KR920700764A - 방사에너지가 제어되고 반응물질이 분포되는 반응실 - Google Patents

방사에너지가 제어되고 반응물질이 분포되는 반응실

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KR920700764A
KR920700764A KR1019910701612A KR910701612A KR920700764A KR 920700764 A KR920700764 A KR 920700764A KR 1019910701612 A KR1019910701612 A KR 1019910701612A KR 910701612 A KR910701612 A KR 910701612A KR 920700764 A KR920700764 A KR 920700764A
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KR1019910701612A
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윙 프레드
쿠 옌-휘
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원본미기재
라프로 테크놀로지, 인코포레이티드
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Publication date
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Abstract

내용 없음

Description

방사에너지가 제어되고 반응물질이 분포되는 반응실
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반응실의 바람직한 실시예의 단면도, 제2도는 제1도의 반응실의 샘플지지부재의 병진 및 회전기구를 보인 사시도, 제3도는 제1도의 반응실에 사용되는 램프하우징의 확대도.

Claims (53)

  1. 반응표면을 구비하여 적어도 방사에너지의 성분을 흡수하는 샘플에 방사에너지를 공급하며, 열손실의 분포가 균일하게 이루어지지않는 장치에 있어서, 상기 장치는 반응실과, 반응실에 장착되어 반응실내에서 샘플을 지지하는 수단과, 반응실에 장착되어 방사에너지를 발생시키는 수단과, 방사에너지 발생수단에 장착되어 방사 에너지 발생수단에 의해 발생된 방사에너지를 분포시켜 반응표면에서 방사에너지의 제어된 분포를 형성하는 에너지 분포수단으로 구성되며, 방사에너지의 제어된 분포는 샘플상의 열손실의 비균일한 분포를 오프셋함을 특징으로 하는 방사에너지 공급장치.
  2. 제1항에 있어서, 지지수단은 샘플과 접촉하는 반응실내에 지지부재를 포함하며, 지지부재는 샘플의 새도우내에 장착됨으로써, 방사에너지가 지지부재를 직접 가격하지 않음을 특징으로 하는 방사에너지 공급장치.
  3. 제1항에 있어서, 지지수단은 지지면을 한정하고 샘플과 접촉하는 세개의 샘플접촉점을 갖춘 반응실내의 지지부재를 포함함을 특징으로 하는 방사에너지 공급장치.
  4. 제1항에 있어서, 지지수단은 방사에너지가 필수적으로 투과되는 재료로 구성된 지지부재를 포함함을 특징으로 하는 방사에너지 공급장치.
  5. 제1항에 있어서, 제어된 분포는 장방형의 대칭형태를 취하고, 열손실의 비균일한 분포는 원형의 대칭형태를 취하며, 지지수단은 반응실내에서 반응표면이 에너지 분포수단에 대향하도록 샘플을 지지하는 지지부재와, 지지부재에 연결되어 반응표면에 수직한 축을 중심으로 지지부재를 회전시키는 수단을 포함함을 특징으로 하는 방사에너지 공급장치.
  6. 제1항에 있어서, 방사에너지 발생수단은 다수의 램프를 포함하여, 에너지 분포수단은, 다수의 램프 각각의 램프시트를 구비하는 램프하우징으로 구성되고, 각각의 램프시트는 반응표면에 대해 개개의 특정 곡율, 경사및 위치를 갖춘 반사표면을 구비함을 특징으로하는 방사에너지 공급장치.
  7. 제5항에 있어서, 방사에너지 발생수단은 다수의 선형램프를 포함하며, 에너지 분포수단은 다수의 선형램프 각각에 사용되는 다수의 램프시트를 구비하는 램프하우징으로 구성되고, 각각의 램프시트는 반응표면에 대해 개개의 특정 곡율, 경사 및 위치를 갖춘 반사표면을 구비함을 특징으로 하는 방사에너지 공급장치.
