KR930008982A - 반도체 제조 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체의 제조 방법 및 그 장치에 관한 것이다.

본 발명은 웨이퍼의 플랫존에 부착된 불필요 감광물질을 제거하여 이로 인한 제문제점을 개선한다. 프렛존에 부착되 감광물질의 제거는 프렛존의 국부적인 노광과 현상으로 이루어지는데, 형상은 필요 감광 물질층의 현상과 같이 이루어진다. 플렛존의 노광을 위한 노광장치는 광원이 마련된 차폐체로서의 하우징과 과원으로부터의 광을 선별적으로 통과시키는 광조사수단이 마련된다. 광조사수단은 차광판과 셔터가 마련되며, 차광판은 셔터의 상하에 한조 마련된다.

Description

반도체 제조 방법 및 장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 개략적 측면도,

제4도는 제3도에 도시된 본 발명 반도체 제조 장치에 있어서, 웨이퍼의 프렛존의 노광장치를 발췌 도시한 개략적 측면도,

제5도는 제4도에 도시된 노광장치의 차광판과 웨이퍼와의 관계를 나타내 보인 평면도,

제6도는 본 발명에 의해 처리된 웨이퍼의 평면도.

Claims (10)

1. 직선적인 플렛존이 그 가장자리 일측에 마련된 원반상의 웨이퍼의 표면에 감광물질을 도포하는 단계;와 상기 원반상 웨이퍼의 플렛존을 제외한 원형 가장자리에 도포된 감광물질을 용제로 제거하는 단계;와 상기 웨이퍼의 표면의 감광물질을 소정패턴으로 노광하는 단계;와 상기 감광물질을 용제로 에칭하여 이를 노광패턴에 따른 패턴으로 현상하는 단계;와 상기 감광물질에 의한 패턴이 현상된 웨이퍼를 가열하여 상기 패턴화된 감광물질을 경화시키는 단계를 구비하는 반도체의 제조 방법에 있어서, 상기 감광물질의 현상단계 이전에 웨이퍼의 플렛존에 도포되어 있는 감광물질을 소폭 노광하도록 하는 단계가 마련되고, 노광단계이후에 노광된 플랜존의 감광물질을 제거하는 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 플랫존의 노광에 대한 광원은 할로겐 램프, 수은 램프, 크세논 램프 및 자외선 레이저 광원이 사용되는 것을 그 특징으로 하는 반도체의 제조 방법.
3. 제1항 및 제2항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 프렛존에 대한 노광시간이 있어서는 0.3초로 하며 현상시간은 15초로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
4. 소정 패턴으로 노광된 웨이퍼가 이송되는 이송라인;과 상기 이송라인의 전단에 마련된 웨이퍼 로딩부;와 로딩된 상기 웨이퍼를 베이킹하는 전처리 가열부;와 상기 웨이퍼를 냉각하는 냉각부;와 상기 웨이퍼를 회전시키면서 현상액을 공급하여 감광물질층을 현상하는 현상부;와 현상 처리된 웨이퍼를 가열하여 현상된 감광물질층을 경화시키는 후처리 가열부;와 전처리 완료된 웨이퍼를 카세트에 수장하도록 상기 이송라인의 종단에 마련되는 웨이퍼 수장부; 등을 갖춘 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 현상부의 전단의 어느 일측에 상기 이송라인을 통해 이송되는 웨이퍼의 플렛존에 국부적인 감광광을 가하여 플렛존에 부착된 감광 물질층을 감광시키도록 하는 노광부가 마련된 것을 그 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 노광부는 상기 웨이퍼의 플렛존에 대한 광원으로서의 광원장치를 구비하며, 광원장치로 부터의 광을 필터링하여 상기 웨이퍼의 플렛존에만 광이 조사되게 하는 광조사 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체의 제조 장치.
6. 제5항에 있어서, 상기 감광부는 상기 광원장치는 하나의 차폐체로서의 하우징내에 위치되며, 상기 광원장치의 하부에 상기 광조사 수단이 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 광조사 수단은, 웨이퍼의 플렛존에 대응되는 슬렛을 가지는 차광판과, 상기 차광판상의 슬릿을 개폐하여 광통과를 제어하는 셔터를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
8. 제7항에 있어서, 상기 차광판이 상기 셔텨의 상하에 한조 마련되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
9. 제8항에 있어서, 상기 셔터는 액튜에이터에 연결되어 이에 의해 왕복운동되도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
10. 제1항 내지 제9항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 노광부가 상기 냉각부의 상부에 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.