KR920018653A - 자성박막 메모리 및 그 기록·재생방법 - Google Patents

자성박막 메모리 및 그 기록·재생방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

자성박막 메모리 및 그 기록·재생방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도의 본 발명의 한 실시예에 있어서, 자성박막 메모리 소자의 읽어내기 원리의 설명도,
제 2 도는 본 발명의 한 실시예에 있어서 자성박막 메모리소자 및 기록선을 표시한 개념도,
제 3 도는 본 발명의 한 실시예에 있어서 자성박막 메모리 소자의 자계에 대한 홀전압의 변화의 설명도.

Claims (29)

  1. 자기이방성을 가진 박막자성체의 이상홀효과를 이용하여, 기록정보를 읽어내는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리소자.
  2. 제 1항에 있어서, 수직 자기 이방성을 가진 자성박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리소자.
  3. 제 2항에 있어서, 자성박막으로서 페리(Ferri)자성박막을 사용한 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리소자.
  4. 제 3항에 있어서, 페리자성박막으로서 희토류와 천이금속의 합금을 사용한 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리소자.
  5. 제 4항에 있어서, 희토류 부격자 자회가 우세하하여 또한 자화포화자계가 극소가 되는 조성근처의 조성을 가진 희토류와 천이 금속의 합금을 사용한 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리소자.
  6. 제 4항에 있어서, 희토류로서 Gd 또는 Ho를 포함하는 희토류임을 특징으로 하는 자성박막 메모리소자.
  7. 재생용의 전류선과 전압선과를 구비한 복수의 자성박막 메모리소자로 구성된 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  8. 제 7항에 있어서, 전류선과 전압선이 서로 직교하고 있는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  9. 제 7항에 있어서, 전류선에 평행으로 기록선(X), 전압선으로 평행하게 기록선(Y)이 시설되어 전기 기록선(X,Y)이 자성박막 메모리소자에 대해서 발생하는 자계를 각각 Hx,Hy로 하고, 메모리소자의 보자력을 Hc로 했을 때, Hx〈Hc 또한 Hy〈Hc 또한 Hy+Hy〉Hc를 만족하는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  10. 자성박막 메모리소자에 전류를 공급하는 재생용의 전류선과, 이 전류선과 일단을 공통으로 하여 이상홀전압을 도출하는 재생용의 전압선과를 구비한 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  11. 제10항에 있어서, 재생용의 전류선과 전압선의 적어도 한쪽을 기록선으로 사용하는 구성으로 한 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  12. 제10항에 있어서, 동일 위치에 적층된 자성박막 메모리소자의 재생용의 전압선이 공통으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 수직방향에 적층된 자성박막 메모리.
  13. 제10항에 있어서, 자성박막 메모리소자와 재생용의 전압선과의 사이에 저항체를 삽입한 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  14. 제13항에 있어서, 출력의 이상홀전압을 비축하기 위한 콘덴서를 구비한 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  15. 재생용의 전류선과 전압선의 적어도 한쪽을 기록선으로서 기록시에 전류를 흘려 자성박막 메모리소자에 기록을 행하는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  16. 2비트정보 “0” 및 “1”의 각각을 기록하는데 대응한 기록선을 설치하고, 각각의 기록선에 흘리는 전류방향을 동일 방향으로서 전기 “0” 및 “1”을 기록시키는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  17. 재생용의 전류선에 펄스전류를 인가하여 전압선에 여기 되는 이상홀전압을 재생신호로서 읽어내는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  18. 수직 자기이방성을 가진 박막자성체의 자기저항효과를 이용하여 상기 박막자성체에 기록된 정보를 읽어내는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  19. 정보가 기록된 제1의 박막자성체에 근접하여 배치된 수직 자기이방성을 가진 제2의 박막자성체의 자기저항효과를 이용하여 상기 정보를 읽어내는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  20. 제18항 또는 제19항에 있어서, 박막자성체로서 수직 자기이방성을 가진 페리자성박막을 사용하는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  21. 기억단자가 적어도 자성박막과 비선형의 전류-전압특성을 가진 반도체로 구성된 자성박막 메모리소자가 복수개 집합하여된 자성박막 메모리.
  22. 제21항에 있어서, 자성박막 메모리소자를 행열상으로 비치한 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  23. 제22항에 있어서, 행열상으로 배치한 것을 3차원적으로 복수단 적층한 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  24. 반도체를 사용하는 능동소자의 절연체를 통해서 적층한 자성박막 메모리소자가 기판상에 배선재료에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리.
  25. 자성박막 바이어스를 자계를 인가함으로서, 자성박막 메모리소자의 출력변화를 검출하고 정보를 읽어내는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리 재생방법.
  26. 제18항 또는 제19항 또는 제25항에 있어서, 자성박막소자의 막면에 수직으로 바이어스 자계를 인가하여, 기록한 정보를 읽어내는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리 재생방법.
  27. 제25항에 있어서, 자성박막 메모리소자의 막면에 수직으로 자계를 인가함으로서, 이상홀효과에 의해 해당 자성박막 메모리 소자에 생기는 신호변화를 관측하여, 기록정보를 읽어 내는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리 재생방법.
  28. 제25항에 있어서, 자성박막 메모리소자의 막면에 평행으로 자계를 인가함으로서, 이상홀효과에 의해 해당 자성박막 메모리 소자에 생기는 신호의 변화를 관측하여, 기록정보를 읽어 내는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리 재생방법.
  29. 자성박막 메모리소자의 막면에 수직인 자계와 평행한 자계를 인가하여, 상기 수직인 자계의 방향이 2치적(binary valuable)인 기록정보를 결정하는 것을 특징으로 하는 자성박막 메모리 기록방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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