KR920017949A - 초전도물질, 초전도체 및 이러한 초전도체 물질 또는 초전도체의 형성방법 - Google Patents

초전도물질, 초전도체 및 이러한 초전도체 물질 또는 초전도체의 형성방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

초전도물질, 초전도체 및 이러한 초전도체 물질 또는 초전도체의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조된 초전도 재료의 결정구조를 나타낸 모형이고,
제2도는 본 발명의 실시예 2에서 사용된 비초전도 물질의 결정구조를 나타낸 모형이고,
제3도는 본 발명의 실시예 3에서 사용된 비초전도 물질의 결정구조를 나타낸 모형이다.

Claims (44)

  1. 다음 조정식을 갖는 초전도 물질.
    (T11-X1-X2PbX1BiX2)α(Sr1-X3BaX3)βCaΥCuδOξ)
    여기에서, 0≤X1≤0.8, 0≤X2≤0.5, 0≤X3≤1.0, 0.7≤α≤1.5, 1.4≤β≤3.0, 0.7≤γ≤4.5, 1.4≤δ≤6, 4.5≤ξ≤17, 0＜X1+X2＜1 이다.
  2. 제1항에 있어서, 1.4≤Υ≤3, 2.1≤δ≤4.5, 6.0≤ξ≤14.0 인 초전도 물질.
  3. 제1항에 있어서, 0.7≤Υ≤1.5, 1.4≤δ≤3, 4.5≤ξ≤11.0 인 초전도 물질.
  4. 제1항에 있어서, 2.1≤Υ≤4.5, 2.8≤δ≤6, 7.4≤ξ≤17.0 인 초전도 물질.
  5. 제1항에 있어서, 0.3≤X1≤0.6, 0≤X2≤0.2, 0.1≤X3≤0.5인 초전도 물질.
  6. 다음 조성식의 적어도 1종의 초전도 물질과 다수의 피닝센터로 이루어진 초전도체
    (T11-X1-X2PbX1BiX2)α(Sr1-X3BaX3)βCaΥCuδOξ
    여기에서, 0≤X1≤0.8, 0≤X2≤0.5, 0≤X3≤1.0, 0.7≤α≤1.5, 0.7≤β≤1.5, 0.7≤Υ≤4.5, 1.4≤δ≤6, 4.5≤ξ≤17, 0＜X1+X2＜1 이다.
  7. 제6항에 있어서, 피닝센터가 초전도 물질 적어도 1종의 원소를 함유하는, 적어도 1종의 비초전도 물질에 의해 형성되는 초전도체.
  8. 제7항에 있어서, 적어도 1종의 비초전도 물질이 초전도 물질과 결정구조를 갖고, 초전도 물질의 원소와 상이한 적어도 1종의 원소를 갖는 적어도 1종의 물질인 초전도체.
  9. 제7항에 있어서, 적어도 1종의 비초전도 물질이 CuO3, Tl, Pb, Bi, Sr, Ba, Ca, Cu, O 원소 중 적어도 1종이 초전도체.
  10. 제7항에 있어서, 적어도 1종의 비초전도 물질이 CaO, SrO, CuO3, Ca2PbO3, BaPbO4, BaBiO3, (Ca, Sr)2CUO3및 (Ca, Sr)CuOX로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 1종인 초전도체.
  11. 제7항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질의 초전도체의 다수의 결정립을 형성하고, 적어도 1종의 비초전도 물질이 상기 결정립 내에 존재하는 초전도체.
  12. 제7항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질이 초전도체의 다수의 결정립을 형성하고 적어도 1종의 비초전도 물질이 상기 결정립 바깥쪽의 초전도체에 존재하는 초전도체.
  13. 제7항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질이 초전도체의 다수의 결정립을 형성하고, 상기 다수의 결정립 중 적어도 50%가 소정 방향으로 이의 결정축을 갖는 초전도체.
  14. 제7항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질이 초전도체의 다수의 결정립을 형성하고, 결정립의 평균 크기는 0.1㎛ 내지 1.0㎛인 초전도체.
