KR930017662A - 넒은 비임 선속밀도 제어장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
이온비임 소오스(10)는 소오스로 부터 양으로 대전된 이온을 추출하는 추출전극(34)부근에 가깝게 위치한 다중구멍(31)을 포함한다.
본 발명을 이용할때, 소오스를 여기시키는 이온들은 실리콘 웨이퍼를 이온비임 처리하는데 이용되는 넓은 비임(14)을 형성하도록 하류에 결합되어 있다.
추출전극에 가깝게 인접한 각각의 전극(40)을 소오스에 인접한 비임부로 부터 추출전극 뒷까지 중성전자를 백스트리밍을 금지하거나 허락하도록 바이어스할 수 있다.
이것은 비임부를 비중화시켜 불안정하게 한다. 비임부내의 양으로 대전된 이온이 비임을 탈출시키기 때문에 불안정한 이온비임의 세기가 감소한다.
절연판(50)은 추출전극에 가깝게 인접한 비임부를 분리하여 비임누출을 방지하고 비임부에 공통인 부가적인 억압 전극(70)이 제어할 수 있게 바이어스되어 비임부 세기 제어를 더 향상시킨다.
보통의 응용에서 비임은 원형비임이고 세기 제어는 비임중심에서 주어진 반경의 공통세기를 보장하도록 유지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 공작물을 처리하는 이온주입장치의 개략도, 제2도는 이온비임 소오스의 부분 단면도, 제3도는 이온세기 제어전극의 어레이를 도시한 제2도에 근접한 제어전극 구조의 평면도.
Claims (10)
- (가)다중탈출구멍(32)을 구비한 벽(32)에 의해 형성된 영역내에서 이온의 플라즈마를 생성시키는 단계와, (나)탈출구멍 부근의 추출전극(34)을 바이어스하여 상기 영역내에서 이온을 추출하여 이온을 구멍을 통해 가속시켜 이온비임을 형성하도록 결합된 다중 이온비임부를 형성하는 단계와, (다)다중 억압 전극(40)을 추출전극 바깥측에 위치시키는 단계와, (라)대전입자를 이온비임부에서 추출전극뒤쪽으로 끌어당겨 선택된 비임부를 감쇠시키므로 대전입자를 추출전극에 백스트리밍하게 하는 전기전위로 추출전극을 바이어스하여 이온비임내의 위치기능에 따라 이온비임을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임을 형성하는 방법.
- 제1항에있어서, 다중 억압 전극 하류의 인접비임부를 전기적으로 절연시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온비임을 형성하는 방법.
- 제1항에있어서, 바이어싱 단계는 주기전압을 각각의 억압 전극에 인가하고 대전입자의 백스트리밍을 허락하는 전압과 상기 백스트리밍을 금지하는 전압사이의 주기 전압의 더티사이클을 제어하므로 성취되는 것을 특징으로 하는 이온비임을 형성하는 방법.
- (가)제한영역내에서 이온을 발생시키고 이온을 제한공간에 탈출시켜 이온비임부를 형성하는 다중탈출구멍(31)을 지닌 제한공간을 형성하는 벽(31)을 포함하는 이온소오스(10)을 구비하고, 상기 이온비임부는 각각의 비임부보다 큰 비임단면을 구비한 이온비임을 형성하도록 결합되어 있고, (나)이온소오스에서 이온을 끌어당기는 전기전위로 유지된 전도 추출판(34)을 포함하는 추출수단을 포함하고 상기 전도 추출판은 제한영역을 여기시키는 이온을 추출판을 통과시키기 위해 상기 이온소오스의 벽의 다중 탈출구멍과 배열된 다중 추출구멍을 포함하고, (다)전도추출판을 여기시키는 비임부로 부터 전자의 백스트리밍을 금지하는 억압 전극(40)과 억압 전극상의 전위를 각각 제어하므로서 전자 백스트리밍을 제어하므로서 비임단면을 가로지르는 비임세기를 조절하는 바이어싱수단(60)을 포함하는 비임세기 제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제4항에 있어서, 억압전극 하류에 있고 전자백스트리밍으로 인한 비중화된 비임부 사이의 전기적 상호작용을 금지하는 비임분리수단(50),(70)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- 제5항에 있어서, 비임 분리수단은 (가)전기 전위로 유지된 강철 절연판(50)과(나)제2고정 전기전위에 바이어스된 절연판 하류에 있고 전자를 절연을 통해 이동하는 것을 방지하는 전극(70)을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
- (가)처리할 웨이퍼면의 영역의 크기의 비임 단면을 지닌 큰 이온비임을 형성하기 위해 결합된 다수의 매우 작은 단면 이온비임을 제공하는 이온소오스수단(10)과, (나)선택된 조그만 단면 이온비임에서 대전된 비임 중화 입자를 끌어내므로서 선택된 조그만 단면 이온비임을 전하를 비중화시키는 다수의 공간을 둔 전극(40)을 포함하는 이온 분배제어수단과, (다)조그만 단면이온 비임 서로를 전기적으로 절연시켜 일반적으로 대전된 중성의 조그만 단면이온 비임과 매우 인접한 비중성의 조그만 단면 이온비임사이의 전기인력을 금지시키는 비임분리수단(50),(70),(72)과, (라)이온 분배제어수단을 떠나는 이온들을 분해하여 이온을 웨이퍼 처리 궤도를 따르게 하는 분해수단(16)과, (마)상기 이온이 분해수단을 탈출한후, 상기 어떤 이온을 잡는 위치에 위치시키는 웨어퍼 처리 장소와, (바)이온 분배제어수단에 결합되어 공간을 둔 전극의 바이어싱 전위를 각각 제어하여 웨이퍼 처리장소에서 웨이퍼면과 충돌하는 이온의 제어된 이온분배를 제공하는 스위칭 수단(62)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 비임(14)을 제어된 궤도를 따르게 하여 웨이퍼(22)에 충돌시키는 이온 주입 장치.
- 제7항에 있어서, 각각의 제어전위에서 공간을 둔 전극을 전기적으로 바이어싱하는 전원 수단(60)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
- 제7항에 있어서, 비임분리수단은 고정된 전기전위로 유지된 채널을 지닌 절연판(50)과, 중성입자가 절연판의 채널이 이동하지 못하게 하는 전위로 바이어스된 절연판의 하류에 위치한 억압전극(70)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
- 제9항에 있어서, 절연판의 전위로 유지되고 억압전극의 하류에 위치한 부가적인 판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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