  8. 제7항에 있어서, 램프시트의 반사표면은 원추형 곡면을 구비함을 특징으로 하는 방사에너지 공급장치.
  9. 제7항에 있어서, 램프시트의 반사표면은 반응표면에 대해 제1의 경사를 갖는 제1위치와 반응표면에 대해 제2의 경사를 갖는 제2위치를 구비하여, 제1및 제2경사의 평균은 반사표면의 개개의 특정 경사와 동일함을 특징으로 하는 방사에너지 공급장치.
  10. 제8항에 있어서, 램프시트의 반사표면은 반응표면에 대해 제1의 경사를 갖는 제1위치와 반응표면에 대해 제2의 경사를 갖는 제2위치를 구비함으로써 각각의 선형램프내로 들어가는 방사 에너지의 반사가 감소되며, 제1및 제2경사의 평균은 반사표면의 개개의 특정 경사와 동일함을 특징으로하는 방사에너지 공급장치.
  11. 제1항에 있어서, 반응실에 연결되어 반응표면의 온도를 검출하는 수단을 또한 포함함을 특징으로하는 방사에너지 공급장치.
  12. 제1항에 있어서, 발생수단에 연결되어 방사에너지의 강도를 제어하는 수단을 또한 포함함을 특징으로 하는 방사에너지 공급장치.
  13. 제6항에 있어서, 다수의 램프 각각에 연결되어 다수의 램프 각각의 강도를 개별적으로 제어하는 수단을 또한 포함함을 특징으로하는 방사에너지 공급장치.
  14. 제1항에 있어서, 반응실은 저온벽 반응실이며, 지지수단은 반응실내에서 샘플과 접촉하는 저온지지수단을 포함함을 특징으로하는 방사에너지 공급장치.
  15. 제1항에 있어서, 반응실은 방사에너지가 반응실내로 유입되는 반응실상의 윈도우를 포함하며, 윈도우는샘플에 의해 흡수되는 제1범위의 방사에너지가 필수적으로 투과되고 방사에너지를 발생시키는 수단에 의해 발생된 방사에너지의 파장이 긴 적외선 범위를 흠수하는 재료로 구성되며 파장이 긴 적외선 범위가 반응실내부를 가열하지 못하도록 방사에너지의 파장이 긴 적외선 범위를 여과할 수 있을 정도의 두께를 가짐을 특징으로하는 방사에너지 공급장치.
  16. 주어진 파장범위내에서 방사에너지를 흡수하는 샘플의 반응표면상에 반응가스를 공급하는 장치에 있어서, 상기 장치가 주어진 범위의 방사에너지가 필수적으로 투과되는 윈도우를 갖춘 반응실과, 반응실에 장착되어 반응실내에서 샘플을 지지함으로써 반응표면을 윈도우에 대향시키는 수단과, 반응실과 가스소통하여 윈도우와 반응표면간의 실에 반응가스를 공급하는 수단과, 반응표면과 반응가스 공급수단간의 반응실내에 장착되고 주어진 범위의 방사에너지가 필수적으로 투과되며, 반응가스를 분포시켜 반응표면에 걸쳐 분포된 흐름을 생성하는 반응물질 분포수단으로 구성됨을 특징으로하는 반응가스 공급장치.
  17. 제16항에 있어서, 반응실과 가스소통하는 배기포트를 구비하여 반응식 밖으로 가스를 배출함으로써 분포된 흐름을 유지하는 배기수단을 또한 포함함을 특징으로 하는 반응가스 공급장치.
  18. 제17항에 있어서, 반응물질 분포수단, 반응표면 및 배기포트는 반응실을 관통하는 가스유동경로를 한정함을 특징으로하는 반응 가스 공급장치.
  19. 제18항에 있어서, 반응표면은 반응물질 분포수단과 배기포트간에 위치함을 특징으로 하는 반응가스 공급장치.
  20. 제16항에 있어서, 반응물질 분포수단은 윈도우와 반응표면간에 장착되어 반응가스의 수용격실을 형성하는 판을 포함하며, 판은 주어진 범위의 방사에너지를 필수적으로 투과시키며 수용격실과 반응표면간의 분포된 가스소통을 제공하는 다수의 기공을 구비함을 특징으로 하는 반응가스 공급장치.
  21. 제20항에 있어서, 반응가스 공급수단은 수용격실과 가스소통상태로 반응가스를 공급하기위해 연결되는 다수의 가스포트를 포함함을 특징으로 하는 반응가스 공급장치.
  22. 제16항에 있어서, 지지수단은 반응실내에서 반응표면이 에너지 분포수단에 대향하도록 샘플을 지지하는 지지부재와 지지부재에 연결되어 반응표면에 수직한 축을 중심으로 지지부재를 회전시키는 수단을 포함함을 특징으로 하는 반응가스 공급장치.
  23. 제20항에 있어서, 지지수단은 반응실내에서 반응표면이 에너지 분포수단에 대향하도록 샘플을 지지하는 지지부재와, 지지부재에 연결되어 반응표면에 수직한 축을 중심으로 지지부재를 회전시키는 수단을 포함함을 특징으로 하는 반응가스 공급장치.
