KR930005491B1 - 집적회로 칩 냉각장치 - Google Patents

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미쯔루 우스이
아끼라 마사끼
게이이찌로 나까니시
마사히데 도꾸다
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가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
미다 가쓰시게
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Description

집적회로 칩 냉각장치
제1도는 본 발명의 1실시예를 도시한 단면도.
제2도는 냉각구조체와 집적회로 칩을 도시한 사시도.
제3도는 냉각구조체와 집적회로 칩과의 단면도.
제4도는 흡착판의 사시도.
제5도는 제2의 실시예의 냉각구조체와 집적회로 칩과의 단면도.
제6도는 제3의 실시예의 냉각구조체와 집적회로 칩과의 단면도.
본 발명은 멀티 칩 모듈(multi chip module), 특히 집적(集積)회로 칩(chip)의 발열(發熱)을 효과적으로 제거하는 멀티 칩 모듈의 냉각구조에 관한 것이다.
1매(枚)의 배선기판(基板) 위에 다수개의 집적회로 칩을 실장(實裝)하는 멀티 칩 모듈의 냉각구조의 1예를, 본 발명자의 일부를 미국 특허 604003호와 제665548호에서 이미 제안하고 있다.
이 구조는, 유연(柔軟)한 파이프(pipe)로 접속한 냉각블록(block)(여러개)를 각 집적회로 칩 개별로 고착(固着) 또는 접촉시키는 것으로 냉각성능을 크게 향상할 수가 있다. 보수성, 신뢰성의 점에서는 냉각블록을 집적 회로 칩에 고착시키는 것은 아니고, 접촉시키는 것이 바람직하다. 이때, 냉각 블록과, 칩의 대향(對向) 접촉면의 간격을 가능한한 짧게 하는 것이 열(熱) 저항의 저감을 위해서 본질적으로 중요하다. 그러나, 접촉면, 특히 집적회로 칩의 접촉면은 제조공정상 아무리 하여도 수 ㎛ 이상의 휘어짐이 남고, 이 휘어짐에 의해서, 대향 접촉면의 간격의 하한(下限), 나아가서는 열저항의 하한이 규정되고 있다.
더욱이, 장래칩의 대형화, 다층(多層) 배선화가 진전함에 따라서, 점점 칩의 휘어짐은 커지는 것이 예상된다.
따라서, 냉각성능을 더욱 향상하기 위해서는, 이 휘어짐을 교정(矯正)해서, 대향 접촉면의 간격을 더욱 짧게 할 수 있는 구조가 필요하다.
이에 관하여, David B. Tuckerman과 R. Fabian Pease는 1983년 Symposium on VLSI Technology, Maui Digest of Techical Papers. p.p.60-61에 있어서의 Microcapillary Thermal Interface Technology for VLSI package라고 하는 문헌에 있어서, 냉각블록의 접촉면에 미세(微細)한 홈(溝)(groovd)을 형성하고, 실리콘 오일(silicone oil)을 개재(介在)시켜서, 집적회로 칩에 접촉시키는 구조를 제안하고 있다. 미세한 흠의 모세관(毛細管)(capillary)효과에 의해서 발생한 부압(負壓)(negative hydrostatic pressure)에 의해, 집적회로 칩의 휘어짐을 교정하는 것이다.
그러나, 멀티칩 모듈에 있어서는 칩을 배선 기관에 콘트롤드 커랩스 본딩(controlled collapse bonding)(CCB) 등에 의해서 고착할 필요가 있으므로, 부압에 의한 칩의 휘어짐의 교정은 곤란하다.
본 발명의 목적은, 높은 냉각성능을 가지며, 더욱이 보수성, 신뢰성이 좋은 집적회로 칩의 냉각장치를 제공하는데 있으며이를 위해 낮은 열저항으로의 접촉방식의 집적회로 칩 냉각장치를 제공하는데 있다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 집적회로 칩과 냉각 블록과의 사이에 흡착판(吸着板)을 마련하는 것을 특징으로 한다. 흡착판의 한쪽면에는 미세한 홈을 마련하여 두고, 실리콘 오일 등을 개재시켜 집적회로 칩에 접촉시켜서 모세관 효과에 의해 부압을 일어나게 한다. 또한 흡착판의 판의 두께를 얇게 하는 것에 의해 부압에 의해서 칩의 휘어짐에 따라서 고정하여 흡착판과 칩의 대향 접촉면의 간격을 짧게 할 수가 있다. 흡착판의 또다른 한쪽면과 냉각 블록의 아래면이 접촉부에는 액체 금속 등의 고열전도유체를 충진하는 등의 저열저항 구조를 형성하여 둔다. 칩의 고환 등 보수점검을 할 때에 칩과 냉각장치를 분리할 필요가 있을 경우에는, 칩과 흡착판의 사이에서 용이하게 분리할 수 있다. 다음의 도면에 의해 본 발명을 설명한다.
