JPH0652816A - 広幅のイオンビーム形成方法およびそのイオン注入装置 - Google Patents
広幅のイオンビーム形成方法およびそのイオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0652816A JPH0652816A JP5050181A JP5018193A JPH0652816A JP H0652816 A JPH0652816 A JP H0652816A JP 5050181 A JP5050181 A JP 5050181A JP 5018193 A JP5018193 A JP 5018193A JP H0652816 A JPH0652816 A JP H0652816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion beam
- electrode
- potential
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 title 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 63
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 45
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 17
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
- H01J37/3172—Maskless patterned ion implantation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K15/00—Electron-beam welding or cutting
- B23K15/02—Control circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 広幅のイオンビームを形成して、そのイオン
ビーム強度を選択的に制御するイオンビーム形成するこ
と。 【構成】出口開口31を通過するイオンを加速して多数の
イオンビーム部分を形成し、これらを結合させて広幅の
イオンビームを形成し、抽出電極34の外側に多数の抑制
電極40を配置し、荷電粒子を抽出電極へ逆流させること
が可能な電位のバイアスを抑制電極に加えることによっ
て、ビーム部分が非中和化され、荷電粒子をイオンビー
ム部分から抽出電極へ引き戻して、選択されたビーム部
分を制御可能に減衰させ、それによってイオンビーム内
の位置の関数としてイオンビーム強度を制御する
ビーム強度を選択的に制御するイオンビーム形成するこ
と。 【構成】出口開口31を通過するイオンを加速して多数の
イオンビーム部分を形成し、これらを結合させて広幅の
イオンビームを形成し、抽出電極34の外側に多数の抑制
電極40を配置し、荷電粒子を抽出電極へ逆流させること
が可能な電位のバイアスを抑制電極に加えることによっ
て、ビーム部分が非中和化され、荷電粒子をイオンビー
ム部分から抽出電極へ引き戻して、選択されたビーム部
分を制御可能に減衰させ、それによってイオンビーム内
の位置の関数としてイオンビーム強度を制御する
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加工部材を処理するた
めのイオンビーム装置、特にイオンビームを多数のビー
ム部分で構成し、それらを結合させてビーム部分を調整
することによってビームの強度分布を制御できる広幅の
イオンビームを形成するようにしたイオンビーム注入装
置に関するものである。
めのイオンビーム装置、特にイオンビームを多数のビー
ム部分で構成し、それらを結合させてビーム部分を調整
することによってビームの強度分布を制御できる広幅の
イオンビームを形成するようにしたイオンビーム注入装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ベンベニステ(Benveniste)他の米国特許
明細書第5,023,458 号は、イオンビーム制御装置に関す
るものである。この特許は、多数の開口からイオンを放
出して多数のビーム部分を発生させ、これらを結合して
大径のビームを形成するイオン注入源を開示している。
上記特許の１つの目的は、ビーム強度を制御するために
制御状態でオン・オフすることができる多数のビーム部
分から加工部材の大きさとほぼ同じイオンビームを発生
することである。これは、ビームの断面上での位置の関
数としてイオンビームのビーム中和化を制御することに
よって達成された。上記特許の開示内容は、参考文献と
して本説明に含まれる。
明細書第5,023,458 号は、イオンビーム制御装置に関す
るものである。この特許は、多数の開口からイオンを放
出して多数のビーム部分を発生させ、これらを結合して
大径のビームを形成するイオン注入源を開示している。
上記特許の１つの目的は、ビーム強度を制御するために
制御状態でオン・オフすることができる多数のビーム部
分から加工部材の大きさとほぼ同じイオンビームを発生
することである。これは、ビームの断面上での位置の関
数としてイオンビームのビーム中和化を制御することに
よって達成された。上記特許の開示内容は、参考文献と
して本説明に含まれる。
【０００３】ベンベニステ他の上記特許に開示されてい
る形式のイオンビーム注入機では、ビームの中和化が、
ビーム内のイオンとビーム移動線に沿った残留ガスとの
間の相互作用によって行われる。ビームイオンは、残留
ガスをイオン化して低エネルギの電子を遊離させ、それ
らの電子がビームの電位ウェル(potential well)内に捕
らえられる。低速残留ガスイオンはビームから放出され
る。ビームの空間電荷は低エネルギ電子によって中和さ
れ、これによってビームをイオン源から加工部材へ、ビ
ーム輪郭をあまり失うことなく移動させることができ
る。イオンビーム移動は、低エネルギ中和電子の存在に
よるものであるから、ビーム移動中に電子が不用意にイ
オンビームから抽出されないようにすることが重要であ
る。
る形式のイオンビーム注入機では、ビームの中和化が、
ビーム内のイオンとビーム移動線に沿った残留ガスとの
間の相互作用によって行われる。ビームイオンは、残留
ガスをイオン化して低エネルギの電子を遊離させ、それ
らの電子がビームの電位ウェル(potential well)内に捕
らえられる。低速残留ガスイオンはビームから放出され
る。ビームの空間電荷は低エネルギ電子によって中和さ
れ、これによってビームをイオン源から加工部材へ、ビ
ーム輪郭をあまり失うことなく移動させることができ
る。イオンビーム移動は、低エネルギ中和電子の存在に
よるものであるから、ビーム移動中に電子が不用意にイ
オンビームから抽出されないようにすることが重要であ
る。
【０００４】従来形イオンビーム源には、イオン源から
正電荷イオンを引き出す抽出電極が設けられている。わ
ずかに負の電位のバイアスがかけられた抑制電極によっ
て、中和電子がイオンビームから高い正電荷の抽出電極
へ戻ることが防止されている。抑制電極がなければ、中
和電子が抽出電極へ引き戻され、これによってビームが
非中和化し、ビームのブローアップが発生するであろ
う。
正電荷イオンを引き出す抽出電極が設けられている。わ
