KR920013586A - 전자빔 집중 방법 및 집중장치 - Google Patents

전자빔 집중 방법 및 집중장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920013586A
KR920013586A KR1019910021994A KR910021994A KR920013586A KR 920013586 A KR920013586 A KR 920013586A KR 1019910021994 A KR1019910021994 A KR 1019910021994A KR 910021994 A KR910021994 A KR 910021994A KR 920013586 A KR920013586 A KR 920013586A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electron beam
raw material
axis
material source
source
Prior art date
Application number
KR1019910021994A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100246488B1 (ko
Inventor
카우프만 헬무트
슈미드 롤란드
Original Assignee
에리히 하에필리·우르스 베그만
발쩌스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에리히 하에필리·우르스 베그만, 발쩌스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 에리히 하에필리·우르스 베그만
Publication of KR920013586A publication Critical patent/KR920013586A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100246488B1 publication Critical patent/KR100246488B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

전자빔 집중 방법 및 집중장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 구성되는 진공피복장치의 종단면도, 제2도는 전자빔의 집중에 필요한 자석코일의 배열을 보인 도면, 제3도는 증발원상의 연소점의 위치에 자계가 인가되는 상태를 개략적으로 보인 도면.

Claims (8)

  1. 전자빔의 축에 수직으로 연장되는 자계에 의해 진공피복실내에서 전자빔을 안내하고 집중시키는 방법으로, 전자빔은 진공실내에서 음극으로부터 원재료소오스로 안내되고, 거기에서 연소점이 생성되며, 전자빔에 의해 원재료소오스는 가열되고 용융되며 원재료소오스는 재료의 용융점에 이를 때까지 그를 따라 공급되는 집중방법에 있어서, 원재료의 중심으로부터 전자빔에 의해 생성된 연소점의 편향을 비디오시스템으로 검출하고 그에 따라 검출된 신호를 사용하여 전자빔을 안내하고 집중시키기 위한 자계를 형상화하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 전자빔 집중방법.
  2. 제1항에 있어서, 두개의 교차하는 자석코일은 전자빔을 집중시키는데 사용됨을 특징으로 하는 전자빔 집중방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 비디오시스템은 봉상 원재료의 중심 또는 원재료소오스의 중심과 정렬하는 비디오카메라로 구성되며, 상기 비디오카메라는 원재료소오스의 표면상의 밝기의 신호를 검출하는 화상평가기에 연결되고, 화상평가기에 의해 조정가능한 임계값을 초과하는 밝기 신호를 검출하거나 결정함으로써 직교상태로 배열되는 자석코일로 된 공급장치가 컴퓨터를 통해 상기 신호에 의해 제어되어 원재료소오스의 표면상의 가장 밝은 밝기의 위치를 원재료에서 증발원의 중심에 위치시킴을 특징으로하는 전자빔 집중방법.
  4. 제1항에 있어서, 전자빔은, 증발원에서 용융되는 폼목이 단지 가열만되고 증발은 되지 않도록 감소된 출력으로 집중시키기위해 동작함을 특징으로 하는 전자빔 집중방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 비디오카메라는 원재료소오스의 변위에 따라 조정 및 집중시킬 수 있도록 선회가능하게 지지됨을 특징으로 하는 전자빔 집중방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 자계는 원재료소오스의 축을 중심으로 전자빔을 회전시키기 위해 교호적인 신호에 의해 발생되는 회전자계에 의해 중첩됨으로써 원재료소오스가 균일하게 용융됨을 특징으로 하는 전자빔 집중방법.
  7. 제6항에 있어서, 회전운동축은 원재료소오스의 축과 일치함을 특징으로 하는 전자빔 집중방법.
  8. 전자빔의 축에 수직으로 연장되는 자계에 의해 진공피복실내에서 전자빔을 안내하고 집중시키며, 음극으로부터 원재료소오스까지 진공실내에서 안내되는 전자빔을 방출함으로써 원재료상에 연소점을 생성하는 음극을 포함하고, 원재료의 표면은 가열되고 용융되며, 원재료는 재료의 용융에 대응하여 공급되는 장치에 있어서, 전자빔의 영역에서 평면으로 위치하며 적어도 전자빔의 축에 수직하고 적어도 상호 수직하게 연장되는 축을 갖는 자석코일 및 비디오시스템으로 구성되며, 상기 비디오시스템은 -진공실의 외축에 위치하는 비디오카메라와, -진공실의 벽내에서 비디오카메라에서 증발원으로 관찰을 할수가 있고 폐쇄가 될 수 있으며 그에 의해 비디오카메라의 축을 사실상 증발원의 중심점상으로 향하게 되는 윈도우와, -컴퓨터에 연결되어 자석코일의 공급을 제어하는 화상평가기를 포함함을 특징으로 하는 전자빔 집중장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910021994A 1990-12-13 1991-12-02 전자빔 집중방법 및 집중장치 KR100246488B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH3'955/90-6 1990-12-13
CH395590 1990-12-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920013586A true KR920013586A (ko) 1992-07-29
KR100246488B1 KR100246488B1 (ko) 2000-03-15