제1도는, 본 발명의 1실시예를 도시하는 단면도이다.
집적회로 칩 냉각장치 100은, 다수의 집적회로 칩2를 봉입(封入)하고, 또한 냉각하는 수단을 부여하는 것이다. 봉지(封止)는 배선기판3과 햇트(hat) 5를 납땜(solder)6에 의해 접합(接合)하므로서 행하여진다. 배선기판 3위에는 다수의 집적회로 칩2가 납땜 단자 4를 거쳐서 전기적으로 상호 접속되어 있고, 기판의 아랫면에는 냉각장치를 회로카드(card) 또는 보오드(board)에 접속하기 위한 많은 입출력 핀(pin) 9가 존재한다.
집적회로 칩2에 의해 발생된 열은 각 집적회로칩 위에 탑재된 냉각 구조체 1에 저달되고, 냉각 구조체 내부를 순환하는 냉매(冷媒)에 의해 냉각된다. 냉매는, 노즐(nozzle)(8a)를 통해서 냉각장치 외부로 부터 유입하고, 벨로우즈(bellows) 형상의 유연한 파이프 10을 거쳐서 각 냉각 구조체내를 순환하여 노즐 8b를 통해서 냉각장치 외부로 배출된다.
제2도는 냉각 구조체 1의 확대 단면도 및 냉각구조체의 아래에 마련된 실리콘 오일 200과 집적회로 칩 2를 도시하고 있다. 냉각구조체는, 냉각휜(fin) 23을 일체로 성형한 바닥판(底板)22와 캡(cap) 21로 된 냉각 블록 20과 흡착판 30으로 된다. 냉각 휜23의 재질로는 고밀전도율 재료, 예를 들면 동(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(molybdenum) 또는 고열전도성의 탄화규소세라믹(silicon carbide ceramics) 등을 사용할 수 있다. 또, 캡 21과의 접속에는 땜납이나 확산 접합등을 이용한다. 캡의 상부에는 예를 들면 니켈(nickel) 전주(電鑄) 벨로우즈 등의 유연한 파이프 10을 땜납 등에 의해 접촉되어 있고, 냉각구조체 상부의 햇트 5내에 마련되어 있는 냉매유로(流路)7과 접촉한다.
그리고, 본 실시예에서는 벨로우즈 10의 형상을 편평한 타원형(長圓形)으로 하여, 벨로우즈의 단면적을 증가시켜 그 결과로서, 벨로우즈내의 냉매유속을 감속시켜서 압력손실의 저감, 부식의 방지를 도모하고 있다. 또, 이들 타원형 벨로우즈를 휜열(列)의 양쪽 끝에 배치하여 각 휜으로의 냉매유입량을 균일하게 하고 있다.
제3도는 냉매구조체 1과 그 아래 마련된 실리콘 오일층 200과 집적회로 칩 2의 단면이다. 흡착판 30과 냉각블록의 바닥판 22와의 사이에 틈을 마련하고 여기에 고열전도 유체 40, 예를 들면 Ga-In-Sn 합금 등의 유체금속을 봉립하고 있다. 냉각휜의 재질로는 동, 알루미늄 등을 사용하는 경우는 내부식성의 향상을 위하여 액체금속과의 접촉부에 크롬(chrome) 니켈 등의 도금을 실시하여 둔다. 바닥판 22의 주위에는 오목부 24를 마련하고, 액체 금속이 고이는데 사용한다. 흡착판 30과 바닥판 22는 납땜등에 의해서 바깥둘레 부분을 고착하고 있다.
제4도는 흡착판 30의 바닥면(칩 접촉면)을 표시한 사시도면이다. 상부가 좁고, 칩에 가까울수록 넓은 홈 31과 바닥면 전체에 형성하고 있다. 또, 오목부 32를 마련하고 각 홈사이를 연결하여 둔다. 본 실시예에서는 흡착판 30의 재료서 si를 사용하고, 상술한 Tucerman의 문헌에 상세하게 기술되어 있는 것과 같이 이방성(異方性) 엣칭(etching) 기술과 도금기술을 이용하여 본 구조를 형성하였다. 또, 본 실시예에서는 홈 31에 깊이를 30㎛, 핏치(pitch) 10㎛, 폭을 상부에서 1㎛, 바닥부분에서 4㎛, 또 흡착판 30의 판의 두께를 100㎛로 하고 있다.
이 흡착판 30을 가진 냉각구조체 1을 집적회로 칩2에 실리콘 오일 200 등을 개재시켜서 접속시키고, 흡착판 30의 홈 31의 모세관 효과에 의해 부압을 발생시켜서 칩 2의 휘어짐에 따라서 흡착판 30을 휘어지게 하여 흡착판 30과 칩2의 대향접촉면의 간격을 짧게 한다.