  24. 제16항에 있어서, 지지수단은 샘플과 접촉하는 반응실내의 지지부재를 포함하며, 지지부재는 샘플의 섀도우내에 장착됨으로써 지지부재가 반응표면상으로 반응가스의 흐름을 편향시키지 않음을 특징으로하는 반응가스 공급장치.
  25. 제16항에 있어서, 지지수단은 지지면을 한정하고 샘플과 접촉하는 세개의 샘플접촉점을 갖춘 반응실내의 지지부재를 포함함을 특징으로하는 반응가스 공급장치.
  26. 제16항에 있어서, 반응실은 저온벽 반응실이며, 지지수단은 반응실내에서 샘플과 접촉하는 저온지지수단을 포함함을 특징으로하는 반응가스 공급장치.
  27. 제26항에 있어서, 반응실은 방사에너지가 반응실내로 유입되는 반응실상의 윈도우를 포함하며, 윈도우는 방사에너지를 발생시키는 수단에 의해 발생된 방사에너지의 파장이 긴 적외선 범위를 흡수하는 재료로 구성되며 파장이 긴 적외선 범위가 반응실내부를 가열하지 못하도록 방사에너지의 파장이 긴 적외선 범위를 여과할수 있을 정도의 두께를 가짐을 특징으로 하는 반응가스 공급장치.
  28. 주어진 파장범위내의 방사에너지를 흡수하는 샘플의 반응표면상에 제어된 반응을 유도하며, 열손실의 균일하지않은 분포에 의해 특징지워지는 장치에 있어서, 상기 장치는 주어진 범위의 방사에너지가 필수적으로 투과되는 윈도우를 갖춘 저온벽 반응실과, 반응실에 장착되어 반응실내에서 샘플을 지지함으로써 반응표면을 윈도우에 대향시키는 저온지지수단과, 윈도우 밖의 반응실에 장착되어 주어진 범위의 방사에너지를 발생시키는 수단과, 방사에너지 발생수단에 장착되어 주어진 범위의 방사에너지를 분포시켜 샘플의 반응표면에서 방사에너지의 제어된 분포를 형성하며 방사에너지의 제어된 분포는 샘플상의 열손실의 비균일한 분포를 오프셋하는 에너지 분포수단과, 반응실과 가스소통하여 윈도우와 샘플간의 실에 반응가스를 공급하는 수단과, 샘플상의 반응표면과 반응가스 공급수단간의 반응실내에 장착되고 주어진 범위의 방사에너지가 필수적으로 투과하며, 반응가스를 분포시켜 샘플의 반응표면에 걸쳐 분포된 흐름을 생성하는 반응물질 분포수단으로 구성됨을 특징으로 하는 반응유도장치.
  29. 제28항에 있어서, 반응실과 가스소통하는 배기포트를 구비하여 반응실 밖으로 가스를 배출함으로써 분포된 흐름을 유지하는 배기수단을 또한 포함함을 특징으로 하는 반응 유도장치.
  30. 제28항에 있어서, 반응실은 방사에너지가 반응실내로 유입되는 반응실상의 윈도우를 포함하며, 윈도우는 방사에너지를 발생시키는 수단에 의해 발생된 방사에너지의 파장이 긴 적외선 범위의 흡수하는 재료로 구성되며 파장이 긴 적외선 범위가 반응실내부를 가열하지 못하도록 방사에너지의 파장이 긴 적외선 범위를 여과할수 있을 정도의 두께를 가짐을 특징으로하는 반응유도장치.
  31. 제29항에 있어서, 반응물질 분포수단, 반응표면 및 배기포트는 반응실을 관통하는 가스유동경로를 한정함을 특징으로하는 반응 유도장치.
  32. 제31항에 있어서, 반응표면은 반응물질 분포수단과 배기포트간에 위치함을 특징으로 하는 반응유도장치.
  33. 제28항에 있어서, 반응물질 분포수단은 윈도우와 반응표면간에 장착되어 반응가스의 수용격실을 형성하는 판을 포함하며, 판은 주어진 범위의 방사에너지를 필수적으로 투과시키며 수용격실과 반응표면간의 분포된 가스소통을 제공하는 다수의 기공을 구비함을 특징으로 하는 반응유도장치.
  34. 제33항에 있어서, 반응가스 공급수단은 수용격실과 가스소통상태로 반응가스를 공급하기 위해 연결되는 다수의 가스포트를 포함함을 특징으로 하는 반응유도장치.
  35. 제28항에 있어서, 지지수단은 반응실내에서 반응표면이 에너지 분포수단에 대향하도록 샘플을 지지하는 지지부재와, 지지부재에 연결되어 반응표면에 수직한 축을 중심으로 지지부재를 회전시키는 수단을 포함함을 특징으로하는 반응유도장치.
  36. 제33항에 있어서, 지지수단은 반응실내에서 반응표면이 에너지 분포수단에 대향하도록 샘플을 지지하는 지지부재와, 지지부재에 연결되어 반응표면에 수직한 축을 중심으로 지지부재를 회전시키는 수단을 포함함을 특징으로하는 반응유도장치.
