KR920018839A - 이온비임 주입방법 및 장치 - Google Patents

이온비임 주입방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920018839A
KR920018839A KR1019920003920A KR920003920A KR920018839A KR 920018839 A KR920018839 A KR 920018839A KR 1019920003920 A KR1019920003920 A KR 1019920003920A KR 920003920 A KR920003920 A KR 920003920A KR 920018839 A KR920018839 A KR 920018839A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ion
ions
wafer
ion implantation
collector
Prior art date
Application number
KR1019920003920A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0139516B1 (ko
Inventor
스튜아트 덴홀름 에이
Original Assignee
프랑크 엠 사죠벡
이턴 코오포레이숀
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프랑크 엠 사죠벡, 이턴 코오포레이숀 filed Critical 프랑크 엠 사죠벡
Publication of KR920018839A publication Critical patent/KR920018839A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0139516B1 publication Critical patent/KR0139516B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

이온비임 주입방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온비임을 직사하여 실리콘 웨이퍼와 같은 공작물에 충돌시키는 이온 주입기의 개략도.
제2도는 이온비임 리졸버 또는 분해자석 및 관련비임 컬렉터 또는 비임펄프을 확대한 평면도.

Claims (12)

  1. (a)이온주입실에서 하나이상의 웨이퍼를 처리하는 이온을 방출시키는 이온소오스(12), (b)적당한 질량을 가진 이온을 주입 주입장소에 대한 비임통로를 따르게 하고 주입실에 다른 이온들이 도달하기 전에 다른 이온들은 비임통로에서 탈출시키는 비임 리졸버(beam resolver)(14), (c)이온주입 장소에서 하나이상의 웨치퍼를 지지하는 공작물 지지구조(40)등을 포함하는 이온 주입장치에 있어서, (d)비임 리졸버에 연결되어 웨이퍼가 처리될때 주입 주기동안 비임 리졸버를 작동시키고 웨이퍼가 처리되지 않을 때 다른 시간 주기 동안 비임리졸버를 조종하는 제어수단(83), (e)웨이퍼가 처리되지 않을 때 다른 주기 동안 이온소오스로부터 이온을 차단하는 이온컬렉터(120)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
  2. 제1항에 있어서, 비임리졸버는 이온주입 장소에 대한 이동통로를 따라 적당한 질량의 이온을 직사하는 자장을 만드는 자석을 포함하고 제어수단은 다른 시간동안 이온컬렉터에 이온을 직사하기 위해 자석의 자장의 세기를 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  3. 제2항에 있어서, 이온컬렉터는 이온 비임 수행을 계산하는 컬렉터에 도달하는 이온전류를 측정하는 센서(130)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  4. 제3항에 있어서, 이온컬렉터는 이동센서와 충돌하므로서 발생한 열에너지를 제거하는 이동센서에 대해 회전하는 액체냉매에 의해 냉각되는 이동센서(130)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  5. 제1항에 있어서, 이온소오스에서 공작물 지지구조까지 진공비임 전달 영역을 형성하는 구조와 감소된 압력에서 비임전달영역을 유징하는 수단(72),(74),(76)과 진공비임 전달비임을 가압하지 않고 이온컬렉터를 분해하도록 진공비임 전달영역에서 이온컬렉터를 분리하는 밸브수단(126)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  6. 이온을 제어접속하여 하나이상의 웨이퍼에 주입하는 방법에 있어서, (a)주입궤도에 따라 이동하는 이온들을 웨이퍼에 충돌시키기 위행 주입장소에 하나이상의 웨이퍼를 위치시키는 단계, (b)이온 소오스에서 방출되는 이온들을 최초궤도를 따라 이동시키는 단계, (c)최초 궤도로부터 주입궤도까지 적당한 질량의 이온들을 전환하기 위해 자장을 발생시키는 단계, (d)웨이퍼의 이온주입이 정지될 때 이온비임을 이온 주입 장소에서 이온 컬렉터에 충돌시키기 위해 자장을 조종하는 단계를 포함하는 이온 주입방법.
  7. 제6항에 있어서, 이온주입이 정지하고 있는 시간 주기동안 최초 궤도에서 이온컬렉터으로 유도하도록 조종할 수 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입방법.
  8. 제6항에 있어서, 위치단계는 타캣웨이퍼를 주입실(22)에 이동시키고 운동에 대해 웨이퍼를 지지하여 이온소오스로 부터 이온들을 웨이퍼에 충돌하게 하는 통로를 따라 웨이퍼를 주기적으로 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입방법.
  9. (a)이온 주입장소에서 웨이퍼를 처리하는데 사용되는 이온을 방출하는 이온소오스(12), (b)제1이동 통로를 따라 이온소오스로 부터 이온들을 가속시키는 가속 수단(80), (c)제 1이동 통로로 부터 이온 주입장소를 안내하는 주입궤도까지 적당한 질량의 이온들을 전환하고 다른 이온들을 비주사궤도에 편향시키는 분해자석(14), (d)이온 주입장소에서 하나이상의 웨이퍼를 지지하는 공작물 지지구조(40)등을 포함하는 이온 주입장치에 있어서, (e)분해자석에 연결되어 모든 이온이 비주입궤도를 따르도록 웨이퍼가 처리되지 않을 때 분해자석에 의해 생성된 자장을 조종하는 제어수단(83), (f)자속에 위치하여 이온소오스로 부터 비주입궤도를 따르는 이온들을 차단하는 이온컬렉터 수단(120)등을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  10. 제9항에 있어서, 웨이퍼가 처리되지 않을때 제어수단은 모든 이온들을 제1이동통로를 따르도록 분해자석을 비활성시키고 이온 컬렉터 수단은 제1이동 통로를 따라 이동하는 이온들을 차단하도록 배열된 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  11. 제9항에 있어서, 분해지석은 자석 하우징을 포함하고 적당한 질량을 가진 이온들보다 많은 질량의 이온 및 적은 질량의 이온의 모두를 차단하기 위해 자석 하우징에 연결된 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.
  12. 제10항에 있어서, 제1이동통로를 따라 이동하는 이온들을 차단하도록 배열된 구조는 분리콘테이너(132)와 이온들을 차단하기 위한 타갯판(130)을 포함하고 타갯판을 치는 이온비임 전류를 감지하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하느 이온 주입장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920003920A 1991-03-13 1992-03-11 미립자를 제어하는 이온비임 주입방법 및 장치 KR0139516B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/668,955 US5134299A (en) 1991-03-13 1991-03-13 Ion beam implantation method and apparatus for particulate control
US668,955 1991-03-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920018839A true KR920018839A (ko) 1992-10-22
KR0139516B1 KR0139516B1 (ko) 1998-07-15

Family

ID=24684429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920003920A KR0139516B1 (ko) 1991-03-13 1992-03-11 미립자를 제어하는 이온비임 주입방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5134299A (ko)
EP (1) EP0503787B1 (ko)
JP (1) JP3134131B2 (ko)
KR (1) KR0139516B1 (ko)
DE (1) DE69211583T2 (ko)
TW (1) TW207028B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177679B1 (en) 1998-04-13 2001-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Ion implanter with impurity interceptor which removes undesired impurities from the ion beam

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6093456A (en) * 1995-06-07 2000-07-25 Applied Materials, Inc. Beam stop apparatus for an ion implanter
KR970052183A (ko) * 1995-12-30 1997-07-29 김주용 이온 빔 각도 조정이 가능한 이온 주입기
US5857889A (en) * 1996-03-27 1999-01-12 Thermoceramix, Llc Arc Chamber for an ion implantation system
US6239440B1 (en) 1996-03-27 2001-05-29 Thermoceramix, L.L.C. Arc chamber for an ion implantation system
US6022258A (en) * 1996-03-27 2000-02-08 Thermoceramix, Llc ARC chamber for an ion implantation system
US5914494A (en) * 1996-03-27 1999-06-22 Thermoceramix, Llc Arc chamber for an ion implantation system
US5909031A (en) * 1997-09-08 1999-06-01 Eaton Corporation Ion implanter electron shower having enhanced secondary electron emission
JP3449198B2 (ja) * 1997-10-22 2003-09-22 日新電機株式会社 イオン注入装置
US6271529B1 (en) 1997-12-01 2001-08-07 Ebara Corporation Ion implantation with charge neutralization
US6534775B1 (en) 2000-09-01 2003-03-18 Axcelis Technologies, Inc. Electrostatic trap for particles entrained in an ion beam
US6525326B1 (en) 2000-09-01 2003-02-25 Axcelis Technologies, Inc. System and method for removing particles entrained in an ion beam
US6476399B1 (en) 2000-09-01 2002-11-05 Axcelis Technologies, Inc. System and method for removing contaminant particles relative to an ion beam
US7009193B2 (en) * 2003-10-31 2006-03-07 Infineon Technologies Richmond, Lp Utilization of an ion gauge in the process chamber of a semiconductor ion implanter
KR101306541B1 (ko) * 2005-06-03 2013-09-17 액셀리스 테크놀로지스, 인크. 빔 정지 및 빔 조정 방법
US7655928B2 (en) * 2007-03-29 2010-02-02 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion acceleration column connection mechanism with integrated shielding electrode and related methods
US7807984B2 (en) * 2008-01-02 2010-10-05 Applied Materials, Inc. Ion implanters
CN107393796B (zh) * 2017-06-16 2019-08-20 上海集成电路研发中心有限公司 一种增大离子注入束流的离子发射装置及方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2098793A (en) * 1981-05-18 1982-11-24 Varian Associates Method of and apparatus for deflecting an ion beam of an ion implantater onto an ion absorbing target
JPS6062045A (ja) * 1983-09-14 1985-04-10 Hitachi Ltd イオンマイクロビ−ム打込み装置
JPS612252A (ja) * 1984-06-15 1986-01-08 Hitachi Ltd イオン打込装置
US4587432A (en) * 1984-08-03 1986-05-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for ion implantation
US4717829A (en) * 1985-03-14 1988-01-05 Varian Associates, Inc. Platen and beam setup flag assembly for ion implanter
