KR920704357A - GaAs 및 GaAℓAs를 위한 오옴성 접촉 - Google Patents

GaAs 및 GaAℓAs를 위한 오옴성 접촉

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KR920704357A
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KR
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ohmic contact
layer
kpa
gaas
gaalas
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KR1019920700073A
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신그 질 석디브
안쏘니 크루취 마크
로버트 도오지 존
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원본미기재
더 세크러터리 오브 스테이트 포 디펜스 인 허 브리태닉 마제스티스 가번먼트 오브 더 유나이티드 킹덤 오브 그레이트 브리튼 앤드 노던 아일랜드
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    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L29/45—Ohmic electrodes
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Abstract

내용 없음.

Description

GaAs 및 GaAℓAs를 위한 오옴성 접촉
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
본 발명은 하기 도면을 참조로 실시예에 대해 기술될 것이다.
제1도는 양호한 오옴성 접촉 구조의 단면도,
제2도는 오옴성 접촉 재료를 적치시키는데 사용된 전자빔 증착 장치의 개략도,
제3도는 급속 어닐 시스템의 개략도,
제4도는 기재된 기술을 사용하여 얻어진 접촉 저항값의 전형적인 분산 히스토그램,
제5도는 기재된 기술을 사용하여 얻어진 비접촉 저항률값의 전형적인 분산 히스토그램.

Claims (4)

  1. 얇은 버퍼 GaAs 접촉층을 갖는 n형 GaAs기판 및 n형 GaAℓAs 기판상에서 Ni-Ge-Au 접촉의 다층을 포함하는 n형 GaAs 및 n형 GaAℓAs를 위한 저저항 아닐형 오옴성 접촉에 있어서, 기판상에 침착된 40Å과 200Å사이 두께의 Ni의 제1층과, 150Å과 400Å사이 두께의 Ge의 제2층과, 4000Å이상 두께의 Au의 제3층을 특징으로 하는 저저항 아닐형 오옴성 접촉.
  2. 제1항에 있어서, 접촉은 50Å의 Ni층과 200Å의 Ge층과 800Å 및 5000Å의 두개로 분리된 하나의 금층을 갖는 것을 특징으로 하는 오옴성 접촉.
  3. 제1항에 있어서, 어닐링은 300℃와 500℃사이의 온도에서 1초와 200초 사이의 시간으로 실시되는 것을 특징으로 하는 오옴성 접촉.
  4. 제2항에 있어서, 어닐링은 400℃의 온도에서 약15초간 실시되는 것을 특징으로 하는 오옴성 접촉.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019920700073A 1989-09-15 1990-09-07 GaAs 및 GaAℓAs를 위한 오옴성 접촉 KR920704357A (ko)

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GB898921004A GB8921004D0 (en) 1989-09-15 1989-09-15 Ohmic contact for gaas and gaa1as
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