KR930004807Y1 - 인버터의 출력전류 제로크로싱 검출회로 - Google Patents

인버터의 출력전류 제로크로싱 검출회로 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

인버터의 출력전류 제로크로싱 검출회로
제1도는 종래 전류변류기를 이용한 인버터의 출력전류 제로크로싱 검출 회로도.
제2도는 일반적인 인터버를 이용한 모터 구동회로도.
제3도는 제2도에 따른 인버터의 1상 스위칭 경우를 보인 표.
제4도는 제3도 설명을 위한 1상 구동 스위칭 트랜지스터 구성도.
제5도는 본 고안에 따른 인버터의 출력전류 제로 크로싱 검출 회로도.
제6a도 내지 제6j도는 제5도에 따른 각부 타이밍도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 정류부 12 : 인버터
13 : 모터
40, 50, 60 : U, V, W상 제로크로싱 검출부
41, 42, 43 : 제1, 2, 3전류극성 검출부
44, 45, 46 : 파형정형화부 47 : 제로크로싱 검출 출력부
PC41~PC43 : 포토커플러 OP4 : 비교기
I41 : 인버터 게이트 XOR1 : 배터적 오아게이트
AND1 : 앤드게이트
본 고안은 인버터의 출력전류 제로 크리싱 검출회로에 관한 것으로, 특히 인버터의 데드(dead) 타임 검출에 적당하도록 한 인버터의 출력전류 제로 크로싱 검출회로에 관한 것이다.
일반적으로, 인버터로 모터를 구동하는 경우에 제로 크로싱 검출은 모터의 3상(U,V,W)의 상전압이 제로크로싱하는 시점을 검출하여 그에따른 구형파 신호로 발생시키고, 이를 이용하여 통전각 제어등 모터의 구동제어 PWM신호로 인버터를 제어하게 되는데, 데드 타임은 전류 불안정 현상 및 토오크 리플을 일으키는 원인이 되고 있으므로 최근에는 데드타임을 보상하는 알고리즘을 많이 채택하고 있다.
그러나, 이러한 방법은 인버터 출력전류의 방향을 알아야 할 필요가 있고, 여기에서 가장 많이 사용하는 방법은 Shunt 저항에 의한 검출방법과 전류변류기(CT)에 의한 방법이 알려져 있다.
Shunt 저항에 의한 방법은 저항에 의한 손실이 발생하며, 전류변류기(CT)에 의한 방법은 전류변류기(CT)자체의 오프세트(off set) 때문에 인버터의 출력전류의 크기가 적을 때는 제로크로싱의 오검출의 우려가 있었다. 종래의 인버터 출력전류 제로크로싱 검출회로는 제1도에 도시된 바와 같이, 2상(U,W)의 전류를 각기 검출하는 전류변류기(CT1), (CT2)와, 그 전류변류기(CT1), (CT2)의 출력을 저항(R1,R2), (R3,R4) 및 연산증폭기(OP1),(OP2)를 통해 각기 반전 증폭하는 U, W상 증폭부(1), (2)와, 그 U, W상 증폭부(1), (2)의 출력을 저항(R5), (R6)를 통해 합성한후 연산증폭기(OP3) 및 저항(R7)을 통해 반전증폭하는 V상 증폭부(3)와, 상기 U, V, W상 증폭부(1), (2), (3)의 출력은 각기 기준값과 비교하여 구형파신호로 출력하는 비교기(OP4), (OP5), (OP6)와, 그 비교기(OP4), (OP5), (OP6)의 출력을 각기 발광다이오드(L1), (L2), (L3)의 캐소우드측에 인가받고 그 발광다이오드(L1), (L2), (L3)와 상을 이루는 포토트랜지스터(PT1), (PT2), (PT3)의 콜렉터측 출력을 각기 3상 제로크로싱 출력(U,V,W)을 하는 포토커플러(PC1), (PC2), (PC3)로 구성된다.