Family

ID=4267065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910021994A KR100246488B1 (ko) 1990-12-13 1991-12-02 전자빔 집중방법 및 집중장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5229570A (ko)
EP (1) EP0490068B1 (ko)
JP (1) JP3338467B2 (ko)
KR (1) KR100246488B1 (ko)
DE (1) DE59106675D1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0616050B1 (de) * 1993-03-16 1997-08-13 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren zur Standzeiterhöhung von Werkzeugen und Verschleissschutz-beschichtetes Werkzeug
US5753319A (en) * 1995-03-08 1998-05-19 Corion Corporation Method for ion plating deposition
DE19745771B4 (de) * 1997-10-16 2005-12-22 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Verfahren für den Betrieb eines Hochleistungs-Elektronenstrahls
US6204469B1 (en) 1999-03-04 2001-03-20 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Laser welding system
US20050181177A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Jamie Knapp Isotropic glass-like conformal coatings and methods for applying same to non-planar substrate surfaces at microscopic levels
US7479632B1 (en) * 2005-02-01 2009-01-20 Trustees Of Boston University E-beam vision system for monitoring and control
RU2510744C1 (ru) * 2012-11-12 2014-04-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") Установка для электронно-лучевой сварки
KR102672094B1 (ko) * 2018-09-27 2024-06-05 가부시키가이샤 알박 마그네트론 스퍼터링 장치용 자석 유닛

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3902274C2 (de) * 1989-01-26 1994-03-17 Leybold Ag Einrichtung zum Erkennen der Auftreffstelle eines Ladungsträgerstrahls auf einem Target
DE58907191D1 (de) * 1989-02-09 1994-04-14 Balzers Hochvakuum Verfahren zum Zentrieren eines Elektronenstrahles.

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04268072A (ja) 1992-09-24
US5229570A (en) 1993-07-20
EP0490068A1 (de) 1992-06-17
DE59106675D1 (de) 1995-11-16
JP3338467B2 (ja) 2002-10-28
KR100246488B1 (ko) 2000-03-15
EP0490068B1 (de) 1995-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920013586A (ko) 전자빔 집중 방법 및 집중장치
JPS5632655A (en) Electron beam device
DE69118286D1 (de) Quelle zur Erzeugung eines schnellen Atomstrahls
JP2005505896A5 (ko)
JPS55102230A (en) Automatic focusing device
JPS57189442A (en) Electron-optic lens-barrel
JPS5768031A (en) Axis aligning mechanism for electron beam exposure device
GB1151818A (en) Vaporisation of High Melting Point Materials in Electron Beam Apparatus.
JPS5536856A (en) High voltage power source device for electrophotographic copier
JPH073772B2 (ja) 電子ビ−ム収束装置
JPS56152145A (en) Electron microscope
JPS6435826A (en) Focus adjustment device for picture tube
JPS6476655A (en) Radiation quantity stabilizing device for electron microscope
JPS5778138A (en) Electron beam driwing device
KR910009952A (ko) 전자빔을 이용한 진공증착용 증발장치
JPS57111936A (en) Astigmatism correcting device for electron microscope
KR910001865A (ko) 증발과정의 제어방법
JPS5529854A (en) Light quantity control unit of copying machine
GB638180A (en) Improvements in or relating to motion picture sound film scanning apparatus
JPS60221933A (ja) ブラウン管装置
JPS54133269A (en) Loop controller
JPS56111837A (en) Bright spot scanning element
JPS5727552A (en) Electron microscope
IT1218432B (it) Procedimento per produrre tetraidronaftilossiammino propanoli e loro sali dotati di attivita' antifibrillatoria e prodotto ottenuto
JPH0733572B2 (ja) レ−ザ蒸着装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20081201

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee