DE2443129A1 - Anordnung zur modulation von optischen wellen - Google Patents
Anordnung zur modulation von optischen wellenInfo
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, den -f. L~?197h
Berlin und München Witteisbacherplatz 2
74/7159
Anordnung zur Modulation von optischen Wellen
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung zur Modulation von in einem Wellenleiter geführten optischen Wellen.
Zur Nachrichtenverarbeitung mit den Mitteln der integrierten Optik sind Modulatoren für die geführten optischen Wellen erforderlich.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Anordnung zur Modulation von in einem Wellenleiter geführten optischen Wellen anzugeben,
durch die mit Hilfe des transversalen elektrooptischen Effektes die Lichtwellenführungseigenschaften des Wellenleiters
gesteuert verändert oder ganz aufgehoben werden können, so daß die geführten Lichtwellen entsprechend der Amplitude
des modulierenden Feldes in die Strahlungs- und Leckwellenmoden des Wellenleiters gestreut werden können.
Die erfindungsgemäße Anordnung ist gekennzeichnet durch ein Substrat, auf dem der Wellenleiter streifenförmig aufgebracht
ist, eine erste, auf der dem Wellenleiter abgewandten Seite des Substrates angeordnete Elektrode, eine dielektrische Zwischenschicht
auf dem Wellenleiter, eine zweite auf der dielektrischen Zwischenschicht angeordneten Elektrode und eine Spannungsquelle.
Vorteilhafterweise bestehen Substrat und Wellenleiter aus dem gleichen elektrooptischen Material, wobei der Brechungsindex
des Wellenleiters infolge einer angelegten Spannung . und/oder geeigneter Kristallorientierung geringfügig größer
als der Brechungsindex des Substrates ist.
VPA 9/710/4083 UH/Kow -2-
609813/0441
Der Wellenleiter und das Substrat können aus LiNbO, bestehen,
wobei die Orientierung der Kristallachsen im Substrat unterschiedlich
zur Orientierung der Kristallachsen im Wellenleiter ist.
Mit der erfindungsgemäßen Anordnung wird also die Modulation der eintreffenden geführten Wellen durch gesteuerte Streuung
erzielt, da das zur Ausbreitungsrichtung der geführten Wellen •senkrechte elektrische Modulationsfeld zwischen den beiden
Elektroden in der Lage ist, geeignete elektrooptische Brechungsindexänderungen
des Wellenleiters zu erzeugen, so daß die weiterlaufende geführte Welle moduliert ist.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren beispielsweise erläutert; es zeigen:
Figur 1 einen Schnitt durch einen erfindungsgemäßen Modulator, Figur 2 ein Diagramm der Kristallachsenorientierung des Wsllen-
leiters und
Figur 3 ein Diagramm der Kristallachsenorientierung des Substrates,
Figur 3 ein Diagramm der Kristallachsenorientierung des Substrates,
In der in Figur 1 schematisch dargestellten Anordnung ist mit
1 ein Substrat bezeichnet, das aus einem Kristall oder Glas bestehen kann und auf dem nach einer der bekannten Methoden wie
Sputtern, Aufsprengen, apitaktisches Aufwachsei, Aufdampfen,
ein streifenförmiger Wellenleiter 5 aus einem elektrooptischen Material aufgebracht ist. Auf den Wellenleiter 5 wird eine
dielektrische Zwischenschicht 3 aufgedampft und auf der dielektrischen Zwischenschicht sowie unterhalb des Substrates
befinden sich je eine Elektrode 4, 2. Vorteilhafterweise ist der Brechungsindex des Wellenleiters 5 infolge der Vorspannung
und/oder geeigneter Kristallorientierung geringfügig größer als der Brechungsindex des Substrates 1.
Das Substrat 1 und der Wellenleiter 5 können z.B. aus LiNbO-,
bestehen. Die Orientierung der Kristallachsen im Substrat 1
VPA 9/710/4083 , -3-
609813/0441
2U3129
unterscheidet sich jedoch von der Orientierung der Kristallachsen
im Wellenleiter 5. In den Figuren 2 und 3 sind die Kristallachsenorientierungen im Wellenleiter und in Substrat
dargestellt.
Wie Figur 2 zeigt, ist die χ,,-Achse des Wellenleiters senkrecht
zur Zeichenebene angeordnet, die Xp-Achse zeigt nach rechts und
die χ-,-Achse nach oben. In Figur 3 ist die x-.-Achse des Substrats
3 3
senkrecht zur Zeichenebene angeordnet, die x.-Achse zeigt nach
rechts und die x9-Achse nach oben. Die X1-AChSe entspricht dabei
der kristallografischen a-Achse, die x,-Achse entspricht der
kristallografischen c-Achse, wobei in beiden Fällen,die Xp-Achse
senkrecht auf der a- und c-Achse steht.