이와 같이 구성된 종래 인버터 출력전류 제로크로싱 검출회로의 작용 및 문제점을 설명하면 다음과 같다.
전류변류기(CT1), (CT2)를 통해 인버터에서 모터측에 출력되는 임의의 2상(U,W) 출력전류를 검출하고, 그 전류변류기(CT1), (CT2)의 출력을 각기 증폭기(1), (2)를 통해 반전증폭하며, 그 증폭기(1), (2)의 출력을 합성한 후 증폭기(3)를 통해 반전증폭시켜 나머지 한상(V)의 전류를 유추해 낸다. 이와 같이 2상(U,W)의 전류를 검출후 증폭시키고 이 2상의 전류에 의해 나머지 한상(V)의 전류를 유추하여 증폭시켜 증폭기(1), (2), (3)의 3상(U,V,W)출력 전류를 비교기(OP4,OP5,OP6)를 통해 각기 접지전위인 기준값과 반전비교하여 원래의 인버터 출력 위상에 비례되는 구형파신호로 출력되고, 이 비교기(OP4,OP5,OP6)의 출력에 따라 포토커플러(PC1~PC3)를 통해 제로크리싱 정보를 갖는 3상(U,V,W) 구형파 출력이 된다. 즉 인버터의 출력전류 극성과 포토커플러(PC1)의 출력극성은 같게 된다.
그렇지만 이와 같은 종래의 전류변류기(CT)를 이용한 인버터 출력의 제로크리싱 검출회로는 전류변류기(CT) 자체에 오프세트를 가지고 있기 때문에 인버터 출력전류가 적으면 전류변류기(CT)의 오프세트에 따른 데드타임 보상의 잘못으로 오히려 데드타임 보상전보다 출력 전류를 왜곡시킬 우려가 있다.
즉, 전류변류기(CT)의 오픈세트에 의하여 제로 크로싱 부근에서 전류방향을 반대로 검출하면 전류 오프세트에 의하여 인버터는 정상적인 보상과 반대방향으로 데드타임을 보상하게 되므로 전류변류기(CT)의 오프세트가 아무리 적은 양이라도 좋지 않은 영향을 주게 된다.
본 고안은 이와 같은 문제점을 전류변류기(CT)에 의존하지 않고 인버터 주회로의 메인 트랜지스터에 흐르는 전류에 의한 트랜지스터의 콜렉터와 에미터의 전압을 이용하여 전류방향을 검출하도록 한 인버터의 출력전류 제로 크로싱 검출회로를 안출한 것으로, 이를 첨부한 도면을 참조해 상세히 설명하면 다음과 같다.
제2도는 일반적인 인버터를 이용한 모터 구동회로도로서, 이에 도시한 바와 같이 3상 입력전원(3)을 정류부(11)의 정류다이오드(D1~D6)를 통해 전파전류하고, 이를 평활콘덴서(C1)를 통해 평활시킨 후 인버터(12)에 공급하여, 인버터 제어신호에 따라 모터(13)의 3상 코일을 구동하도록 구성된다.
여기서 인버터(12)는 상기 인버터 제어신호(BU), (BV), (BW) 각기 베이스에 인가받고 콜렉터에 직류전원을 공급받는 트랜지스터(Q1), (Q3), (Q5)의 에미터와 상기 인버터 제어신호를 각기 베이스에 인가받고 에미터가 접지측에 접속되는 트랜지스터(Q2), (Q4), (Q6)의 콜렉터를 각각 접속하여 각 접속점을 통해 모터(13)의 각 상(U,V,W) 코일을 구동제어하도록 한다. 단 미설명 다이오드(D7~D12)는 각 스위칭 트랜지스터(Q1~Q6)의 보호용이다.