ずかに負の電位のバイアスがかけられた抑制電極によっ
て、中和電子がイオンビームから高い正電荷の抽出電極
へ戻ることが防止されている。抑制電極がなければ、中
和電子が抽出電極へ引き戻され、これによってビームが
非中和化し、ビームのブローアップが発生するであろ
う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、広幅のイオ
ンビームを形成して、そのイオンビーム強度を選択的に
制御するイオンビーム形成方法およびそのイオン注入装
置を提供することを目的としている。
ンビームを形成して、そのイオンビーム強度を選択的に
制御するイオンビーム形成方法およびそのイオン注入装
置を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、イオン源が閉鎖領域内にイオンを発生
し、その閉鎖領域を形成している壁に形成された多数の
出口開口を通ってイオンが閉鎖領域から出てイオンビー
ム部分を形成できるようになっている。イオンビーム部
分が結合することによって、個々のビーム部分のビーム
断面積よりも大きいビーム断面積のイオンビームが形成
される。
め、本発明では、イオン源が閉鎖領域内にイオンを発生
し、その閉鎖領域を形成している壁に形成された多数の
出口開口を通ってイオンが閉鎖領域から出てイオンビー
ム部分を形成できるようになっている。イオンビーム部
分が結合することによって、個々のビーム部分のビーム
断面積よりも大きいビーム断面積のイオンビームが形成
される。
【０００７】多数の出口開口付近に、イオン源からイオ
ンを引き出す電位に維持された導電性抽出プレートを備
えた抽出電極が配置されている。ビーム強度制御部に
は、多数の抑制電極が設けられている。
ンを引き出す電位に維持された導電性抽出プレートを備
えた抽出電極が配置されている。ビーム強度制御部に
は、多数の抑制電極が設けられている。
【０００８】荷電粒子を抽出電極へ逆流させることが可
能な電位のバイアスを抑制電極に加えることによって、
ビーム部分が非中和化され、荷電粒子をイオンビーム部
分から抽出電極へ引き戻して、選択されたビーム部分を
制御可能に減衰させ、それによってイオンビーム内の位
置の関数としてイオンビーム強度を制御する。
能な電位のバイアスを抑制電極に加えることによって、
ビーム部分が非中和化され、荷電粒子をイオンビーム部
分から抽出電極へ引き戻して、選択されたビーム部分を
制御可能に減衰させ、それによってイオンビーム内の位
置の関数としてイオンビーム強度を制御する。
【０００９】本発明のさらなる特徴によれば、抑制電極
の下流側において各ビーム部分を互いに分離させること
によって、隣接のビーム部分間のクロストークを阻止す
ることができる。本発明のこの特徴は、あるビーム部分
が、隣接ビーム部分の正味空間電荷によって非中和化さ
れることを阻止する。
の下流側において各ビーム部分を互いに分離させること
によって、隣接のビーム部分間のクロストークを阻止す
ることができる。本発明のこの特徴は、あるビーム部分
が、隣接ビーム部分の正味空間電荷によって非中和化さ
れることを阻止する。
【００１０】また、すべてのビーム部分に共通のさらな
る抑制電極に制御可能にバイアスをかけることによっ
て、ビーム部分強度の制御をさらに高めることができ
る。典型的な使用例では、ビームが円形ビームであり、
ビーム中心から一定の半径内では同一強度が得られるよ
うに強度制御が維持される。
る抑制電極に制御可能にバイアスをかけることによっ
て、ビーム部分強度の制御をさらに高めることができ
る。典型的な使用例では、ビームが円形ビームであり、
ビーム中心から一定の半径内では同一強度が得られるよ
うに強度制御が維持される。
【００１１】
【作用】上記構成によれば、抑制電極の電位は、導電性
抽出プレートを出たビーム部分から電子を選択的に逆流
させることができるように制御される。これらの電極を
制御状態で個別に励起することによって、広幅ビームの
断面方向のイオンビーム強度を調整、制御して、強度を
さらに均一化させたり、イオンビーム断面方向に制御状
態で強度を変化させることができる。
抽出プレートを出たビーム部分から電子を選択的に逆流
させることができるように制御される。これらの電極を
制御状態で個別に励起することによって、広幅ビームの
断面方向のイオンビーム強度を調整、制御して、強度を
さらに均一化させたり、イオンビーム断面方向に制御状
態で強度を変化させることができる。
【００１２】
【実施例】図１は、電極アセンブリ12によって強度が制
御されるイオンを放出する低エネルギ（２ｋｖ）イオン
源10を含むイオン注入機を示している。イオン源10は、
移動経路に沿って移動するのに伴って輪郭が徐々に失わ
れて拡散する複数の比較的小断面積のビームを放出す
る。この拡散によって、イオン源10から個別に放出され
たビーム部分が結合して、いずれのビーム部分よりも広
幅のビーム14を形成することができる。イオンビーム14
の断面上でのイオン強度は、あるビーム部分が拡散して
結合ビーム14になる前にそのビーム部分から中和電子を
取り除くことによって制御される。
御されるイオンを放出する低エネルギ（２ｋｖ）イオン
源10を含むイオン注入機を示している。イオン源10は、
移動経路に沿って移動するのに伴って輪郭が徐々に失わ
れて拡散する複数の比較的小断面積のビームを放出す
る。この拡散によって、イオン源10から個別に放出され
たビーム部分が結合して、いずれのビーム部分よりも広
幅のビーム14を形成することができる。イオンビーム14
の断面上でのイオン強度は、あるビーム部分が拡散して
結合ビーム14になる前にそのビーム部分から中和電子を
取り除くことによって制御される。
【００１３】イオンビーム14は分析または分解磁石16を
通過するが、そこでビーム内のイオンがそれらの質量及
び電荷に従って曲げられる。分解磁石16の下流側におい
て、ビーム14は金属性の分解スリット18に入り、それに
よって分散面上にビームウェスト(beam waist)が形成さ
れる。分解スリット18を通過したこれらのイオンは、２
つの加速管19、20によってさらに加速され、それらはイ
オンを所望のエネルギレベル（５〜200 ｋｖ）に加速し
てから、ビームを加工部材22に照射する。２つの加速管
19、20は望遠鏡として作用し、加速エネルギ及び２つの
管19、20間のビーム経路方向の距離を制御することによ
って、加工部材22に対するビーム衝撃の大きさ及び角度
が制御される。
通過するが、そこでビーム内のイオンがそれらの質量及
び電荷に従って曲げられる。分解磁石16の下流側におい
て、ビーム14は金属性の分解スリット18に入り、それに
よって分散面上にビームウェスト(beam waist)が形成さ
れる。分解スリット18を通過したこれらのイオンは、２
つの加速管19、20によってさらに加速され、それらはイ
オンを所望のエネルギレベル（５〜200 ｋｖ）に加速し
てから、ビームを加工部材22に照射する。２つの加速管
19、20は望遠鏡として作用し、加速エネルギ及び２つの
管19、20間のビーム経路方向の距離を制御することによ
って、加工部材22に対するビーム衝撃の大きさ及び角度
が制御される。
【００１４】本発明の典型的な使用例の１つに、加工部
材22であるシリコンウェハのドーピングがある。この使
用例では、ウェハ22が自動ウェハ取り扱い装置によって