  37. 제28항에 있어서, 저온지지수단은 샘플과 접촉하는 반응실내에의 지지부재를 포함하며, 지지부재는 샘플을 섀도우내에 장착됨으로써 방사에너지가 지지부재를 직접 가격하지않음을 특징으로하는 반응유도장치.
  38. 제28항에 있어서, 저온지지수단은 지지면을 한정하고 샘플과 접촉하는 세개의 샘플접촉점을 갖춘 반응실내의 지지부재를 포함함을 특징으로하는 반응유도장치.
  39. 제28항에 있어서, 저온지지수단은 방사에너지가 필수적으로 투과되는 재료로 구성된 지지부재를 포함함을 특징으로하는 반응유도장치.
  40. 제28항에 있어서, 방사에너지 발생수단은 다수의 램프를 포함하며, 에너지 분포수단은, 다수의 램프 각각의 램프시트를 구비하는 램프하우징으로 구성되고, 각각의 램프시트는 반응표면에 대해 개개의 특정 곡율, 경사 및 위치를 갖춘 반사표면을 구비함을 특징으로하는 반응유도장치.
  41. 제35항에 있어서, 방사에너지 발생수단은 다수의 선형램프를 포함하며, 에너지 분포수단은 다수의 선형램프에 각각에 사용되는 다수의 램프시트를 구비하는 램프하우징으로 구성되고, 각각의 램프시트는 반응표면에 대해 개개의 특정 곡율, 경사 및 위치를 갖춘 반사표면을 구비함을 특징으로하는 반응유도장치.
  42. 제41항에 있어서, 램프시트의 반사표면은 원추형 곡면을 구비함을 특징으로하는 반응유도장치.
  43. 제41항에 있어서, 램프시트의 반사표면은 반응표면에 대해 제1의 경사를 갖는 제1위치와 반응표면에 대해 제2의 경사를 갖는 제2위치를 구비하며, 제1및 제2경사의 평균은 반사표면의 개개의 특정 경사와 동일함을 특징으로하는 반응유도장치.
  44. 제42항에 있어서, 램프시트의 반사표면은 반응표면에 대해 제1의 경사를 갖는 제1위치와 반응표면에 대해 제2의 경사를 갖는 제2위치를 구비하며, 제1및 제2경사의 평균은 반사표면의 개개의 특정 경사와 동일함을 특징으로하는 반응유도장치.
  45. 제28항에 있어서, 반응실에 연결되어 반응표면의 온도를 검출하는 수단을 또한 포함함을 특징으로하는 반응유도장치.
  46. 제28항에 있어서, 발생수단에 연결되어 방사에너지의 강도를 제어하는 수단을 또한 포함함을 특징으로하는 반응유도장치.
  47. 제40항에 있어서, 다수의 램프 각각에 연결되어 다수의 램프 각각의 강도를 개별적을 제어하는 수단을 또한 포함함을 특징으로하는 반응유도장치.
  48. 반응표면을 구비하고 에너지를 야기하는 열을 흡수하는 샘플을 가열하는 장치에 있어서, 상기 장치는 저온벽 반응실과, 반응실내에 장착되어 반응실내에서 샘플을 지지하는 저온지지수단과, 반응실에 장착되어 에너지를 야기하는 열을 발생시키고 에너지를 야기하는 열을 반응표면으로 향하게하는 수단으로 구성됨을 특징으로하는 가열장치.
  49. 제48항에 있어서, 에너지를 야기하는 열을 방사에너지이며, 저온지지수단은 방사에너지를 필수적으로 투과시키는 재료로 구성됨을 특징으로 하는 가열장치.
  50. 제48항에 있어서, 저온지지수단은 샘플과 접촉하는 반응실내의 지지부재를 포함하며, 지지부재는 샘플의 섀도우내에 장착됨으로써 에너지를 야기하는 열이 지지부재를 직접 가격하지않음을 특징으로하는 가열장치.
  51. 제48항에 있어서, 저온지지수단은 지지면을 한정하고 샘플과 접촉하는 세개의 샘플접촉점을 갖춘 반응실내의 지지부재를 포함함을 특징으로하는 가열장치.
  52. 제49항에 있어서, 반응실은 방사에너지가 반응실내로 유입되는 반응실상의 윈도우를 포함하며, 윈도우는 방사에너지를 발생시키는 수단에 의해 발생된 방사에너지의 파장이 긴 적외선 범위를 흡수하는 재료로 구성되며 파장이 긴 적외선 범위가 반응실내부를 가열하지 못하도록 방사에너지의 파장이 긴 적외선 범위를 여과할수 있을 정도의 두께를 가짐을 특징으로하는 가열장치.
  53. 제48항에 있어서, 저온지지수단은 반응실내에서 샘플을 지지하는 지지부재와, 지지부재에 연결되어 반응표면에 수직한 축을 중심으로 지지부재를 회전시키는 수단을 포함함을 특징으로하는 가열장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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