이와 같이 구성되는 3상 인버터는 3개의 아암(Arm)으로 구성되어 각기 2개의 스위칭 트랜지스터(Q1,Q2), (Q3,Q4), (Q5,Q6)쌍으로 모터(13)와 3상(U,V,W)코일을 구동시키게 되는데, 전원공급을 하는 제1트랜지스터(A1), (A3), (A5)와 제2트랜지스터(Q2), (Q4), (Q6)는 각기 둘다 오프되는 데드타임을 갖고 온/오프되어 모터(13)를 구동시킨다. 즉, 1쌍의 스위칭 트랜지스터는 둘다 온 할 수 없기 때문에 U상의 경우를 예를들면, 제1트랜지스터(Q1)를 온시키고 이후에 제2트랜지스터(Q2)를 온시키기 위해서는 제1트랜지스터(Q1)를 먼저 오프시켜 아암 단락방지를 위하여 두개의 트랜지스터(Q1), (Q2)가 동시에 오프되는 데드타임을 주고난뒤 제2트랜지스터(Q2)를 턴온시켜야 한다. 이때문에 이러한 상황을 고려하여 1상의 경우 스위칭 소자의 스위칭 수는 다음과 같이 6가지 경우로 생각할 수 있다.
이러한 6가지의 경우에 인버터 출력전류의 방향과 그때 제1트랜지스터(Q1) 및 제2트랜지스터(Q2)의 각 콜렉터-에미터 전압(VCE)을 제3도 인버터 1상 스위칭 경우의 각 상태표 및 제4도 인버터 1상 스위칭 트랜지스터 구성도를 참조해 설명하면 다음과 같다.
제3도 및 제4도는 U상을 일예로 보인 것으로 제1스위칭 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측 전압(DCP)는 300[V]DC이고 제2스위칭 트랜지스터(Q2)의 에미터측 전압(DCN)은 0[V]라고 하면, BU=OFF,=ON으로써 Q1=OFF, Q2=PN이 되는 스위칭 경우의 수 1)번의 경우에는 전류극성이 화살표 방향으로 그 U상 코일에 흐르는 전류(iu)는 다이오드(D8)를 통하여 흐르기 때문에 트랜지스터(Q1)의 에미터와 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 접속점(a노드)는 DCN에서 다이오드(D8)의 전압강하 0.7[V]를 뺀 값이 되어 VCE, Q2는 -0.7[V]가 되며, 이때 트랜지스터(Q1)의 VCE, Q1는 DCP에서 a노드의 전압차가 되기 때문에 300.7[V]가 된다.
BU=On,=OFF로써 Q1=ON, Q2=OFF가 되는 2)번의 경우는 전류(iu)의 극성이 화살표 방향으로 트랜지스터(Q1)를 통해서 흐르기 때문에 VCE, Q1은 트랜지스터(Q1)의 전압 강하분 1[V]이상의 전압이 나타난다. 그러므로 A노드는 (300-1)=2pp[V]로서 VCE, Q2가 된다.
여기서, 스위칭 트랜지스터(Q1), (Q2)가 파워 트랜지스터인 경우를 예로 한 것으로, 일반적으로 턴온시 전압강하는 1[V]이상이 되고 이때의 전압 강하는 트랜지스터에 흐르는 전류의 크기에 따라서 바뀌게 되는에 보통 최소값이 1.2[V]정도 된다. 이하 Q1, Q2의 전압강하는 1[V]라 하고, 다이오드(D7), (D8)의 전압강하는 0.7[V]로 하여 설명한다.
BU=OFF,=OFF로써 Q1, Q2=OFF가 되고 전류방향이 화살표 방향이 되는 3)번의 경우에는 전류(iu)가 다이오드(D8)를 통하여 흐르기 때문에 1)번의 경우와 마찬가지로 VCE, Q1=300[V], VCE, Q2=-0.7[V]가 된다.
BU=OFF,=ON으로서, Q1=OFF, Q2=ON이 되고 전류의 방향이 화살표 반대방향이 되는 4)번의 경우에는 전류(iu)는 트랜지스터(Q2)를 통하여 흐르게 되므로 VCE, Q2는 1[V]가 되고, 따라서 a노드는 1[V]가 되어 VCE, Q1은 DCP-1[V]가 된다.