イオンビーム14内の適当な位置及び向きへ、またそこか
ら移動される。ビーム14はイオン源からウェハ22の領域
まで高脱気室内にあるため、この装置はウェハを大気圧
から超低圧へ移動させなければならない。この仕事を行
う装置は従来より公知である。
材22であるシリコンウェハのドーピングがある。この使
用例では、ウェハ22が自動ウェハ取り扱い装置によって
イオンビーム14内の適当な位置及び向きへ、またそこか
ら移動される。ビーム14はイオン源からウェハ22の領域
まで高脱気室内にあるため、この装置はウェハを大気圧
から超低圧へ移動させなければならない。この仕事を行
う装置は従来より公知である。
【００１５】イオン源10は加工部材22の注入表面を処理
できる十分な大きさの断面積を有するビーム14を発生す
るため、注入部でのウェハ走査は必要ない。また、走査
電極も不必要であるから、それらの電極に加える電圧を
調整するために必要な電子機器類もなくなる。
できる十分な大きさの断面積を有するビーム14を発生す
るため、注入部でのウェハ走査は必要ない。また、走査
電極も不必要であるから、それらの電極に加える電圧を
調整するために必要な電子機器類もなくなる。
【００１６】本発明の１つの実施例によれば、イオン源
10は、１平方センチメートル当たり約１キロボルトのエ
ネルギを有するイオン及び約10ミリアンペアの電流を発
生することができる多数開口式コーフマン(Kaufman) 形
イオン源である。
10は、１平方センチメートル当たり約１キロボルトのエ
ネルギを有するイオン及び約10ミリアンペアの電流を発
生することができる多数開口式コーフマン(Kaufman) 形
イオン源である。
【００１７】図１に示されている結合ビーム構造では、
磁石16が個別のビーム部分を単一の結合ビームに集合さ
せる助けをしており、この結合ビームは単一のスリット
18を介して分解されてから、単一ビームとして加速され
る。この結合ビーム技法を用いることによって、個々の
ビーム部分を分解、加速する方法に勝る利点が得られ
る。イオン源10自体の断面積が小さいため、分解磁石ギ
ャップが小さくなっている。共通分解スリット18を設け
ることは、各ビーム部分に１つずつ対応させて多数のス
リットを設けるよりも容易である。各ビーム部分に対し
て二重の加速電極を設ける必要がないため、分解及びイ
オン加速が容易になる。また、加速後の装置が単純であ
るため、凝縮物が堆積する表面が少なくなる。
磁石16が個別のビーム部分を単一の結合ビームに集合さ
せる助けをしており、この結合ビームは単一のスリット
18を介して分解されてから、単一ビームとして加速され
る。この結合ビーム技法を用いることによって、個々の
ビーム部分を分解、加速する方法に勝る利点が得られ
る。イオン源10自体の断面積が小さいため、分解磁石ギ
ャップが小さくなっている。共通分解スリット18を設け
ることは、各ビーム部分に１つずつ対応させて多数のス
リットを設けるよりも容易である。各ビーム部分に対し
て二重の加速電極を設ける必要がないため、分解及びイ
オン加速が容易になる。また、加速後の装置が単純であ
るため、凝縮物が堆積する表面が少なくなる。
【００１８】図２及び図３は、イオン源10及び電極アセ
ンブリ12を示している。イオン源10の壁32に９個の出口
開口31が一列30に並べて形成されている。イオン源10
は、一般的に円筒形であって、好適な実施例では水晶製
の絶縁側壁によって形成されている。壁32は金属製であ
って、好ましくはアルミニウム製である。イオンプラズ
マがイオン源10の閉鎖室内に存在しており、プラズマ内
のイオンが壁32の出口開口付近へ自然に移動する。金属
製の抽出電極34が壁32に取り付けられており、大地に対
して＋２〜＋５キロボルトの電位のバイアスがかけられ
て、イオン源10の付近に電界を発生させており、これに
よってプラズマ内のイオンが抽出電極34を介して加速さ
れてイオン源10から出る。これによって、多数の小断面
積のビーム部分が形成され、それぞれが結合してビーム
14を形成する。
ンブリ12を示している。イオン源10の壁32に９個の出口
開口31が一列30に並べて形成されている。イオン源10
は、一般的に円筒形であって、好適な実施例では水晶製
の絶縁側壁によって形成されている。壁32は金属製であ
って、好ましくはアルミニウム製である。イオンプラズ
マがイオン源10の閉鎖室内に存在しており、プラズマ内
のイオンが壁32の出口開口付近へ自然に移動する。金属
製の抽出電極34が壁32に取り付けられており、大地に対
して＋２〜＋５キロボルトの電位のバイアスがかけられ
て、イオン源10の付近に電界を発生させており、これに
よってプラズマ内のイオンが抽出電極34を介して加速さ
れてイオン源10から出る。これによって、多数の小断面
積のビーム部分が形成され、それぞれが結合してビーム
14を形成する。
【００１９】図２の抽出電極34には、壁32に形成されて
いる開口列に整合させて９個の開口が一列状に形成され
ている。抽出電極34に形成された各開口には、電位を個
別に制御できる抑制電極40が設けられている。抑制電極
40を接地した時、対応のビーム部分内の電子が電極34へ
逆流するため、これによってビーム部分内の単位容積当
たりに正味正電荷が発生する。このため、イオン間の反
発によってビーム部分が急速に不安定化する。これは、
電極40のすぐ下流側に発生し、結合ビーム14内における
そのビーム部分の寄与を低減させる。
いる開口列に整合させて９個の開口が一列状に形成され
ている。抽出電極34に形成された各開口には、電位を個
別に制御できる抑制電極40が設けられている。抑制電極
40を接地した時、対応のビーム部分内の電子が電極34へ
逆流するため、これによってビーム部分内の単位容積当
たりに正味正電荷が発生する。このため、イオン間の反
発によってビーム部分が急速に不安定化する。これは、
電極40のすぐ下流側に発生し、結合ビーム14内における
そのビーム部分の寄与を低減させる。
【００２０】シリコンウェハのイオンドーピング分野で
は、流れ密度の分布を制御できる広幅のビームを発生す
ることが一般的に望ましい。非常に均一なビームが望ま
れる場合、（円形構造では）ビームの中心からその縁部
へ移動してもビーム流密度が一定範囲の半径では不変で
あることが必要である。そのような一定の強度を得るた
めの１つの方法として、設定負荷サイクル中において個
別のビーム部分に所定の不動作時間を設けるものがあ
る。このようにビーム部分を適正な割合でオン・オフす
ることによって、環状のビーム部分全体のビーム流密度
を均一にすることができる。ビーム部分を個別にオン・
オフする時にビーム部分間の相互作用がほとんどまたは
全くなければ、そのような不動作時間すなわちオフ期間
は容易に計算できる。
は、流れ密度の分布を制御できる広幅のビームを発生す
ることが一般的に望ましい。非常に均一なビームが望ま
れる場合、（円形構造では）ビームの中心からその縁部
へ移動してもビーム流密度が一定範囲の半径では不変で
あることが必要である。そのような一定の強度を得るた
めの１つの方法として、設定負荷サイクル中において個
別のビーム部分に所定の不動作時間を設けるものがあ
る。このようにビーム部分を適正な割合でオン・オフす
ることによって、環状のビーム部分全体のビーム流密度
を均一にすることができる。ビーム部分を個別にオン・
オフする時にビーム部分間の相互作用がほとんどまたは
全くなければ、そのような不動作時間すなわちオフ期間
