KR930011106A - 저 에너지 이온 주입장치 - Google Patents
저 에너지 이온 주입장치 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 얕은 정션 형성 및 트렌치 측벽의 내부 도핑과, 금속 이온 주입에 적당하도록한 저 에너지 이온주입 장치에 관한 것으로서, 반응가스에서 형성된 각종 이온을 가속바이어스 전극(4), (4')의 작동으로 아날라이져 마그네틱(5)을 통과하도록 하여 이온 중에서 필요로 하는 이온만을 아날라이져 마그네트(5)를 거쳐 걸러내도록하고, 걸러진 양질의 이온에너지는 다시 감속바이어스전극(6), (6') 의해 감속되어 하부 리액터(1)에 필요한 이온을 형성시키며, 이때 마이크로파를 리액터(1)내로 주사하여 이온을 활성화시킨 후 실리콘 웨이퍼(10) 저면에 웨이퍼 바이어스를 걸어 리액터(1)에 채워진 프라스 이온을 실리콘 표면에 고루 주입되도록하여 양질의 반도체 소자를 생산할 수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1는 본 발명의 전체 개략도
제2도는 종래의 전체 개략도
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 리액터 2 : 가스주입구
33' : 자계코일 44' : 바이어스전극
5 : 아날라이져(Analizer)마그네트 66' : 가속 바이어스전극
77', 88' : 마그네틱코일 99' : 마이크로웨이브안테나
10 : 실리콘웨이퍼 11 : 웨이퍼 바이어스
12, 12' : 석영창
Claims (4)
- 가스주입구(2)로 공급되는 가스를 이온화하여 필요한 이온만 통과시키는 이온 발생부와, 상기 이온발생부의 이온출구에 이온의 속도를 줄이는 감속전극과, 상기 감속전극 하부에 위치하고 저부에 웨이퍼를 배치하여 웨이퍼저면에 소정의 바이어스를 인가할수 있도록 구성된 리액터와, 상기 리액터 내부의 이온을 활성화 시키고 소정의 이온이 하향하도록 하는 에너지 공급수단을 구비하여 이루어지는 저에너지 이온주입장치.
- 제1항에 있어서, 상기 이온발생부는 이온발새용 자계코일(3, 3')과 가속바이어스전극(4, 4') 및 아날라이져 마그네트(5)로 이루어지고, 상기 에너지 공급수단은 마이크로 웨이브 발사장치와 자계형성용 마그네틱 코일(7, 7', 8, 8')로 이루어지는 것이 특징인 저에너지 이온주입장치.
- 제2항에 있어서, 상기 마이크로 웨이브 발사장치는 리액터 벽면에 형성된 석영창(Quart2 Window)과, 이 석영창을 통하여 마이크 웨이브에너지를 주입하는 마이크로 웨이브 안테나(9,9')로 이루어지는 것이 특징인 저에너지 이온주입장치.
- 제1, 2 또는 3항에 있어서, 상기 리액터는 리액터 내부의 포지티브 이온들이 유지될 수 있도록 포지티브 바이어스를 가하는 바이어스 전극으로 둘러쌓여 있는 것이 특징인 저에너지 이온주입장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019910020033A KR100216269B1 (ko) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 저 에너지 이온 주입장치 |
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Publications (2)
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Country Status (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11617491B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-04-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dishwasher |
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1991
- 1991-11-12 KR KR1019910020033A patent/KR100216269B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR100216269B1 (ko) | 1999-08-16 |
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