BU=ON,=OFF로써 Q1=ON, Q2=OFF가 되고 전류(iu)방향이 화살표와 반대방향으로 흐르게 되는 5)번의 경우는 전류(iu)가 다이오드(D7)를 통하여 흐르게 되고, 이때 VCE, Q1은 다이오드(D7)의 전압강하에 의한 전압이 -0.7[V]가 되며, a노드의 전압은 DCP+-0.7[V]가 되므로 VCE, Q2는 300+0.7[V]가 된다.
BU=OFF,=OFF로써 Q1, Q2=OFF가 되고 전류방향이 화살표와 반대방향으로 흐르는 6)번의 경우는 전류(iu)가 다이오드(D7)를 통하여 흐르게 되어 5)번의 경우와 같이 VCE, Q1=-0.7[V], VCE, Q2-300.7[V]가 된다.
한편, 1)번에서 6)번까지의 각 경우에 나타나는 파형은 제6a도 내지 제6e도에 도시된 바와 같게 된다.
이와 같이 인버터의 스위칭 소자인 트랜지스터의 콜렉터-에미터간 전압(VCE)으로 전류방향이 쉽게 검출되며, 이는 출력전류의 크기와 관계없이 전류방향을 정확하게 검출할 수 있으므로 본 고안은 이를 이용하여 제로 크로싱 검출을 하도록 하는 회로를 안출한 것이다.
이는 제5도 본 고안에 따른 인버터 출력전류 제로크로싱 검출회로도에 도시한 바와 같이 인버터의 U상 코일(U상)을 구동제어신호(BU,)에 따라 구동시키도록 하는 제1스위칭 트랜지스터(Q1) 및 제2스위칭 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-에미터간 전압(VCE,Q1), (VCE,Q2)에 따라 전류극성을 검출하는 제1, 제2전류극성 검출부(41), (42)와, 상기 제2스위칭 트랜지스터(Q2)의 콜렉터측 전압을 기준값과 비교하여 전류 극성을 검출하는 제3전류극성 검출부(43)와, 상기 제1, 제2, 제3전류극성 검출부(41), (42), (43)의 출력을 소정문턱 값으로 파형정형화하는 파형 정형화부(44), (45), (46)와, 상기 파형정형화부(45)의 출력과 상기 파형정형화부(46)의 출력을 반전시킨 신호를 배차적 오아링한 후 상기 파형정형화부(44)의 출력과 앤드조합하여 U상 제로크로싱 검출신호를 출력(Uout)하는 제로크로싱 검출 출력부(47)를 U상 검출부(40)가 구성되며, V상 검출부(50) 및 W상 검출부(60)는 상기 U상 검출부(40)와 동일 구성이다.
여기서, 제1전류극성 검출부(41)는 전원전압(5[V])단자를 저항(R41)을 통해 포토커플러(PC41)의 발광다이오드(LED41)의 애노우드에 접속하고, 그 발광다이오드(LED41)의 애노우드에 접속하고, 그 발광다이오드(LED41)의 캐소우드를 다이오드(D41)를 통한 후 다이오드(D42)를 다시 통해 인버터의 U상 구동 제1스위칭 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 접속점에 접속하며, 상기 전원전압(5[V])단자를 저항(R42)을 통해 상기 포토 커플러(PC41)의 에미터가 접지된 수광트랜지스터(P.T41)의 콜렉터에 접속함과 아울러 그 접속점을 저항(R43)을 통해 파형정형화부(44)의 입력단자에 접속하여 구성하고, 제2전류극성 검출부(42)는 발광다이오드(LED42) 및 수광트랜지스터(P.T42)의 쌍인 포토 커플러(PC42), 저항(R44,R45,R46) 및 다이오드(D43,D44)로 상기 제1전류극성 검출부(41)와 그 구성을 동일하게 하여 제2스위칭 트랜지스터(Q2)의 콜렉터측 전압(VCE,Q2)에 따른 전류극성 검출출력을 파형 정형화부(45)에 입력하도록 구성되며, 제3전류극성 검출부(43)는 상기 제2전류극성 검출부(42)의 다이오드(D43)과 다이오드(D44)의 접속점을 비교기(OP41)의 비반전입력단자(+)에 접속하고 전원전압(5[V])을 저항(R47,R48)을 통해 분압시킨 기준값을 반전입력단자(-)에 인가받는 그 비교기(OP41)의 출력단자를 포토커플러(PC43)의 (발광다이오드(LED43) 캐소우드에 접속하고, 전원전압(5[V])단자를 각기 저항(R49), (R50)을 통해 상기 포토커플러(PC43)의)발광다이오드(LED43) 애노우드 및 수광 트랜지스터(P.T43)의 콜렉터에 접속하며, 그 수광 트랜지스터(P.T43)의 콜렉터 접속점을 저항(R51)을 통해서 파형정형화부(46)의 입력단자에 접속하여 구성한다.