집적회로 칩에서 발생한 열은, 실리콘 오일, 흡착판, 액체금속, 바닥판, 냉각휜을 경우하여 최종적으로 냉매에 전달된다.
집적회로 칩 2의 크기를 2㎜□ 하고, 휘어짐이 15㎛일 경우에도 본 실시예에서는 약 400gf/㎠의 부압이 발생하여 대향접촉면의 간격을 1㎛ 이하로 할 수가 있기 때문에, 실리콘 오일의 열전도율을 0.0015W/cm.k로 하여 1㎠당의 접촉 열저항을 약 0.02K/W로 아주 적게할 수 있다.
접촉부 이외의 열전도경로도, 고열전도율 재료로서 짧게 구성할 수가 있으므로 칩으로부터 냉매로의 모든 열저항도 칩 1㎠당 0.5K/W 이하로 매우 적게 할 수가 있다.
그리고, 모듈은 반드시 수평으로 둘 필요는 없다. 흡착판과 바닥판의 대향면 사이에 액체 금속이 충전되도록 액체 금속의 양과 액체금속저장소(沼)의 체적을 적저하게 설정하며 모듈을 수직으로 두어도 좋다는 것은 물론이다. 본 발명의 다른 실시예를 제5도를 이용하여 설명한다. 제5도는 제1의 실시예의 제3도에 대응한 것으로, 그러나 벨로우즈 10은 생략하고 있다. 본 도면 이외의 구조는, 제1의 실시예와 마찬가지이다.
본 실시예는, 제1의 실시예의 액체금속 40 대신으로 고열전도성의 기체, 예를 들면 He를 흡착판 30과 바닥판 22의 사이의 공가에 봉입한 것이다. 그러나, 열전도율은 저하하기 때문에 미세한 홈 50을 흡착판 30과 바닥판 22의 대향면에 각각 형성하고, 인서트(insert) 시키는 것에 의하여 대향면적을 확대하고 있다.
또다른 실시예를 제6도를 이용해서 설명한다.
본 실시예는 흡착판 30과 바닥판 22를 낮은 융점금속 60을 이용해서 고착하는 것으로서 구조를 매우 간단하게 할 수가 있다.
조립순서는 우선 집적회로 칩 2에 흡착판 30을 실리콘 오일 200 등을 개재시켜 흡착시키고 칩의 휘어짐에 따라서 고정한다. 그후, 바닥판, 캡 등으로 된 냉각블록 20을 필요한 두께의 낮은 융점 금속박(箔)을 사이에 끼워서 밀어부치고 이 낮은 융점 금속 60을 융점고화(固化)시켜 고착한다.
그리고, 낮은 융점금속 60과의 윤착성을 확보하기 위하여 흡착판 30과 바닥판 22의 대향면의 각각에 필요한 메탈라이프(metailze) 막을 형성하여 두어도 좋은 것은 물론이다.
낮은 융점 금속 60으로는 그 융점이 실리콘 오일 200 등의 표면장역에 큰 영향을 주지 않는 온도 범위에 있는 것이 필요하며, 예를 들면 In-Sn 합금(융점 117℃)을 사용할 수가 있다.
본 발명에 의하면 접촉방식으로 저열저항의 집적회로 칩 냉각장치를 실현할 수가 있으므로 냉각성능을 손상하지 않고 보수성, 신뢰성을 향상할 수가 있다.

Claims (20)

  1. 다수의 집적회로 칩(2)을 탑재한 배선기판수단(3), 각각의 상기 집적회로 칩(2)와 결합되고, 내부에 냉매가 흐르는 공간을 갖는 다수의 냉각 블록(20), 각각의 상기 집적회로칩(2)에 대향하여 마련된 홈을 형성한 홈 형성면을 갖는 흡착판(30) 및 상기 홈형성면과 상기 집적회로 칩 사이에 개재된 액체를 포함하고, 각각의 상기 집적회로칩과 상기 냉각블록에 결합되어, 상기 집적회로 칩이 상기 홈형성면에 상기 액체에 의해 흡착되는 흡착수단, 상기 흡착판과 상기 냉각블록사이에 상기 집적회로 칩(2)에 대응하여 마련되고, 상기 흡착판의 휘어짐을 흡수하여 상기 흡착판을 상기 냉각블록(20) 접속시키는 열전도수단, 상기 냉각 블록에 냉매를 공급하기 위해 냉각 블록과 접속되고, 상기배선 기판에 대하여 직각으로 연장하여 접속되는 유연한 파이프 수단(10)과, 상기 배선기판에 대향하여 마련되고, 상기 냉매를 상기 유연한 파이프 수단에 유입하기 위해 냉부 냉매 유로(7)을 갖고, 상기 다수의 집적회로 칩을 봉지하도록 상기 배선기판의 가장 자리에 접착되는 햇트(5)를 포함하는 집적회로 칩 냉각장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 각각의 상기 냉각 블록(20)은 바닥판(22), 상기 바닥판과 일체로 형성된 냉각휜(23) 및 상기 바닥판 위에 탑재된 캠(21)을 포함하는 집적회로 칩 냉각장치.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 각각의 상기 유연한 파이프 수단(10)은 편평한 타원형상의 단면을 갖는 집적회로 칩 냉각장치.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 열전도 수단은 고열전도성의 유체를 봉입하기 위해 상기 각각의 냉각 블록의 바닥판과 흡착판 사이에 개재된 고열전도 유체(40)을 포함하는 집적회로 칩 냉각장치.
