KR930018885A - 반도체 수광장치 - Google Patents

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KR930018885A
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쿠라우찌 노리타까
스미도모덴기 고오교오 가부시기가이샤
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Abstract

광파이버가 삽입된 하우징에는 포토다이오드칩이 상부에 장착된 헤드가 일체로 고착되어 있고, 광파이버의 광방출면과 포토다이오드칩의 수광면은 서로 대향배치되어 있는 반도체 수광장치에 있어서, 포토다이오드칩은 광전류를 수광신호로서출력하는 수광면으로서의 p-n 접합부와 상기 p-n 접합부의 주변영역에서 발생된 캐리어를 포획하는 영역을 구비하고, 상기 포토다이오드칩은 광파이버의 광방출단면과 대향하고 있다. 그결과, 광학렌즈계가 불필요하며, 만약 광학렌즈계를 사용하더라도, 값싼 광학계를 사용할 수 있으므로, 장치자체를 저렴하고 용이하게 제작할 수 있다.

Description

반도체 수광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본원의 제1태양에 의한 반도체 수광장치의 주요부의 측면단면도.
제5도는 제1 밍 제2태양에 의한 반도체 수광장치내에 설치된 포토다이오드칩의단면도.
제6도는 본원의 제2태양의 제1실시예에 의한 반도체 수광장치의 측단면도.
제7도는 본원의 제2태양에 의한 반도체 수광장치의 측단면도.

Claims (12)

  1. 투광로로서의 광파이버가 내부에 삽입된 하우징과, 상기 하우징과 일체로 고착된 헤더와, 광파이버의 일단면으로부터 방출된 신호광에 의해 발생된 광전류를 수광신호로서 출력하는 p-n 접합부 및 상기 p-n 접합부의 주변영역에서 발생된 캐리어를 포획하는 영역을 구비한, 상기 헤드상에 정착된 포토다이오드칩으로 구성되고 상기 p-n 접합부와 그 주변영역이 상기 포토다이오드칩의 수광면상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토다이오드칩은, 기판상에 성장시킨 에피택셜층상에 금속원소의 열확산에 의해 형성되는 전하포획영역을 포함하며, 상기 수광영역과 전하포획영역은 동일한 극성을 지니는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광파이버와 포토다이오드칩은 서로 비접촉상태로 광학적으로 결합되어 있고, 광파이버의 신호광 방출단면과 포토다이오드칩의 수광면은 서로 대향하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  4. 투광로로서의 광파이버가 내부에 삽입된 하우징과, 상기 하우징과 일체로 고착된 헤더와, 광학렌즈계를 개재해서 광파이버의 일단면으로부터 방출된 신호광에 의해 발생된 광전류를 수광신호로서 출력하는 p-n 접합부 및 상기 p-n 접합부의 주변영역에서 발생된 광전류를 포획하는 영역을 구비한, 상기 헤드상에 장착된 포토다이오드칩으로 구성되고, 상기 p-n 접합부와 그의 주변영역이 상기 포토다이오드칩의 수광면상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 포토다이오드칩은, 기판상에 성장시킨 에피택셜층상에 금속원소의 열확산에 의해 형성되는 전하포획영역을 포함하며, 상기 수광영역과 전하포획영역은 동일한 극성을 지니는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 광파이버와 포코다이오드칩은 서로 비접촉상태로 광학적으로 결합되어 있고, 광파이버의 신호광 방출단면과 포토다이오드칩의 수광면은 서로 대향하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 헤더상에 정착된 포토다이오드칩은 캡으로 기밀밀봉되어 있고, 이 캡의 내부는 불활성원소로 채워져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 캡은 광파이버의 광방출단면으로부터 방출된 신호광을 통과시키기 위한 투광창을 지니고 있는 반도체 수광장치.
  9. 제4항에 있어서, 상기 광학렌즈계로서는 구면렌즈를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 구면렌즈는 상기 하우징과 일체로 형성된 렌즈지지대에 고착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 구면렌즈는 상기 헤더상에 정착된 포토다이오드칩을 기밀밀봉하기 위한 캡에 고착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 구면렌즈는 투광창이 설치된 캡상의 위치에 고착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 수광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930001426A 1992-02-03 1993-02-03 반도체수광장치 KR970005215B1 (ko)

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JP01762092A JP3191823B2 (ja) 1992-02-03 1992-02-03 半導体受光装置
JP92-17620 1992-02-03

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