は容易に計算できる。
【００２１】図４は、隣接ビーム部分間のビーム相互作
用を排除しながらビーム部分の強度を個別に制御でき
る、個別ビーム部分の制御強度を得るための電極アセン
ブリ12の一部分を示している。図４は、共通の抽出電極
34と、３つの個別に制御可能な抑制電極40a 、40b 、40
c とを示している。
用を排除しながらビーム部分の強度を個別に制御でき
る、個別ビーム部分の制御強度を得るための電極アセン
ブリ12の一部分を示している。図４は、共通の抽出電極
34と、３つの個別に制御可能な抑制電極40a 、40b 、40
c とを示している。
【００２２】これらの抑制電極に隣接して設けられたプ
レート50が、電極40を支持しており、絶縁スタンドオフ
52によってこれらの電極から離されている。プレート50
には、図４に示されている３つのビーム部分の各々に対
して出口チャネルすなわち通路が設けられており、また
接地されてビーム部分間を電気的に絶縁している。プレ
ート50は、絶縁スタンドオフ54によって壁32に連結され
ている。
レート50が、電極40を支持しており、絶縁スタンドオフ
52によってこれらの電極から離されている。プレート50
には、図４に示されている３つのビーム部分の各々に対
して出口チャネルすなわち通路が設けられており、また
接地されてビーム部分間を電気的に絶縁している。プレ
ート50は、絶縁スタンドオフ54によって壁32に連結され
ている。
【００２３】抑制電極40a、40b 、40c は、プログラマ
ブルコントローラ62（図１）に接続している電源60によ
って大地以下のバイアスがかけられた時、抽出電極への
電子の逆流を阻止する。中央の電極40b の電位がアース
電位まで上昇した時、ビーム部分62b 内の電子が抽出電
極34に引き付けられるため、ビーム部分62b が正電荷に
なる。ビーム部分62b 内の正電荷イオンは互いに反発し
て、それらの最初の経路からそれてプレート50の壁に衝
突する。電極40b が負電圧に戻ると、ビームが急速に再
中和化されるため、ビーム部分62b 内でのイオンの角度
発散が低減する。
ブルコントローラ62（図１）に接続している電源60によ
って大地以下のバイアスがかけられた時、抽出電極への
電子の逆流を阻止する。中央の電極40b の電位がアース
電位まで上昇した時、ビーム部分62b 内の電子が抽出電
極34に引き付けられるため、ビーム部分62b が正電荷に
なる。ビーム部分62b 内の正電荷イオンは互いに反発し
て、それらの最初の経路からそれてプレート50の壁に衝
突する。電極40b が負電圧に戻ると、ビームが急速に再
中和化されるため、ビーム部分62b 内でのイオンの角度
発散が低減する。
【００２４】プレート50がなければ、（例えば）ビーム
部分60b が非中和化した時、それが隣接のビーム部分か
ら電子を引き付けるため、これらのビーム部分が部分的
に非中和状態となり、個々のビーム部分強度の制御が低
下する。しかし、プレート50が存在するため、隣接ビー
ム部分内の中和電子は、チャネルの接地壁によって非中
和ビーム部分の上昇ビーム電位から保護される。
部分60b が非中和化した時、それが隣接のビーム部分か
ら電子を引き付けるため、これらのビーム部分が部分的
に非中和状態となり、個々のビーム部分強度の制御が低
下する。しかし、プレート50が存在するため、隣接ビー
ム部分内の中和電子は、チャネルの接地壁によって非中
和ビーム部分の上昇ビーム電位から保護される。
【００２５】ビーム内の光束密度は、例えば10ミリ秒の
負荷サイクルを実施することによって制御される。この
負荷サイクル中、各抑制電極は負荷サイクルの一部の期
間でオフにされる。負荷サイクルにおけるビーム部分を
減衰させる割合が大きいほど、その部分のイオン強度が
低下する。
負荷サイクルを実施することによって制御される。この
負荷サイクル中、各抑制電極は負荷サイクルの一部の期
間でオフにされる。負荷サイクルにおけるビーム部分を
減衰させる割合が大きいほど、その部分のイオン強度が
低下する。
【００２６】接地プレート50の下流側に第２抑制電極70
が配置され、絶縁スタンドオフ71によってプレート50か
ら電気的に絶縁されて、アースに対して一定の負電位に
維持されている。イオンビーム経路のさらに下流側に
は、絶縁スタンドオフ73によって電極70から分離させた
第２接地電極72が設けられており、これによって個々の
ビーム部分が均一な電位領域を出て、分解磁石16へ進む
ことができる。
が配置され、絶縁スタンドオフ71によってプレート50か
ら電気的に絶縁されて、アースに対して一定の負電位に
維持されている。イオンビーム経路のさらに下流側に
は、絶縁スタンドオフ73によって電極70から分離させた
第２接地電極72が設けられており、これによって個々の
ビーム部分が均一な電位領域を出て、分解磁石16へ進む
ことができる。
【００２７】図５(b) は、図５(a) に示されている電極
アセンブリの領域の電位を示している。第１抑制電極を
選択的に接地する（従ってその電位を上昇させる）こと
によって、チャネル内の電子が、上流側の抽出電極34に
維持されている高い正電位のためにその電極34へ引き付
けられる。抑制電極の電位（Ｖ１）がアースより低くな
った時、電子はプレート50の周囲のイオンビーム部分内
に留まって、ビームを中和させている。
アセンブリの領域の電位を示している。第１抑制電極を
選択的に接地する（従ってその電位を上昇させる）こと
によって、チャネル内の電子が、上流側の抽出電極34に
維持されている高い正電位のためにその電極34へ引き付
けられる。抑制電極の電位（Ｖ１）がアースより低くな
った時、電子はプレート50の周囲のイオンビーム部分内
に留まって、ビームを中和させている。
【００２８】第２抑制電極70に第１抑制電極40b の電圧
に匹敵する大きさの負電圧を加えることによって、電子
が電極アセンブリ12の下流側の重合領域80から高電圧の
抽出電極34へ移動することを阻止できる。第２抑制電極
70はすべてのチャネルすなわちビーム部分に共通である
から、ある抑制電極にゼロ電位のバイアスをかけた時、
プレート50内の接地抑制電極に対応したチャネルだけが
電子を奪われる。奪われるビーム部分が通過している金
属チャネルの接地壁によって、隣接ビーム部分内の中和
電子は上昇ビーム電位から保護される。最後の接地電極
72によって電極アセンブリ12の電界が終了するため、電
極アセンブリとビーム14の重合部分80との間の相互作用
を低減することができる。
に匹敵する大きさの負電圧を加えることによって、電子
が電極アセンブリ12の下流側の重合領域80から高電圧の
抽出電極34へ移動することを阻止できる。第２抑制電極
70はすべてのチャネルすなわちビーム部分に共通である
から、ある抑制電極にゼロ電位のバイアスをかけた時、
プレート50内の接地抑制電極に対応したチャネルだけが
電子を奪われる。奪われるビーム部分が通過している金
属チャネルの接地壁によって、隣接ビーム部分内の中和
電子は上昇ビーム電位から保護される。最後の接地電極
72によって電極アセンブリ12の電界が終了するため、電
極アセンブリとビーム14の重合部分80との間の相互作用
を低減することができる。
【００２９】イオン源10の作動における特徴が、図６〜
図９のグラフに概略的に示されている。図６には、隣接
ビーム部分間のビーム相互作用が、第２抑制電極70に維