  5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 열전도 수단은 각각의 상기 냉각 블록의 바닥판의 표면 및 상기 흡착판중의 하나에 결합된 대향면에 형성된 홈과, 상기 바닥판과 흡착판을 접속하기 위해서 상기 바닥판과 상기 흡착판중의 하나의 홈 사이에 마련된 돌기부를 포함하는 집적회로 칩 냉각장치.
  6. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 열전도 수단은 역으로 상기 액체의 표면 장력에 영향을 주지 않는 온도의 범위내에서 융점을 갖는 저융점 금속을 포함하고, 상기 저융점 금속은 상기 액체를 통해 바닥판과 함께 상기 흡착수단을 접속하는 집적회로 칩 냉각장치.
  7. 집적회로칩(2), 내부에 냉매가 흐르는 공간을 갖는 냉각블록(20), 상기 집적회로 칩(2)에 대향하여 마련된 홈을 형성한 홈 형성면을 갖는 흡착판(30) 및 상기 홈 형성면과 상기 집적회로 칩 사이에 개재된 액체를 포함하고, 상기 집적회로 칩과 상기 냉각 블록사이에 마련되어, 상기 집적회로칩이 상기 홈형성면에 상기 액체에 의해 흡착되는 흡착수단과 상기 흡착판과 상기 냉각 블록 사이에 개재되고, 상기 흡착판과 휘어짐을 흡수하여 상기 흡착판을 상기 냉각블록에 접속시키는 열전도 수단을 포함하는 집적회로 칩 냉각장치.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 열전도 수단은 상기 냉각 블록의 바닥판과 상기 흡착판 사이에 개재된 고열전도유체(40)을 포함하는 집적회로 칩 냉각장치.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 고열전도 유체를 위한 저장소로 이용되는 상기 바닥판의 주변 가장자리에 인접해서 형성된 오목부를 포함하는 집적회로 칩 냉각장치.
  10. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 바닥판(22)는 구리 및 알미늄을 포함한 군에서 선택된 금속으로 되는 집적회로 칩 냉각장치.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 상기 바닥판(22)는 고열전도유체에 접촉된 영역에서 크롬 및 니켈을 포함한 군에서 선택된 금속으로 편평하게 되는 집적회로칩 냉각장치.
  12. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 고열전유체(40)는 액상 Ga-In-Sn 합금인 집적회로칩 냉각장치.
  13. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 바닥판 및 상기 흡착판은 납땜에 의해 외부 바깥둘레 부분에서 함께 고착되는 집적회로 칩 냉각장치.
  14. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 액체는 실리콘 오일(200)인 집적회로 칩 냉각장치.
  15. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 흡착판위에 형성된 상기홈의 폭은 각각 상기 집적 회로칩 쪽으로 가까와질수록 좁아지고, 멀어질수록 넓어지며, 상기 홈은 오목부를 통해 서로 연결되는 집적회로 칩 냉각장치.
  16. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 열전도 수단은 상기 냉각블록의 바닥판의 표면 및 상기 흡착판의 대향면에 형성된 홈, 상기 바닥판의 다른쪽으로 삽입하는 상기 바닥판과 상기 흡착판중의 하나의 홈과 상기 바닥판과 함께 상기 흡착판을 접속시키는 흡착판 사이에 마련되는 돌기부를 포함하는 집적회로 칩 냉각장치.
  17. 특허청구의 범위 제16항에 있어서, 고열전도성 가스는 서로 삽입되는 상기 냉각블록의 상기 바닥판과 상기 흡착판 사이에 봉입되는 집적회로 칩 냉각장치.
  18. 특허청구의 범위 제17항에 있어서, 상기 고열전도성 가스는 헬륨인 집적회로 칩 냉각장치.
  19. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 열전도 수단은 상기 액체의 표면장력에 영향을 주지 않는 온도 영역내에서 융점을 갖는 저융점 금속을 포함하고, 상기 저융점 금속은 상기 액체를 통해 바닥판과 함께 상기 흡착판을 접속하는 집적회로 칩 냉각장치.
  20. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 상기 저융점금속은 In-Sn 합금인 집적회로 칩 냉각장치.
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