제조방버을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 전기광학효과를 가지고, 기본재료조성 혹은 결정방위의 상위에 의해 굴절률이 다른 단결정유전체기판을, 적어도 2매, 직접 적합한 기판, 혹은 이 기판의 소정의 부위에 형성된 유리막에 이해 접합기판, 혹은 이기판의 소정의 부위에 형성된 규소막 또는 산화규소막 또는 질화규소막에 의해 접합한 기판에, 그 굴절률의 차에 의해, 한쪽의 단결정유전체 기판내에 광이 가두어진 광도파로를 가지고, 그 광도파로를 통과하는 광을 전기 공학 효과에 의해 제어하도록한 구성으로 이루어진다.

Description

광도파로소자와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예의 구성도.
제2도는 본 발명의 제1의 실시예의 구성도.
제3도는 본 발명의 제2의 실시예의 구성도.
제4도는 본 발명의 제2의 실시예의 단면도.

Claims (30)

  1. 전기광학효과를 가지고, 결정방위에 따라 굴절률이 다른 단결정유전체 기판을, 결정방위를 바꾸어서, 적어도 2매, 직접 적합한 기판에, 결정방위의 상위에 의한 굴절률의 차에 의해 한쪽의 단결정 유전체기판내에 광이 가두어진 광도파로를 가지고, 그 광도파로를 통과하는 광을 전기광효과에 의해 제어한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  2. 전기광학효과를 가지고, 기본재료조성의 상위에 의해 굴절률이 다른 단결정 유전체기판을, 적어도 2매, 직접 접합한 기판에, 그 굴절률의 차에 의해 한쪽의 단결정유전체기판내에 광이 가두어진 광도파로를 가지고, 그 광도파로를 통과하는 광을 전기광학효과에 의해 제어한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  3. 전기광학효과를 가지고, 결정방위에 의해 굴절률이 다른 단결정 유전체기판을, 결정방위를 바꾸어서, 적어도 2개, 유리에 의한 접합한 기판에, 결정방위의 상위에 의한 굴절률의 차에 따라, 한쪽의 단결정 유전체기판내에 광이 가두어진 광도파로를 가지고, 그 광도파로를 통과하는 광을 전기광효과에 의해 제어한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  4. 전기광학효과를 가지고, 기본재료 조성의 상위에 의해 굴절률이 다른 단결정 유전체기판을, 적어도 2매, 유리에 의해 적합한 기판에, 그 굴절률의 차에의해 한쪽의 단결정유전체 기판내에 광이 가두어진 광도파로를 가지고, 그 광도파로를 통과하는 광을 전기광학효과에 의해 제어한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  5. 전기광학효과를 가지고, 결정방위에 의해 굴절률이 다른 단결정유전체기판을, 결정방위를 바꾸어서, 적어도 2매, 상기 기판의 소정의 부위에 형성된 규소막 또는 산화규소막 또는 질화규소막에 의해 접합한 기판에, 결정방위의 상위에 의한 굴절률의 차에 의해, 한쪽의 단결정 유전체기판내에 광이 가두어진 광도파로를 가지고, 그 광도파로를 통과하는 광을 전기광학효과에 의해 제어한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  6. 전기광학효과를 가지고, 기본재료조성의 상위에 의해 굴절률이 다른 단결정유전체기판을, 적어도 2매, 상기 기판의 소정의 부위에 형성된 규소막 또는 산화규소막 또는 질화규소막에 의해 접합한 기판에, 그 굴절률의 차에 의해, 한쪽의 단결정 유전체기판내에 광이 가두어진 광도파로를 가지고, 그 광도파로를 통과하는 광을 전가광학 효과에 의해 제어한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  7. 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서. 단결정 유전체로서, 니오브산리튬 또는 탄탈산리륨을 사용한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  8. 제1항 내지 제6항의 어느 한 항에 있어서, 광강도변조 또는 광스위칭 또는 편파면제어 또는 전파모드제어를 행ㅎ는 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  9. 제1항에 또는 제2항에 있어서, 직접 결합을, 물, 수산기, 산소로 행한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  10. 제3항 또는 제4항에 있어서, 접합유리부의 두께가, 전파광의 차단파장이하인 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  11. 제5항 또는 제6항에 있어서, 접합의 규소막 또는 산화규소막 또는 질화규소막의 두께가, 전파광의 차단파장이하인 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  12. 제5항 또는 제6항에 있어서, 접합의 규소막이 비정질인 것을 특징으로 하는 광도파도소자.
  13. 제5항 또는 제6항에 있어서, 접합의 규소막이 다결정인 것을 특징으로 하는 과도파로소자.