持されている電圧の関数として示されている。縦軸は、
大きい値がビーム部分間の大きなイオンビーム相互作用
を表すようにした任意の目盛りである。データは、例え
ば図４の３つのチャネルに相当する中央、上側及び下側
の３つの開口に対して示されている。例えば、四角形で
示されているデータは、上側及び中央の電極40ａ、40b
間の相互作用の量を示している。同様に、中央及び下側
の抑制電極40b、40c に同じ電位のバイアスをかけた場
合のデータが三角形で示されている。
図９のグラフに概略的に示されている。図６には、隣接
ビーム部分間のビーム相互作用が、第２抑制電極70に維
持されている電圧の関数として示されている。縦軸は、
大きい値がビーム部分間の大きなイオンビーム相互作用
を表すようにした任意の目盛りである。データは、例え
ば図４の３つのチャネルに相当する中央、上側及び下側
の３つの開口に対して示されている。例えば、四角形で
示されているデータは、上側及び中央の電極40ａ、40b
間の相互作用の量を示している。同様に、中央及び下側
の抑制電極40b、40c に同じ電位のバイアスをかけた場
合のデータが三角形で示されている。
【００３０】図６に示されているデータから、隣接ビー
ム部分間の相互作用を低減させるためには第２抑制電極
70に一定レベルのバイアスをかける必要があることがわ
かる。第２抑制電極が20〜25ボルト（負）以下まで低下
した時、ビーム部分の相互作用が大幅に増加して、ビー
ム強度分布全体の制御が損なわれる。電圧が20〜80ボル
トに維持されている時、相互作用が低下し、第２抑制電
極70に最も望ましい電圧は約80ボルトである。図６に示
されているデータは、５キロボルトのバイアスをかけた
抽出電極の場合である。
ム部分間の相互作用を低減させるためには第２抑制電極
70に一定レベルのバイアスをかける必要があることがわ
かる。第２抑制電極が20〜25ボルト（負）以下まで低下
した時、ビーム部分の相互作用が大幅に増加して、ビー
ム強度分布全体の制御が損なわれる。電圧が20〜80ボル
トに維持されている時、相互作用が低下し、第２抑制電
極70に最も望ましい電圧は約80ボルトである。図６に示
されているデータは、５キロボルトのバイアスをかけた
抽出電極の場合である。
【００３１】同様なデータが図９に示されている。この
データは、３キロボルトの抽出電圧で９開口列30の場合
のものである。座標はやはり抑制電圧及び相互作用レベ
ルを軸としており、記号表に指定された対照は、非隣接
開口間の相互作用を表している。例えば、四角形のデー
タは、上側３つの開口の真ん中のビーム部分と中央３つ
の開口の真ん中のビーム部分との間の相互作用を示して
いる。この場合、下側３つの開口の真ん中のビーム部分
及び６つの点在している開口は、標準抑制電極電圧にな
っている。図９のデータから、抽出電圧が低くなると、
ビーム相互作用によるビーム強度制御の低下を伴わずに
抑制電極70のバイアスを低減できることがわかる。
データは、３キロボルトの抽出電圧で９開口列30の場合
のものである。座標はやはり抑制電圧及び相互作用レベ
ルを軸としており、記号表に指定された対照は、非隣接
開口間の相互作用を表している。例えば、四角形のデー
タは、上側３つの開口の真ん中のビーム部分と中央３つ
の開口の真ん中のビーム部分との間の相互作用を示して
いる。この場合、下側３つの開口の真ん中のビーム部分
及び６つの点在している開口は、標準抑制電極電圧にな
っている。図９のデータから、抽出電圧が低くなると、
ビーム相互作用によるビーム強度制御の低下を伴わずに
抑制電極70のバイアスを低減できることがわかる。
【００３２】図７及び図８は、個別の抑制電極の制御に
よって得られる制御の度合いを示している。図７のグラ
フは、抑制電極の１つ（例えば40b ）のアースに対する
電圧と、その電極に対応したビーム部分の通過ビーム流
との関係を示している。図７からわかるように、抑制電
圧がゼロ（アース電位）に近づくと、抽出電極34への電
子の逆流が増加して、ビーム流が減少する。抑制電極に
負の80ボルトのバイアスをかけると、電子の逆流が阻止
され、最大イオンビーム流が得られる。
よって得られる制御の度合いを示している。図７のグラ
フは、抑制電極の１つ（例えば40b ）のアースに対する
電圧と、その電極に対応したビーム部分の通過ビーム流
との関係を示している。図７からわかるように、抑制電
圧がゼロ（アース電位）に近づくと、抽出電極34への電
子の逆流が増加して、ビーム流が減少する。抑制電極に
負の80ボルトのバイアスをかけると、電子の逆流が阻止
され、最大イオンビーム流が得られる。
【００３３】図８は、通過ビーム流れを抑制電極に加え
られた負荷サイクルの関数として示したグラフである。
０％不動作時間は、一定の抑制電圧が加えられる状態に
相当する。100 ％不動作時間は、抑制電極が常にアース
電位に保持されている状態に相当する。図８に示されて
いるように、通過ビーム流と負荷サイクルとの間には線
形関係があり、抑制電極に加えられた負荷サイクルを調
節することによってビーム強度を正確に制御することが
できる。
られた負荷サイクルの関数として示したグラフである。
０％不動作時間は、一定の抑制電圧が加えられる状態に
相当する。100 ％不動作時間は、抑制電極が常にアース
電位に保持されている状態に相当する。図８に示されて
いるように、通過ビーム流と負荷サイクルとの間には線
形関係があり、抑制電極に加えられた負荷サイクルを調
節することによってビーム強度を正確に制御することが
できる。
【００３４】９開口を線形配列する代わりとして、ベン
ベニステ他の米国特許第5,023,458号に記載されている
配列のように開口を二次元配列することが最も一般的で
あろう。しかし、適当なウェハ駆動機構によって加工部
材22をビーム14内で横方向に線形移動させる使用例で
は、線形配列が用いられるであろう。発明の精神の範囲
内の変更はすべて本説明に含まれる。
ベニステ他の米国特許第5,023,458号に記載されている
配列のように開口を二次元配列することが最も一般的で
あろう。しかし、適当なウェハ駆動機構によって加工部
材22をビーム14内で横方向に線形移動させる使用例で
は、線形配列が用いられるであろう。発明の精神の範囲
内の変更はすべて本説明に含まれる。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、出口開口を通過するイ
オンを加速して多数のイオンビーム部分を形成し、これ
らを結合させて広幅のイオンビームを形成し、抽出電極
の外側に多数の抑制電極を配置し、荷電粒子を抽出電極
へ逆流させることが可能な電位のバイアスを抑制電極に
加えることによって、ビーム部分が非中和化され、荷電
粒子をイオンビーム部分から抽出電極へ引き戻して、選
択されたビーム部分を制御可能に減衰させ、それによっ
てイオンビーム内の位置の関数としてイオンビーム強度
を制御することができる。
オンを加速して多数のイオンビーム部分を形成し、これ
らを結合させて広幅のイオンビームを形成し、抽出電極
の外側に多数の抑制電極を配置し、荷電粒子を抽出電極
へ逆流させることが可能な電位のバイアスを抑制電極に
加えることによって、ビーム部分が非中和化され、荷電
粒子をイオンビーム部分から抽出電極へ引き戻して、選
択されたビーム部分を制御可能に減衰させ、それによっ
てイオンビーム内の位置の関数としてイオンビーム強度
を制御することができる。