이와 같이 구성한 본 고안의 작용 및 효과를 제6도 (a) 내지 (j)의 각부 파형도를 참조해 상세히 설치하면 다음과 같다.
본 고안에서 포토커플러(PC41), (PC42), (PC43)를 발광다이오드(LED41), (LED42), (LED43)의 캐소우드 측과 전원전압(5[V]) 단자측의 전위치가 2.7[V]이상이 될때 수광트랜지스터(P.T41), (P.T42), (P.T43)가 턴온되어 파형정형화부(44), (45), (46)가 문턱전압보다 낮은 저전위 입력을 받아 저전위 출력이 되게 한다.
예를 들어, 상기 제3도의 표에서 1)번, 3)번, 4)번의 경우 제1스위칭 트랜지스터(Q1)의 VCE, Q1이 300.7, 300.7, 299[V]이므로 그 제1스위칭 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 전위는 확실한 고전위 상태로 다이오드(D42), (D41)이 턴오프 상태이고 발광다이오드(LED41)도 턴오프상태가 되므로 수광트랜지스터(P.T41)는 턴오프상태가 된다. 또한 제1스위칭 트랜지스터(Q1)가 턴온되고, 제2스위칭 트랜지스터(Q2)가 턴오프되며 전류방향이 화살표방향인 2)번경우에도 VCE, Q1이 1[V]가 된다.
이때, 다이오드(D42), (D41)의 전압강하가 0.7[V]씩으로 약 1.4[V]가 합하여져 발광다이오드(LED41)의 캐소우드측에는 약 2.4[V]보다 큰 전압이 걸려야 상기 다이오드(D41), (D42)가 도통되어 전류가 흐르게 되는데, 포토커플러(PC41)를 2.7[V]이상의 전위차가 발생될때만 온되는 동작을 하도록 세팅시켰으므로, 발광다이오드(LED41)의 캐소우드 측에 약 2.4[V]가 걸리면, 5[V]-2.4[V]-2.4[V]이상의 전위차가 발생될때만 온되는 동작을 하도록 세팅시켰으므로, 발광다이오드(LED41)의 캐소우드측에 약 2.4[V]가 걸리면, 5[V]-2.4[V]=2.6[V]〈2.7[V]가 되기 때문에 포토커플러(PC41)의 출력을 파형정형화하는 슈미트 트리거회로인 파형정형화부(44)는 문턱전압보다 높은 전압을 입력받아 고전위 출력을 한다.
그리고, 제1스위칭 트랜지스터(Q1)의 콜렉터-에미터간에 -0.7[V]씩 걸리는 제3도의 5)번, 6)번의 경우에는 다이오드(D42), (D41)의 전압 강하 1.4[V]를 더한다 하더라도 발광다이오드(LED41)의 캐소우드측 전위는 0.7[V]정도가 되어 그 포토커플러(PC41)를 충분히 턴온시키게 되고, 이에 따라 파형정형화부(44)를 저전위 입력에 따른 저전위 출력을 한다.
따라서, 제1, 제2스위칭 트랜지스터(Q1), (Q2)에 제6도 (b) 및 (c)와 같은 타이밍으로 구동제어신호(BU),를 인가시키게 되면, 제1스위칭 트랜지스터(Q1)의 VCE, Q1은 제6d도와 같은 파형이 되고, 제2스위칭 트랜지스터(Q2)의 VCE, Q2는 제6e도와 같은 파형이 되어 제1전류극성 검출부(41)의 출력을 파형정형화하는 슈미트 트리거회로인 파형정형화부(44)는 제6d도에서 1[V]이상인 구간은 고전위신호를 출력하고, -0.7[V]일때는 저전위 신호를 출력하여 제6도 (f)와 같은 타이밍 신호가 된다.
마찬가지로, 제2전류극성 검출부(42)도 제1극성 검출부(41)와 동일한 작용으로 동작하여 제6e도와 같은 VCE, Q2 파형이 1[V]이상일때는 파형정형화부(45)가 고전위 출력을 하고, -0.7[V]가 되는 구간에서는 그 파형정형화부(45)가 저전위 출력을 하여 제6g도와 같은 타이밍 신호가 된다.
또한 제3전류극성 검출부(43)는 역방향 다이오드(D44)를 통해 검출되는 제2스위칭 트랜지스터(Q2)의 콜렉터측 전위를 저항(R47,R48)에 의해 분압된 기준값(약 3[V])과 비교기(OP41)를 통해 비교하므로서, 제6e도의 VCE, Q2 파형이 1[V], -0.7[V]인 구간에서 저전위 출력을 하여 포토커플러(PC43)를 구동시키게 되고, 수광트랜지스터(P.T43)가 턴온된 구간인 1[V], -0.7[V] 구간에서 파형정형화부(46)는 저전위 출력을 하여 제6h도신호가 인버터 게이트(I41)를 통해 반전된후 상기 파형정형화부(45)의 출력인 제6g도의 신호와 배차적 오아게이트(XOR1)에서 배차적 오아링되면, 제6i도와 같이 Q1=OFF, Q2=ON이고, 전류방향이 화살표 반대방향인 경우의 구간에서만 저전위 신호로 출력되고, 이 배차적 오아게이트(XOR1)의 출력인 제6i도신호와 파형정형화부(44)의 출력인 제6f도신호를 앤드조합하면, 제6j도와 같이 출력(Uout)되어 제6a도의 U상 전류(iu)가 제로크로싱 시점에서 상승에지 및 하강에지를 갖는 구형파신호로 출력된다.
따라서, 인버터의 메인 스위치 트랜지스터(Q1,Q2), (Q3,Q4), (Q5,Q6)의 각 콜렉터-에미터간 전압에 의해 각상 구동전류의 제로크로싱 시점을 정확히 검출하여 그에따른 구형파신호(U,V,Wout)를 발생시킬 수 있게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 고안은 인버터의 출력전류 방향을 전류변류기(CT)에 의존하지 않고 인버터 주회로의 메인 트랜지스터에 흐르는 전류에 의한 트랜지스터의 콜렉터-에미터간 전압을 이용하여 전류방향을 검출하기 때문에 전류 변류기(CT)의 오프세트에 의한 영향을 제거할 수 있는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 모터 구동신호에 따라 제어되는 스위칭 지스터(Q1,Q2), (Q3,Q4), (Q5,Q6)를 통해 모터(13)의 3상(U,V,W)을 구동시키는 인버터(12)를 이용한 모터 구동회로에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터(Q1), (Q2)의 각 콜렉터-에미터간 전압(VEC,Q1), (VCE,Q2)에 따라 각 전류극성을 검출하는 제1, 제2전류극성 검출부(41EC), (42)와, 상기 스위칭 트랜지스터(Q2)의 콜렉터-에미터간 전압(VEC,Q2)을 소정기준값과 비교후 전류극성을 검출하는 제3전류극성 검출부(43)와, 상기 제1, 제2, 제3전류극성 검출부(41), (42), (43)의 출력을 파형정형화하는 파형정형화부(44), (45), (46)와, 상기 파형정형화부(46)의 출력을 인버터 게이트(I41)를 통한 신호와 상기 파형정형화부(45)의 출력신호를 배타적 오아링 후 상기 파형정형화부(44)의 출력신호와 앤드조합하여 제로크로싱 검출출력(Uout)을 하는 제로크로싱 검출 출력부(47)로 U상 제로크로싱 검출회로(40)를 구성하고, 그 U상 제로크로싱 검출회로(40)와 동일구성으로 상기 인버터(12)의 스위칭 트랜지스터(Q3,Q4), (Q5,Q6)의 각 콜렉터-에미터간 전압에 따라 각 상 제로크로싱 검출출력(Vout), (Wout)을 하는 V상, W상 제로크로싱 검출회로(50), (60)를 구성하여 된 것을 특징으로 하는 인버터의 출력전류 제로 크로싱 검출회로.
  2. 제1항에 있어서, 제1전류극성 검출부(41)는 전원전압(Vcc)단자를 저항(R41)을 통한 후 포토커플러(PC41)의 발광다이오드(LED41)애노우드에 접속하고, 그 발광다이오드(LED41)의 캐소우드를 다이오드(D41), (D42)를 통해서 인버터(12)의 U상 제1스위칭 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 접속점에 접속하며, 상기 포토커플러(PC41) 수광트랜지스터(P.T41)의 콜렉터를 저항(R42)을 통해서는 전원전압(Vcc)단자에 접속하고 저항(R43)을 통해서는 파형정형화부(44)의 입력단자에 접속하여 구성한 것을 특징으로 하는 인버터의 출력전류 제로 크로싱 검출회로.
  3. 제1항에 있어서, 제2전류극성 검출부(42)는 전원전압(Vcc)단자를 저항(R44)을 통해 포토커플러(PC42)의 발광다이오드(LED42) 애노우드에 접속하고, 그 발광다이오드(LED42)의 캐소우드를 다이오드(D43), (D44)를 통해 인버터(12)의 U상 제2스위칭 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 접속점에 접속하며, 전원전압(Vcc)단자를 저항(R45)을 통해 상기 포토커플러(PC42)의 수광트랜지스터(P.T42) 콜렉터에 접속한 후 그 접속점을 저항(R46)을 통해 파형정형화부(45)의 입력단자에 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 인버터의 출력전류 제로크로싱 검출회로.
  4. 제1항에 있어서, 제3전류극성 검출부(43)는 인버터(12)의 U상 제2스위칭 트랜지스터(Q2) 콜렉터 접속점에 캐소우드가 접속된 다이오드(D44)의 애노우드 접속점을 비교기(OP41)의 비반전 입력단자(+)에 접속하고, 전원전압(Vcc)단자에 접속된 저항(R47)과 접지저항(R48)의 접속점을 상기 비교기(OP41)의 반전입력단자(-)에 접속하며, 전원전압(Vcc)단자를 저항(R49)을 통해 애노우드에 접속한 포토커플러(PC43)의 발광다이오드(LED43) 캐소우드를 상기 비교기(OP41)의 출력단자에 접속하고, 전원전압(Vcc)단자를 저항(R50)을 통해 상기 포토커플러(PC43)의 수광트랜지스터(P.T43) 콜렉터에 접속한 후 그 접속점을 저항(R51)을 통해 파형정형화부(46)의 입력단자에 접속하여 구성된 것을 특징으로 하는 인버터의 출력전류 제로크로싱 검출회로.
  5. 제1항에 있어서, 파형정형화부(44), (45), (46)는 각기 슈미트 트리거회로인 것을 특징으로 하는 인버터 출력전류 제로 크로싱 검출회로.
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