KR920017266A - Cmos 제조방법 - Google Patents

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KR920017266A
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양흥선
이경미
이완기
한충수
박헌섭
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정몽헌
현대전자산업 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
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Abstract

내용 없음

Description

CMOS 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제9도는 본 발명에 의해 반도체 소자 제조단계를 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 실리콘 기판에 CMOS를 제조하기 위하여 N-웰 및 P-웰을 형성하고 필드산화막을 형성하는 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 패드산화막, 실리콘 질화막 및 감광막을 형성한 다음 N형 ISO마스크를 이용하여 N웰영역에서 필드산화막이 형성될 부분의 감광막을 제거한 다음, 그 하부 노출되는 실리콘 질화막을 식각하는 단계와, 이온주입 공정으로 노출된 패스산화막을 통해 실리콘 기판에 N형 불순물을 주입하고 주입된 불순물을 고온에서 장시간 실리콘 기판 내부로 드라이브 인 시켜 N-웰을 형성하는 단계와, 노출된 N-웰 영역의 패드산화막 상부 및 하부로 제1필드산화막을 성장시키는 단계와, 전체적으로 감광막을 도포하고 P형 ISO마스크를 이용하여 P웰영역에서 필드산화막이 형성될 부분의 감광막을 제거한 다음 그 하부 노출되는 실리콘 질화막을 식각하는 단계와, 이온주입 공정으로 노출된 패드 산화막을 통해 실리콘 기판에 P형 불순물을 주입하고 주입된 불순물을 고온에서 장시간 실리콘 기판 내부로 드라이브 인 시켜 P웰을 형성하는 단계와, P웰 영역의 노출된 패드산화막 상부 및 하부로 제2필드 산화막을 성장시키는 공정으로 N웰 및 P웰과 필드산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 CMOS 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 N웰 또는 P웰을 형성하는 단계후에 N웰 또는 P웰과 동일한 불순물을 각각 실리콘 기판 표면에 저에너지로 주입시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS 제조방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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