【００３６】本発明は、また絶縁プレートが、抽出電極
付近でビーム部分を分離させることによってビームのク
ロストークを阻止しており、またすべてのビーム部分に
共通の更なる抑制電極に制御可能にバイアスをかけるこ
とによって、ビーム部分強度の制御をさらに高めること
ができる。
付近でビーム部分を分離させることによってビームのク
ロストークを阻止しており、またすべてのビーム部分に
共通の更なる抑制電極に制御可能にバイアスをかけるこ
とによって、ビーム部分強度の制御をさらに高めること
ができる。
【図１】加工部材を処理するイオン注入機の概略図であ
る。
る。
【図２】イオンビーム源を示す部分断面図である。
【図３】イオン強度制御電極列を示す、図２のイオン源
付近の制御電極構造の平面図である。
付近の制御電極構造の平面図である。
【図４】イオンを放出する３つの隣接開口と、強度制御
電極の選択的な励起によってイオンビーム強度を制御す
る構造とを示す断面図である。
電極の選択的な励起によってイオンビーム強度を制御す
る構造とを示す断面図である。
【図５】図５(a) は、１つのビーム部分のビーム強度を
制御する構造の概略図であり、図５(b) は図５(a) の構
造の付近の電位を示すグラフである。
制御する構造の概略図であり、図５(b) は図５(a) の構
造の付近の電位を示すグラフである。
【図６】第２抑制電極の電圧に対する隣接ビーム部分間
のビーム相互作用を示すグラフである。
のビーム相互作用を示すグラフである。
【図７】個別の抑制電極の制御によって得られる制御の
度合いを示し、抑制電極の１つのアースに対する電圧
と、その電極に対応したビーム部分の通過ビーム流との
関係を示すグラフである。
度合いを示し、抑制電極の１つのアースに対する電圧
と、その電極に対応したビーム部分の通過ビーム流との
関係を示すグラフである。
【図８】個別の抑制電極の制御によって得られる制御の
度合いを示し、通過ビーム流れを抑制電極が実施する負
荷サイクルの関数として示したグラフである。
度合いを示し、通過ビーム流れを抑制電極が実施する負
荷サイクルの関数として示したグラフである。
【図９】図６と同様な第２抑制電極の電圧に対する隣接
ビーム部分間のビーム相互作用を示すグラフである。
ビーム部分間のビーム相互作用を示すグラフである。
31 開口 32 壁 34 抽出電極 40 抑制電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265 (72)発明者 ビクター モーリス ベンベニステ アメリカ合衆国 マサチューセッツ 01930 マグノリア マグノリア アベニ ュー 130 (72)発明者 ウォルター ヒリニク アメリカ合衆国 マサチューセッツ 02154 ワルトハム ステイアーンズ ヒ ル ロード 1608
Claims (10)
- 【請求項１】ａ）多数の出口開口(31)を設けた壁(32)で
仕切られた領域内にイオンプラズマを発生し、 ｂ）出口開口付近の抽出電極(34)にバイアスを加えてイ
オンを領域内から抽出し、前記開口を通過するイオンを
加速して多数のイオンビーム部分を形成し、これらを結
合させてイオンビームを形成し、 ｃ）抽出電極の外側に多数の抑制電極(40)を配置し、 ｄ）荷電粒子を抽出電極へ逆流させることが可能な電位
のバイアスを抑制電極に加えることによって、荷電粒子
をイオンビーム部分から抽出電極へ引き戻して、選択さ
れたビーム部分を制御可能に減衰させ、それによってイ
オンビーム内の位置の関数としてイオンビーム強度を制
御する、各ステップを有していることを特徴とするイオ
ンビームの形成方法。 - 【請求項２】 さらに、多数の抑制電極の下流側におい
て隣接ビーム部分を電気的に絶縁するステップを有して
いることを特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項３】 バイアスを加えるステップは、各抑制電
極に周期的電圧を加え、荷電粒子が逆流できるようにす
る電圧と前記逆流を阻止する電圧との間で周期的電圧の
負荷サイクルを制御することによって実施されることを
特徴とする請求項１の方法。 - 【請求項４】ａ）閉鎖領域内にイオンを発生し、その閉
鎖領域を区画している壁(32)に設けられた多数の出口開
口(31)を通ってイオンが閉鎖領域から出てイオンビーム
部分を形成し、前記イオンビーム部分が結合することに
よって、個々のイオンビーム部分の断面積よりも大きい
ビーム断面積のイオンビームを形成するイオン源(10)
と、 ｂ）イオンをイオン源から引き出すことが可能な電位に
維持された導電性抽出プレート(34)を有しており、前記
導電性抽出プレートに前記イオン源の壁の多数の出口開
口と整合した多数の抽出開口を設けて、閉鎖領域を出た
イオンが抽出プレートを通過できるようにした抽出手段
と、 ｃ）導電性抽出プレートを出たビーム部分から電子が逆
流することを阻止する抑制電極(40)と、前記抑制電極の
電位を個別に制御し、それによって電子の逆流を制御す
ることによって、ビームの横断面方向におけるビーム密
度を調節するバイアス手段(60)とを備えるビーム強度制
御手段と、を有していることを特徴とする装置。 - 【請求項５】 さらに、電子の逆流によって非中和化さ
れたビーム部分間の電気的相互作用を阻止するビーム分
離手段(50、70) を抑制電極の下流側に有していることを
特徴とする請求項４の装置。 - 【請求項６】 ビーム分離手段は、 ａ）ある電位に保持された金属製の絶縁プレート(50)
と、 ｂ）絶縁プレートの下流側において第２の一定電位のバ
イアスがかけられて、電子が絶縁プレートを通過できな
いようにする電極(70)とを有していることを特徴とする
請求項５の装置。 - 【請求項７】 イオン注入機において、イオンビーム(1
4)を制御軌道に沿って進ませてウェハ(22)に衝突させる
装置であって、 ａ）断面積が比較的小さい複数のイオンビームを発生し
て、それらが結合して処理されるべきウェハ表面の面積
程度のビーム断面積の大きいイオンビームを形成するイ
オン源手段(10)と、 ｂ）選択された小断面積のイオンビームから荷電ビーム
中和粒子を引き付けることによって、前記選択された小
断面積のイオンビームの電荷を非中和化する複数の離設
電極(40)を設けたイオン分布制御手段と、 ｃ）小断面積のイオンビームを互いに電気的に絶縁する
ことによって、ほぼ電荷中和した小断面積イオンビーム
と隣接の非中和状態の小断面積イオンビームとの間の電
気的吸引を阻止するビーム分離手段(50、70、72)と、 ｄ）イオン分布制御手段を出たイオンを分析して、一定
のイオンをウェハ処理軌道に沿って進ませる分析手段(1
6)と、 ｅ）前記一定のイオンが分析手段を出た後、そのイオン
に衝突する位置にウェハを設置するウェハ処理部と、 ｆ）イオン分布制御手段に接続されて、ウェハ処理部に
おいてウェハ表面に衝突するイオンが制御イオン分布が
生じるように、離設電極のバイアス電位を個別に制御す
る切り換え手段(62)とを有していることを特徴とする装
置。 - 【請求項８】 さらに、離設電極に個別の制御電位バイ
アスを加える電源手段(60)を有していることを特徴とす
る請求項７の装置。 - 【請求項９】 ビーム分離手段は、一定電位に保持され
たチャネルを貫設した絶縁プレート(50)と、絶縁プレー
トの下流側に設けられて、絶縁プレートのチャネルへの
中和粒子の進入を阻止する電位のバイアスがかけられた