US4703183A (en) * 1985-12-05 1987-10-27 Eaton Corporation Ion implantation chamber purification method and apparatus
US4724325A (en) * 1986-04-23 1988-02-09 Eaton Corporation Adhesion cooling for an ion implantation system
US4812663A (en) * 1986-07-25 1989-03-14 Eaton Corporation Calorimetric dose monitor for ion implantation equipment
US4761559A (en) * 1986-09-24 1988-08-02 Eaton Corporation Ion beam implantation display method and apparatus
US4736107A (en) * 1986-09-24 1988-04-05 Eaton Corporation Ion beam implanter scan control system
US4804837A (en) * 1988-01-11 1989-02-14 Eaton Corporation Ion implantation surface charge control method and apparatus
US4883968A (en) * 1988-06-03 1989-11-28 Eaton Corporation Electron cyclotron resonance ion source
US4914305A (en) * 1989-01-04 1990-04-03 Eaton Corporation Uniform cross section ion beam system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177679B1 (en) 1998-04-13 2001-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Ion implanter with impurity interceptor which removes undesired impurities from the ion beam
KR100282492B1 (ko) * 1998-04-13 2001-02-15 윤종용 불순물차단장치를구비하는이온주입장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW207028B (ko) 1993-06-01
EP0503787B1 (en) 1996-06-19
US5134299A (en) 1992-07-28
JPH05109383A (ja) 1993-04-30
KR0139516B1 (ko) 1998-07-15
DE69211583D1 (de) 1996-07-25
JP3134131B2 (ja) 2001-02-13
DE69211583T2 (de) 1997-02-06
EP0503787A1 (en) 1992-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920018839A (ko) 이온비임 주입방법 및 장치
US6646277B2 (en) Charging control and dosimetry system for gas cluster ion beam
JPH088245B2 (ja) 集束イオンビームエッチング装置
KR101275907B1 (ko) 기체의 도입을 통한 이온 주입 공정 중에 오염을 완화하여표면 특성을 수정하는 시스템 및 방법
WO2003038879A3 (en) Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in an integrated processing system
EP0398190A3 (en) Ion implantation apparatus and method of controlling the same
KR100479374B1 (ko) 원추 자기 주사를 사용하는 이온 빔 주입 장치 및 방법
KR970030240A (ko) 중성 입자 비임 조사 장치
EP0377298A3 (en) Uniform cross section ion beam system
US5601653A (en) Apparatus for performing plasma process on semiconductor wafers and the like and method of performing plasma process
GB958716A (en) Method of transforming n-type semiconductor material into p-type semiconductor material
US5587587A (en) Ion implanting apparatus and ion implanting method
EP1080482B1 (en) Method and apparatus for low energy ion implantation
JPS56156662A (en) Device for ion implantation
JP2582078B2 (ja) イオン注入装置
KR100241695B1 (ko) 이온주입설비의 웨이퍼 오염방지장치
US6825482B1 (en) Ion implantation system for manufacturing semiconductor device
JPS6433932A (en) Etching apparatus
JPS553626A (en) Apparatus for manufacturing semiconductor device
JPH01137626A (ja) イオン注入方法
JPH09115850A (ja) イオン注入方法及びイオン注入装置
JPS5713178A (en) Method and device for surface treatment
KR930011106A (ko) 저 에너지 이온 주입장치
Körber et al. A newly developed linear ion implanter for industrial applications
JPS6139356A (ja) イオン打込装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090121

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee