KR927004182A - 양자웰 구조체 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

양자웰 구조체

[도면의 간단한 설명]

제1(a)도는 전계가 인가된 영점에서 신호 양자웰에 대한 에너지대를 개략적으로 도시한 도면.

제1(b)도는 인가된 전계에서 제1(a)도의 양자웰에 대한 에너지대를 개략적으로 도시한 도면,

제3도는 본 발명에 따른 신호 양자웰에 대한 에너지 레벨을 개략적으로 도시한 도면.

제4도는 본 발명에 따른 신호 양자웰, 즉 본질적으로 갈륨안티몬화합물층 및 본질적으로 인듐비소화합물층으로 구성되는 신호 양자웰 및 알루미늄 안티몬화합물을 포함하는 장벽층을 개략적으로 도시한 도면.

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (31)

1. 고유 쌍극자를 카지는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
2. 웰층에 수직인 전계를 인가하기 위한 제1, 제2전극을 구비하고, 고유 쌍극자를 가지며 양자억류영역을 단계적 구성변화의 영역없이 형성하는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
3. 웰층에 수직인 전계를 인가하기 위한 제1, 제2전극을 구비하고, 고유 쌍극자를 가지며 양자억류영역을 다른 조성물을 가지고 별개의 두 영역들 사이에 헤테로 구조체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
4. 웰층에 수직인 전계를 인가하기 위한 제1, 제2전극을 구비하고, 5A 이상의 쌍극 모멘트를 가진 고유쌍극를 갖추고 있는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 양자억류영역사이를 규정하고, 헤테로 구조체로 되어 있는 제1, 제2 장벽층과, 다른 최소의 전도대와 최대의 가전자대를 가지고 상기 헤테로 구조체로 되어 있는 제1, 제2재료와 제1재료가 상대적으로 더 낮은 최소의 전도대를 가지면 제2재료가 상대적으로 더 높은 가전자대를 가지고, 쌍극자를 발생하는 캐리어 확률밀도 분포에서 초래되는 왜곡을 가지는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
6. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 전도대에서의 전자와 가전자대에서의 정공의 확률밀도 분포들의 겹칩이 있는 양자억류영역과, 쌍극자 모멘트가 양자억류영역내에서 발생되도록 비대칭분포로 되는 양자억류영역내의 헤테로 구조체로 구비되는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
7. 제1항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 양자억류영역 사이에 규정되어 있는 제1, 제2장벽층과, 상기 제1 장벽층과 인접한 제1 재료영역을 갖는 양자억류영역과, 제2장벽층과 제2 재료영역이 이웃하고, 상기 제1 및 제2 재료영역들이 서로 접촉하고, 두께가 균일한 조성물을 가지는 상기 각 재료영역과, 상기 제2 재료영역의 것보다 더 낮은 에너지로 되는 상기 제1 재료영역에서의 최소전도대와, 상기 제1 재료영역보다 제2 재료영역에서 더 높은 에너지로 되는 최대 가전자대를 포함하며, 상기 양자억류영역의 전도대에서의 전자의 확률밀도 분포가 상기 제1장벽층쪽으로 비대칭되어 있으며, 상기 양자억류영역의 가진자대에서의 정공의 확률밀도 분포가 제2장벽층쪽으로 비대칭되어 있는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
8. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 쌍극자 모멘트가 6Å 이상인 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
9. 제8항에 있어서, 쌍극자 모멘트가 7Å 이상인 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
10. 제9항에 있어서, 쌍극차 모멘트가 8Å 이상인 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
11. 제10항에 있어서, 쌍극자 모멘트가 9Å 이상인 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
12. 제11항에 있어서, 쌍극자 모멘트가 10Å 이상인 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
13. 제12항에 있어서, 쌍극자 모멘트가 11Å 이상인 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
14. 제13항에 있어서, 쌍극자 모멘트가 12Å 이상인 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
15. 제1항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 갈륨안티몬 화합물과 인듐비소화합물과 알루미늄 안티몬 화합물, 또는 그것들의 혼합물을 구비하는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
16. 제1항 내지 제15항중 어느 한 항에 있어서, 알루미늄안티몬화합물 또는 그것들의 혼합물로된 장벽층들과, 칼륨안티몬 화합물과 인듐비소화합물 또는 그것들의 혼합물을 가지는 양자억류영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
17. 제1항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 인듐안티몬화합물과 카드뮴텔루르화합물과 수은 텔루르화합물 또는 그것들의 혼합물을 구비하는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
18. 제1항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 가드뮴텔루르화합물 또는 그 혼합물로 이루어진 장벽층들과, 인듐안티몬 화합물과 수은 텔루르화합물 또는 그것들의 혼합물을 포함하는 양자억류 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
19. 제6항 또는 제8항 내지 제17항중 어느 한 항에 있어서, 장벽영역들이 인듐인화물로 구성되어 있고, 양자억류 영역이 별개의 제1, 제2재료영역로 구성되고, 제1재료영역이 GaInAsP로 구성되고 제2 재료영역이 GaiNAs로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
20. 제19항에 있어서, 상기 제1, 제2재료영역이 같은 두께인 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
21. 제19항에 있어서, 상기 제1재료영역이 상기 제2재료영역의 두께보다 적어도 두배인 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
22. 제19항 내지 제21항중 어느 한 항에 있어서, 상기 양자 억류 영역이 40∼110Å 사이에 있는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
23. 제1항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 장벽층들이 알루미늄 비소화합물로 구성되고, 상기 양자억류 영역의 제1 재료영역이 InGaAs를 포함하고, 상기 양자억류영역의 제2 재료영역이 GaSbAs를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
24. 제23항에 있어서, 양자억류영역이 두께에 있어서 100Å보다 작게 되어 있는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
25. 제1항 내지 제24항중 어느 한 항에 있어서, 양자억류영역이 두께에 있어서 50Å을 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
26. 제1항 내지 제25항중 어느 한 항에 따른 복수의 양자웰들을 구비하는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
27. 제1항 내지 제26항중 어느 한 항에 따른 각 웰들에서 쌍극자의 같은 센스로 되어 있는 복수의 양자웰들을 구비하는 것을 특징으로 하는 양자웰 구조체.
28. 제27항에 따른 상기 종속구조들중 선택적으로 역전된 쌍극자들의 센스를 가지는 복수의 종속된 다수의 양자웰 구조체들을 구비하는 혼합의 다수 양자웰 구조체.
29. 제1항 내지 제28항중 어느 한 항에 따른 양자웰 구조체를 구비하는 광학 변조기.
30. 제29항에 있어서, 웰층의 평면에 평행한 방향으로 변조되는 빛의 전달을 위해 배치될 광학 변조기.
31. 제29항에 있어서, 웰층의 평면에 수직한 방향으로 변조되는 빛의 전달을 위해 배치된 광학 변조기.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.