  14. 결정방위가 다른 적어도 2매의, 결정방위에 의해, 굴절률이 다른 전기광학효과를 가진 단결정유전체기판의 표면을 평활하고 또한 청정하게 하고, 친수처리한 후, 물을 개재해서 직접 접합하고, 100℃에서부터 1100℃의 범위에서 가열하므로서, 직접 접합강도를 향상시킨 후, 광도파로 형성하는 쪽의 기판을, 광도파로 형성하는데 충분한 두께까지 얇게 가공한 후, 가공된 기판에 광도파로를 형성하고 또 전극을 형성해서 광도파로소자로한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  15. 기본재료 조성의 상위에 의해 굴절률이 다른 적어도 2매의, 전기광학효과를 가진 단결정 유전체기판의 표면을 평활하게 또한 청정하게 하고, 친수처리한 후, 물을 개재해서 직접 접합하고, 100℃에서부터 1100℃의 범위에서 가열하므로서, 직접 접합강도를 향상시킨후, 광도파로를 형성하는 쪽의 기판을, 광도파로를 형성하는데 충분한 두께까지 얇게 가공한 후, 가공된 기판에 광도파로를 형성하고, 또 전극을 형성해서 광도파로소자로 한 것을 특징으로 하는 광도파로소자.
  16. 결정방위가 다른 적어도 2매의, 결정방위에 의해 굴절률이 다른 전기광학효과를 가진 단결정유전체 기판의 표면을 평활하게 또한 청정하게 하고, 그위에 유리박막을 형성하고, 이 유리박막을 개재해서 맞포개지고, 열처리에 의해 상기 유리박막의 접착제에 의해서 접합한 기판의, 광도파로를 형성하는 쪽의 기판을, 광도파로로서 유효하게 동작하는 두께까지 얇게 가공한 후, 가공된 가판에 광도파로를 형성하고, 또 전극을 형성해서 광도파로소자로 한 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  17. 기본재료조성의 상위에 의해 굴절률이 다른 적어도 2매의, 전기광학효과를 가진 단결정유전체 기판의 표면을 평활하게 또한 청정하게 하고, 그위에 유리박막을 형성하고, 이 유리박막을 개재해서 맞포개고, 열처리에 의해, 상기 유리박막의 접착력에 의해서 접합한 기판의 광도파로를 형성하는 쪽의 기판을, 광도파로서 유효하게 동작하는 두께까지 얇게 가공한 후, 가공된 가판에 광도파로를 형성하고, 또 전극을 형성해서 광도파로소자로 한 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  18. 결정방위가 다른 적어도 2매의, 결정방위에 의해 굴절률이 다른, 전기광학효과를 가진 단결정유전체기판의 표면을 청정하게 하고, 그위의 소정의 부위에 규소막 또는 산화규소막 또는 질화규소막을 형성하고, 이 막을 개재해서 맞포갠후, 열처리에 의해, 상기 막의 접합력에 의해서 접합한 기판의 광도파로를 형성하는 쪽의 기판을, 광도파로서 유효하게 동작하는 두께까지 얇게 가공한 후, 가공된 기판에 광도파로를 형성하고, 또 전극을 형성해서 광도파로소자로한 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  19. 기본재료 조성의 상위에 의해 굴절률이 다른 적어도 2매의 전기광학효과를 가진 단결정유전체깊한의 표면을 청정하게 하고, 그 위의 소정의 부위에 규소막 또는 산화규소막 또는 질화규소막을 형성하고, 이 막을 개재해서 맞포갠후, 열처리에 의해, 상기 막의 접합력에 의해서 접합한 기판의, 광도파로를 형성하는 쪽의 기판을, 광도파로로서 유효하게 동작하는 두께까지 얇게 가공한 후, 가공된 기판에 광도파로를 형성하고, 또 전극을 형성해서 광도파로 소자로한 것을 특징으로 하는 광 도파로소자의 제조방법.
  20. 제14항 내지 제19항의 어느 한 항에 있어서, 단결정 유전체로서, 니오브산티튬 또는 편파면제어 또는 전파모드제어를 행하는 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  21. 제14항 내지 제19항의 어느 한 항에 있어서, 광강도변조 또는 광스위칭 또는 편파면제어 또는 전파모드제어를 행하는 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  22. 제14항 또는 제14항에 있어서, 직접 접합을, 물, 수산기, 산소로 행하는 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  23. 제16항 또는 제17항에 있어서, 접합유리부의 두께가, 전파광의 차단파장이하인 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  24. 제16항 또는 제17항에 있어서, 열처리온도로서, 유리의 연화점이상, 1100℃이하로한 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  25. 제18항 또는 제19항에 있어서,열처리온도로서, 1100℃에서부터 1100℃의 온도범위로한 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  26. 제18항 또는 제19항에 있어서, 접합의 규소막 또는 산화규소막 또는 질화규소막의 두께가, 전파광의 차단 파장이하인 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  27. 제18항 또는 제19항에 있어서, 접합의 규소막이 비정질인 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  28. 제18항 또는 제19항에 있어서, 집합의 규소막이 다결정인 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  29. 제18항 또는 제19항에 있어서, 접합막부의 두께가, 전파광의 차단파장이하인 것을 특징으로 하는 광도파로소자의 제조방법.
  30. 제18항 또는 제19항에 있어서, 접합의 규소막 또는 산화규소막 또는 질화규소막의 표면을 친수처리한후, 물을 개재해서 맞포갠것을 특징으로 하는 광도파로 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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