抑制電極(70)とを有していることを特徴とする請求項７
の装置。 - 【請求項１０】 さらに、抑制電極の下流側に配置され
て、絶縁プレートの電位に保持された更なるプレート(7
2)を有していることを特徴とする請求項９の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US837277 | 1992-02-18 | ||
| US07/837,277 US5218210A (en) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | Broad beam flux density control |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652816A true JPH0652816A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=25274035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5050181A Pending JPH0652816A (ja) | 1992-02-18 | 1993-02-16 | 広幅のイオンビーム形成方法およびそのイオン注入装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5218210A (ja) |
| EP (1) | EP0557067B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0652816A (ja) |
| KR (1) | KR100251517B1 (ja) |
| CA (1) | CA2089099C (ja) |
| DE (1) | DE69303299T2 (ja) |
| SG (1) | SG45353A1 (ja) |
| TW (1) | TW218423B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100653999B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2006-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 와이드빔을 이용한 불균일 이온주입장치 및 이온주입방법 |
| JP2022515025A (ja) * | 2018-12-20 | 2022-02-17 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオン源のためのテトロード引出装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2722213B1 (fr) * | 1994-07-05 | 1996-09-20 | Plasmion | Dispositif pour creer un faisceau d'ions d'energie ajustable notamment pour le traitement au defile et sous vide de surfaces de grandes dimensions |
| US5959396A (en) * | 1996-10-29 | 1999-09-28 | Texas Instruments Incorporated | High current nova dual slit electrode enchancement |
| US6534775B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-03-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic trap for particles entrained in an ion beam |
| GB0127251D0 (en) * | 2001-11-13 | 2002-01-02 | Nordiko Ltd | Apparatus |
| US7421973B2 (en) * | 2003-11-06 | 2008-09-09 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for performing SIMOX implants using an ion shower |
| US7748344B2 (en) * | 2003-11-06 | 2010-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Segmented resonant antenna for radio frequency inductively coupled plasmas |
| US6872953B1 (en) | 2004-05-20 | 2005-03-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Two dimensional stationary beam profile and angular mapping |
| US7446326B2 (en) * | 2005-08-31 | 2008-11-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for improving ion implanter productivity |
| CN103094032B (zh) * | 2011-11-07 | 2016-08-10 | 北京中科信电子装备有限公司 | 一种多电极束流聚焦调节装置 |
| US8673753B1 (en) * | 2012-12-03 | 2014-03-18 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Multi-energy ion implantation |
| CN103681191B (zh) * | 2013-11-26 | 2016-03-09 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种离子注入机宽束均匀性调节装置 |
| JP6721486B2 (ja) * | 2016-10-18 | 2020-07-15 | 東京エレクトロン株式会社 | イオンビーム照射装置及び基板処理装置 |
| CN113278930B (zh) * | 2021-04-25 | 2023-04-18 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 一种纳米团簇的束流密度控制装置及其使用方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3150156C2 (de) * | 1981-12-18 | 1986-04-30 | Gesellschaft für Schwerionenforschung mbH, 6100 Darmstadt | Hochstrom-Ionenquelle |
| DE3708716C2 (de) * | 1987-03-18 | 1993-11-04 | Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner | Hochfrequenz-ionenquelle |