  15. 제7항에 있어서, 적어도 1종의 비초전도 물질 및 적어도 1종의 초전도 물질의 용적비율이 0.01 내지 10인 초전도체.
  16. 제7항에 있어서, 적어도 1종의 비초전도 물질이 초전도체 내에서 입자를 형성하고, 입자의 평균 공간 거리는 1㎚ 내지 1㎛인 초전도체.
  17. 제6항에 있어서, 추가로 적어도 1종의 금속 물질을 함유하는 초전도체.
  18. 제17항에 있어서, 금속물질이 Ag 및 Pt족 금속으로 구성된 그룹에서 선택되는 초전도체.
  19. 적어도 1종의 초전도 물질과, 유사한 결정구조를 갖고, 상기 초전도 물질의 원소와 상이한 적어도 1종의 원소를 함유하는 적어도 1종의 비초전도 물질로 이루어진 초전도체.
  20. 제19항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질이 다음의 원소 i) Tl ii) Sr 및 Ba 중 적어도 하나 iii) Ca iv) Cu v) O를 함유하는 적어도 1종의 화합물인 초전도체.
  21. 제20항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질이 Pb 및 Bi 중 적어도 하나를 함유하는 초전도체.
  22. 제19항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질이 초전도체의 다수의 결정립을 형성하고, 적어도 1종의 비초전도 물질이 상기 결정립 내에 존재하는 초전도체.
  23. 제19항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질이 초전도체의 다수의 결정립을 형성하고 적어도 1종의 비초전도 물질이 상기 결정립 바깥쪽의 초전도체에 존재하는 초전도체.
  24. 제19항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질이 초전도체의 다수의 결정립을 형성하고, 상기 다수의 결정립 중 적어도 50%가 소정 방향으로 이의 결정축을 갖는 초전도체.
  25. 제19항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질의 초전도체의 다수의 결정립을 형성하고, 결정립의 평균 크기는 0.1㎛ 내지 1.0㎛인 초전도체.
  26. 제19항에 있어서, 적어도 1종의 비초전도 물질 및 적어도 1종의 초전도 물질의 용적비율이 0.01 내지 10인 초전도체.
  27. 제19항에 있어서, 적어도 1종의 비초전도 물질이 초전도체 내에서 입자를 형성하고 입자의 평균 공간거리는 1.0㎛ 내지 10㎛인 초전도체.
  28. 제19항에 있어서, 추가로 적어도 1종의 금속 물질을 함유하는 초전도체.
  29. 제28항에 있어서, 금속물질이 Ag 및 Pt족 금속으로 구성된 그룹에서 선택되는 초전도체.
  30. 제19항에 있어서, 적어도 1종의 초전도 물질과, 비유사 결정구조를 갖는, 적어도 1종의 추가의 비초전도 물질을 함유하는 초전도체.
  31. 제30항에 있어서, 추가의 비초전도 물질이 Tl, Pb, Bi, Sr, Ba, Ca, Cu, O 원소 적어도 1종을 포함하는 화합물인 초전도체.
  32. 조성식 (Tl1-X1-X2PbX1BiX2) (Sr1-X3BaX3)2CaCu2O7+X4(여기에서, 0≤X1＜0.8≤X2＜0.5, 0＜X3≤1, 0≤X1+X2＜1 및 -0.5＜X4＜0.5)의 산화물 초전도 물질과, 조성식(Tl1-X1-X2PbX1BiX2) (Sr1-X3BaX3)2LnCu2O(여기에서 Ln은 이트륨 또는 희토류 원소에서 선택된 1종 이상의 원소이고, -0.5＜X4＜0.5이다) 및 (Tl1-X1-X2PbX1BiX2) LnSrCaCu2O7+X4(여기에서 Ln은 이트륨 또는 희토류 원소에서 선택된 1종 이상의 원소이고 -0.5＜X4＜0.5이다)을 갖고, 상기 초전도 물질과 유사한 결정구조를 가지며, 상기 초전도 물질을 구성하는 1종 이상의 원소를 다른 원소로 치환함으로서 얻어지는, 적어도 1종의 비초전도 물질로 이루어지는 초전도체.