Die dielektrische Zwischenschicht 3 dient dazu, den direkten
Kontkat der.aufgedampften Elektrode 4 mit dem Wellenleiter 5 zu
verhindern. Die Elektroden 2, 4 können aus Metall oder halbleitender Substanz bestehen.
Im Wellenleiter 5 und im Substrat 2 soll sich eine elektromagnetische
Welle ausbreiten, deren elektrische Feldstärke Ε, in der Zeichenebene liegt und parallel zur Grenzfläche
zwischen Wellenleiter und Substrat gerichtet ist. Zwischen der Wellenleiterelektrode 4 und der Substratelektrode 2 wird
eine von einer Spannungsquelle 6 stammende Spannung gelegt.
Wenn das positive Potential an der Elektrode 4 und das negative Potential an der Elektrode 2 liegen, so erhöht sich der Brechungsindex im Wellenleiter 5 bei gleichzeitiger Verringerung des
Brechungsindex im Substrat 1. Bei dieser Wahl der Spannung ist die Anordnung daher in der Lage, eine elektromagnetische Welle
verlustfrei zu führen. Wenn keine Spannung zwischen der Elektrode,
4 und der Elektrode 2 liegt, dann unterscheiden sich die Brechungsindices im Wellenleiter 5 und im Substrat 1 nicht, so
daß Abstrahlungsverluste auftreten. Bei Umkehrung der Spannung gegenüber der oben angegebenen Polung ergibt sich ein Leck*-
VPA 9/710/4083 -4-
■6 U 98 13/0441 . ■
wellenleiter, bei dem ebenfalls Abstrahlungsverluste auftreten.
Durch die an den Elektroden 2, 4 liegende Spannung können die Verluste der eintreffenden Welle gesteuert werden. Die weiterlaufende
Welle ist daher in ihrer Intensität moduliert. Der Modulationsspannung kann eine von einer Spannungsquelle 7
stammende Vorspannung überlagert werden, wobei die Vorspannung so einzustellen ist, daß die Änderung der Lichttransmission
als Funktion der Spannungsänderung an den Elektroden möglichst
groß wird. In diesem Fall kann die zugeführte Modulationsspannung
von der Spannungsquelle 6 den größten Effekt erzielen.
Bei Vertauschung der Achsenrichtungen von Wellenleiter und Substrat entsteht ebenfalls eine brauchbare Modulationsanordnung,
wobei eine elektromagnetische Welle dann verlustfrei geführt werden kann, wenn das positive Potential der
angelegten Spannung an der Substratelektrode 2 liegt.
3 Patentansprüche
3 Figuren
3 Figuren
VPA 9/710/4083 -5-
6üSS 1 3/0441
Claims (2)
- Patentansprüche(hyAnordnung zur Modulation von in einem Wellenleiter geführten optischen Wellen gekennzeichnet durch ein Substrat, auf dem der Wellenleiter streifenförmig aufgebracht ist, eine erste, auf der dem Wellenleiter abgewandten Seite des Substrats angeordnete Elektrode, eine dielektrische Zwischenschicht auf dem Wellenleiter, eine zweite auf der dielektrischen Zwischenschicht angeordnete Elektrode und eine Spannungsquelle.
- 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß Substrat und Wellenleiter aus dem gleichen elektrooptischen Material bestehen und daß der Brechungsindex des Wellenleiters geringfügig größer als der Brechungsindex des Substrates ist.3* Anordnung nach Anspruch 2, dadurch g e k e η nz ei c h net , daß Wellenleiter und Substrat aus LiNbO, bestehen und daß die Orientierung der Kristallachsen im Substrat unterschiedlich zur Orientierung der Kristallachsen im Wellenleiter ist.VPA 9/710/4083609813/0441Leerseite
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19816674A1 (de) * | 1998-04-15 | 1999-10-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Optisches Bauelement und Verfahren zum Schalten oder Modulieren von Licht |
Families Citing this family (1)
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1974
- 1974-09-09 DE DE19742443129 patent/DE2443129A1/de active Pending
-
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- 1975-09-09 BE BE159874A patent/BE833227A/xx unknown
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DE19816674A1 (de) * | 1998-04-15 | 1999-10-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Optisches Bauelement und Verfahren zum Schalten oder Modulieren von Licht |
Also Published As
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NL7509963A (nl) | 1976-03-11 |
BE833227A (fr) | 1975-12-31 |
FR2284130A1 (fr) | 1976-04-02 |
JPS5194976A (de) | 1976-08-20 |
IT1042263B (it) | 1980-01-30 |
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