| US4883968A (en) * | 1988-06-03 | 1989-11-28 | Eaton Corporation | Electron cyclotron resonance ion source |
| US4914305A (en) * | 1989-01-04 | 1990-04-03 | Eaton Corporation | Uniform cross section ion beam system |
| US5023458A (en) * | 1989-01-04 | 1991-06-11 | Eaton Corporation | Ion beam control system |
| US5089746A (en) * | 1989-02-14 | 1992-02-18 | Varian Associates, Inc. | Production of ion beams by chemically enhanced sputtering of solids |
| US4952843A (en) * | 1989-03-08 | 1990-08-28 | Brown Ian G | High current ion source |
-
1992
- 1992-02-18 US US07/837,277 patent/US5218210A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-02-09 CA CA002089099A patent/CA2089099C/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-11 KR KR1019930001829A patent/KR100251517B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-02-16 JP JP5050181A patent/JPH0652816A/ja active Pending
- 1993-02-17 SG SG1996004412A patent/SG45353A1/en unknown
- 1993-02-17 DE DE69303299T patent/DE69303299T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-17 EP EP93301143A patent/EP0557067B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-20 TW TW082101211A patent/TW218423B/zh active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100653999B1 (ko) * | 2005-06-29 | 2006-12-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 와이드빔을 이용한 불균일 이온주입장치 및 이온주입방법 |
| JP2022515025A (ja) * | 2018-12-20 | 2022-02-17 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオン源のためのテトロード引出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2089099C (en) | 2000-01-11 |
| KR100251517B1 (ko) | 2000-04-15 |
| DE69303299D1 (de) | 1996-08-01 |
| US5218210A (en) | 1993-06-08 |
| KR930017662A (ko) | 1993-09-20 |
| EP0557067B1 (en) | 1996-06-26 |
| EP0557067A1 (en) | 1993-08-25 |
| DE69303299T2 (de) | 1997-01-23 |
| TW218423B (ja) | 1994-01-01 |
| SG45353A1 (en) | 1998-01-16 |
| CA2089099A1 (en) | 1993-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2961326B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| US5399871A (en) | Plasma flood system for the reduction of charging of wafers during ion implantation | |
| DE69636044T2 (de) | In-situ-Entfernen von Kontaminationsstoffen von den Innenoberflächen eines Ionen-Implantierungsgerät | |
| JPH0652816A (ja) | 広幅のイオンビーム形成方法およびそのイオン注入装置 | |
| US6534775B1 (en) | Electrostatic trap for particles entrained in an ion beam | |
| US9006690B2 (en) | Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system | |
| JP2011018653A (ja) | 通気型ファラデーカップ、ガスクラスタイオンビーム処理システム及び方法 | |
| WO2005086204A2 (en) | Modulating ion beam current | |
| JP2011526063A (ja) | イオン注入システムにおけるディセル後の磁気エネルギーフィルター | |
| JP2016524277A5 (ja) | ||
| EP0377298B1 (en) | Uniform cross section ion beam system | |
| US20220115236A1 (en) | Method and apparatus to eliminate contaminant particles from an accelerated neutral atom beam and thereby protect a beam target | |
| KR20120049883A (ko) | 조절 가능한 루버드된 플라즈마 일렉트론 플루드 외피 | |
| KR20190092308A (ko) | 대전 입자 소스 및 후방산란을 이용한 대전 입자 소스를 세정하는 방법 | |
| US5023458A (en) | Ion beam control system | |
| JP2001509636A (ja) | イオンビーム中の空間電荷を中性化するための方法と装置 | |
| JPH06302293A (ja) | マイクロ波イオン源 | |
| JPH05174763A (ja) | 空間電荷中和装置 | |
| JPH0135465B2 (ja) |