  33. (1) 조성식(Tl1-X1-X2PbX1BiX2) (Sr1-X3BaX3)2CaCu2O(여기에서, 0≤X1＜0.8, 0≤X2＜0.5, 0＜X3≤1, 0≤X1+X2＜1 및 -0.5＜X4＜0.5)의 산화물 초전도 물질, (2) 조성식(Tl1-X1-X2PbX1BiX2) (Sr1-X3BaX3)2LnCu2O7+X4(여기에서 Ln은 이트륨 또는 희토류 원소에서 선택된 1종 이상의 원소이고, -0.5＜X4＜0.5이다) 및 (Tl1-X1-X2PbX1BiX2) LnSrCaCu2O7+X4(여기에서 Ln은 이트륨 또는 희토류 원소에서 선택된 1종 이상의 원소이고, 0.5＜X4＜0.5 이다)이고, 상기 초전도 물질과 유사한 결정구조를 가지며, 초전도 물질의 1종 이상의 원소를 다른 원소로 치환함으로써 얻어지는 비초전도 물질과, (3) 금속 부분으로 이루어진 초전도체.
  34. 적어도 1종 이상의 물질이 Tl 함유 화합물인, 적어도 1종의 초전도 물질과 적어도 1종의 비초전도 물질로 이루어지고, 상기 적어도 1종의 초전도 물질이 초전도체에 피닝 센터를 제공하는 초전도체.
  35. 제34항에 있어서, 적어도 1종의 비초전도 물질이 초전도 물질과 비유사결정구조를 갖는 초전도체.
  36. 다음 조성식의 초전도 물질을 형성시키고, (T11-X1-X2PbX1BiX2)α(Sr1-X3BaX3)βCaγCuδOξ
    여기에서, 0≤X1≤0.8, 0≤X2≤0.5, 0≤X3≤1.0, 0.7≤α≤1.5, 1.4≤β≤3.0, 0.7≤γ≤4.5, 1.4≤δ≤6, 4.5≤ξ≤17, 0＜X1+X2＜1이다) ;
    상기 초전도 물질을 이의 액상으로 가열시킨 다음 ; 이 초전도 물질을 냉각시키는 것으로 이루어진 초전도체 형성방법.
  37. 적어도 1종의 초전도 물질의 입자 및 상기 적어도 1종의 초전도 물질과 유사한 결정구조를 갖는 적어도 1종의 비초전도 물질의 입자를 혼합하고 ; 이 혼합물을 소결하고 ; 이 소결된 혼합물을 가열한 후, 소결된 혼합물을 냉각하여 초전도체를 형성시키는 것으로 이루어지는 초전도체 형성방법.
  38. 다음 조성식의 초전도 물질로 된 적어도 1종의 신장된 초전도체.
    (T11-X1-X2PbX1BiX2)α(Sr1-X3BaX3)βCaγCuδOξ
    (여기에서, 0≤X1≤0.8, 0≤X2≤0.5, 0≤X3≤1.0, 0.7≤α≤1.5, 1.4≤β≤3.0, 0.7≤γ≤4.5, 1.4≤δ≤6, 4.5≤ξ≤17, 0＜X1+X2＜1이다) ; 와
    상기 적어도 1종의 초전도체를 봉입한 파라 전도성 외장으로 이루어지는 초전도 선재.
  39. (i) 다음 조성식의 적어도 1종의 초전도 물질로 (T11-X1-X2PbX1BiX2)α(Sr1-X3BaX3)βCaγCuδOξ
    (여기에서, 0≤X1≤0.8, 0≤X2≤0.5, 0≤X3≤1.0, 0.7≤α≤1.5, 1.4≤β≤3.0, 0.7≤γ≤4.5, 1.4≤δ≤6, 4.5≤ξ≤17, 0＜X1+X2＜1이다) ; 및
    다수의 피닝센터를 이루어진 적어도 1종의 신장된 초전도체와 (ii) 상기 적어도 1종의 초전도체를 봉입한 파라-전도성 외장으로 이루어진 초전도 선재.
  40. 제39항에 있어서, 초전도체가 다수의 결정립으로 이루어지고, 초전도체의 신장 방향에 대한 어느 횡방향에 5 이하의 결정립이 존재하는 초전도 선재.
  41. (i) 적어도 1종의 초전도 물질 및 상기 적어도 1종의 초전도 물질과 유사한 결정구조를 갖고, 초전도 물질의 원소와 상이한 적어도 1종의 원소를 함유하는, 적어도 1종의 비초전도 물질로 이루어진 적어도 1종의 신장된 초전도체와, (ii) 상기 적어도 1종의 초전도체를 봉입한 파라-전도성 외장으로 이루어지는 초전도 선재.
  42. (i) 다음 조성식의 산화물 초전도 물질 : (Tl1-X1-X2PbX1BiX2) (Sr1-X3BaX3)2CaCu2O7+X4(여기에서, 0≤X1＜0.8, 0≤X2＜0.5, 0＜X3≤1, 0≤X1+X2＜1 및 -0.5＜X4＜0.5)과 조성식 (Tl1-X1-X2PbX1BiX2) (Sr1-X3BaX3)2LnCu2O7+X4(여기에서 Ln은 이트륨 또는 희토류 원소에서 선택된 1종 이상의 원소이고, -0.5＜X4＜0.5이다) 및 (Tl1-X1-X2PbX1BiX2)LnSrCaCu2O7+X4(여기에서 Ln은 이트륨 또는 희토류 원소에서 선택된 1종 이상의 원소이고, -0.5＜X4＜0.5이다)을 갖고, 상기 초전도 물질과 유사한 결정구조를 가지며, 초전도 물질을 구성하는 1종 이상의 원소를 다른 원소로 치환함으로써 얻어지는, 적어도 1종의 비초전도 물질로 이루어지는 적어도 1종의 신장된 초전도체와, (ii) 상기 적어도 1종의 초전도체를 봉입한 파라-전도성 외장으로 이루어지는 초전도 선재.
  43. (i) (1)다음 조성식의 산화물 초전도 물질 : (Tl1-X1-X2PbX1BiX2) (Sr1-X3BaX3)2CaCu2O7+X4, (여기에서, 0≤X1＜0.8≤X2＜0.5, 0＜X3≤1, 0≤X1+X2＜1 및 -0.5＜X4＜0.5), (2) 조성식 (Tl1-X1-X2PbX1BiX2) (Sr1-X3BaX3)2LnCu2O7+X4(여기에서 Ln은 이트륨 또는 희토류 원소에서 선택된 1종 이상의 원소이고, -0.5＜X4＜0.5이다) 및 (Tl1-X1-X2PbX1BiX2)LnSrCaCu2O7+X4(여기에서 Ln은 이트륨 또는 희토류 원소에서 선택된 1종 이상의 원소이고, -0.5＜X4＜0.5이다)이고, 상기 초전도 물질과 유사한 결정구조를 가지며, 초전도 물질을 구성하는 1종 이상의 원소를 다른 원소로 치환함으로써 얻어지는, 적어도 1종의 비초전도 물질 및, (3) 금속 부분으로 이루어지는 적어도 1종의 신장된 초전도체와, (ii) 상기 적어도 1종의 초전도체를 봉입한 파라-전도성 외장으로 이루어지는 초전도 선재.
  44. (i) 적어도 1종의 물질이 Tl을 함유하는 화합물인, 적어도 1종의 초전도 물질과 적어도 1종의 비초전도 물질로 이루어지고, 상기 적어도 1종의 초전도 물질이 초전도체에 피닝 센터를 제공하는, 적어도 1종의 신장된 초전도체와, (ii) 상기 적어도 1종의 초전도체를 봉입한 파라-전도성 외장으로 이루어지는 초전도 선재.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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